半导体结构及其制作方法技术

本申请提供一种半导体结构的制作方法，包括：形成从介质层的上表面向下延伸的沟槽；至少对沟槽的顶角部进行倒角化处理以使沟槽自内部朝向开口方向形成为渐扩的轮廓；形成位于所述沟槽内及所述介质层上表面的金属化层，位于介质层上表面的金属化层具有坡度平缓化且不低于介质层上表面的凹陷表面；去除金属化层位于介质层上表面的部分，以使金属化层的上表面与介质层的上表面平齐。本申请可以拓宽导电插塞的填充工艺窗口，改善填充空洞的问题，还可以改善金属化层的平整度，改善后续沉积的覆盖层的台阶覆盖性能，有利于提升填孔效果以及器件性能，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于集成电路制造，特别是涉及一种半导体结构及其制作方法。

技术介绍

1、随着互连结构的横向尺寸持续降低，对用于实现衬底与金属层、以及金属层间互连的无空洞或接缝金属填充能力提出了越来越多的要求。对于功率场效应晶体管结构，常规的制作工序中存在刻蚀形成沟槽区域，以及于该沟槽区域沉积生长诸如钨之类的金属，以形成栅极、源极和漏极的引出及其连接。然而，由于器件的关键尺寸缩减，沟槽的深宽比相应地增加，在沟槽区域填充金属时容易使上层金属产生凹陷。

2、现阶段，常用的解决方案为通过沉积较厚的金属层，然后通过诸如化学机械抛光(cmp)之类的机械平坦化工艺将多余的部分金属层去除，从而形成较为平整的表面。上述方案存在如下问题：在沉积金属层时需要确保沟槽区域覆盖有比较厚的金属层，使得在机械平坦化工艺中足够厚的金属层以确保工艺裕度，但是这无疑会增加金属填充的制作工艺成本。一些情形下，倒锥形凹陷的最低表面会进入沟槽或通孔的内部，通过化学机械抛光(cmp)工艺不能保证凹陷区域完全平坦化，使得位于沟槽或通孔内的金属化层形成有空洞，从而影响器件的电学性能。

3、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成位于衬底上的介质层的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述至少对所述沟槽的顶角部进行倒角化处理的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成从所述介质层的上表面向下延伸的沟槽的步骤，包括：采用各向异性干法刻蚀工艺，对所述介质层进行刻蚀，以形成位于所述介质层内的沟槽。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述形成位于衬底上的介质层的步骤之前，包括：</p>

6.根据...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成位于衬底上的介质层的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述至少对所述沟槽的顶角部进行倒角化处理的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成从所述介质层的上表面向下延伸的沟槽的步骤，包括：采用各向异性干法刻蚀工艺，对所述介质层进行刻蚀，以形成位于所述介质层内的沟槽。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述形成位于衬底上的介质层的步骤之前，包括：

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，向所述接触孔内进行离子注入之前，所述至少对所述沟槽的顶角部进...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丽宾，陶余超，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：