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本申请提供一种半导体结构的制作方法，包括：形成从介质层的上表面向下延伸的沟槽；至少对沟槽的顶角部进行倒角化处理以使沟槽自内部朝向开口方向形成为渐扩的轮廓；形成位于所述沟槽内及所述介质层上表面的金属化层，位于介质层上表面的金属化层具有坡度平缓...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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