半导体废气处理设备及其制造方法技术

本申请涉及半导体技术领域的一种半导体废气处理设备及其制造方法，半导体废气处理设备包括：第一壳体，所述第一壳体内形成热反应腔；纳米陶瓷涂层，所述纳米陶瓷涂层结合于所述第一壳体的内表面。本申请的半导体废气处理设备可以降低燃烧的结晶的附着，减少粉末的产生，从而延长热反应腔使用寿命，降低热反应腔的危险系数，充分燃烧制程设备排出的废气，可以迅速的处理掉残留热反应腔内的甲烷，进而减少半导体废气处理设备故障，降低维护成本，提高半导体废气处理设备的废气处理效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其是涉及一种半导体废气处理设备及其制造方法。

技术介绍

1、半导体废气处理设备(local scrubber)热反应腔把制程中的废气、以及燃料和氧化剂(cda/o2)混合燃烧，并且处理燃烧过程中产生的高温化学品。目前的热反应腔在使用过程中，热反应腔内壁陶瓷氧化锆上会有一些燃烧残留的结晶，附着在热反应腔内壁陶瓷氧化锆上粉末(powder)。时间长了会导致制程设备排出的废气无法充分的燃烧或燃烧不充分，甚至会出现爆炸(特殊制程)或宕机现象，热反应腔危险系数比较高，而且热反应腔比较重，在拆装过程中导致内部隔热氧化锆容易碎掉产生粉末夹杂其他制程的其他附着物散落影响周围环境，每次更换需要机台宕机4-5小时甚至更长时间。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提供一种半导体废气处理设备及其制造方法，旨在解决上述至少一个技术问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提出了一种半导体废气处理设备，包括：第一壳体，所述第一壳体内形成热反应腔；纳米陶瓷涂层，所述纳米陶瓷涂层结合于所述第一壳体的内表面。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体废气处理设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述纳米陶瓷涂层的厚度为100-200μm。

3.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述纳米陶瓷涂层的使用温度范围为-180℃-1900℃。

4.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述纳米陶瓷涂层的附着力等级为1级或0级；

5.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述热反应腔的总处理气量为500-3000slm。

6.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述第...

【技术特征摘要】

1.一种半导体废气处理设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述纳米陶瓷涂层的厚度为100-200μm。

3.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述纳米陶瓷涂层的使用温度范围为-180℃-1900℃。

4.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述纳米陶瓷涂层的附着力等级为1级或0级；

5.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述热反应腔的总处理气量为500-3000slm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：靖春雷，
申请(专利权)人：北京子牛亦东科技有限公司，
类型：发明
国别省市：