【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电阻测试设备清洁装备领域，尤其是涉及一种四探针仪清针装备及其制造方法。
技术介绍
1、芯片制造流程中，在涂胶和薄膜工艺里，会生长出所需求的薄膜层，按要求需对其中的导电薄膜层进行电阻测试。具体操作是用晶圆电阻率测量设备(电阻四探针仪)，将其针尖插入待测电阻层进行量测。但是，四探针仪的针尖也因此会沾染薄膜层的残留物，随着使用时间的增长残留物过多过厚就会影响电阻值正常测量。
2、探针的针尖材料为sio2，表面有一层钛化物镀层，探针易折且钛化物镀层易脱落。目前常用细毛刷对针尖沾染薄膜层的残留物进行清理，但是该清洁方式容易磨损探针的表面金属镀层，导致其导电不良，电阻变大，影响四探针仪的测量精度，并且也没有自动化操作影响四探针仪的生产效率。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本申请提供一种四探针仪清针装备及其制造方法，该四探针仪清针装备可以实现对四探针仪的针尖所沾染薄膜层的残留物的清理，同时降低对探针的表面金属镀层造成的损伤，保证四探针仪的测量精度。
2、根据本专利技术的一个方面，提供一种四探针仪清针装备，包括：陶瓷基板；多个陶瓷尖峰，均匀设于所述陶瓷基板的一侧，形成尖峰区域。
3、通过使用本技术方案中的四探针仪清针装备，利用陶瓷硬度比钛金低的特性，将陶瓷基板水平放置且陶瓷尖峰朝上，在四探针仪的针尖沾染一定量的薄膜层的残留物后，让四探针的针尖朝向陶瓷尖峰做上下往复运动，针尖上下运动时通过与尖峰区域的陶瓷尖峰的摩擦，去除掉附着在针尖上的残留
4、在本专利技术的一些实施方式中，所述陶瓷尖峰的高度为40-280nm。
5、在本专利技术的一些实施方式中，所述陶瓷尖峰的高度为100nm。
6、在本专利技术的一些实施方式中，相邻所述陶瓷尖峰之间的距离小于或等于20μm。
7、在本专利技术的一些实施方式中，相邻所述陶瓷尖峰之间的距离为20μm。
8、在本专利技术的一些实施方式中，所述陶瓷基板和所述陶瓷尖峰均采用99％以上纯度的陶瓷。
9、根据本专利技术的另一方面，提供一种上述的四探针仪清针装备的制造方法，包括：
10、准备陶瓷基板；
11、根据尖峰区域的尺寸设计掩膜；
12、用所述掩膜覆盖住所述陶瓷基板一侧的非加工区域；
13、采用干法刻蚀，使用等离子刻蚀机对所述陶瓷基板的加工区域进行刻蚀，在陶瓷基板的加工区域形成均匀分布的陶瓷尖峰，得到四探针仪清针装备。
14、在本专利技术的一些实施方式中，所述干法刻蚀分为两步；1)首先采用bcl3等离子对陶瓷基板表面的自然氧化层进行刻蚀；2)然后再采用bcl3和cl2的混合等离子继续进行刻蚀。
15、在本专利技术的一些实施方式中，所述步骤1)中，bcl3的流量为18-22sccm，基底刻蚀温度为18-22℃，等离子刻蚀机的反应室工作压强为1pa，刻蚀时间为8-12s。
16、在本专利技术的一些实施方式中，所述步骤2)中，bcl3的流量为3-7sccm，cl2的流量为27-33sccm，基底刻蚀温度为18-22℃，等离子刻蚀机的反应室工作压强为0.1pa，刻蚀时间为30-120s。
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1.一种四探针仪清针装备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的四探针仪清针装备，其特征在于，所述陶瓷尖峰的高度为40-280nm。
3.根据权利要求2所述的四探针仪清针装备，其特征在于，所述陶瓷尖峰的高度为100nm。
4.根据权利要求1所述的四探针仪清针装备，其特征在于，相邻所述陶瓷尖峰之间的距离小于或等于20μm。
5.根据权利要求4所述的四探针仪清针装备，其特征在于，相邻所述陶瓷尖峰之间的距离为20μm。
6.根据权利要求1-5任一所述的四探针仪清针装备，其特征在于，所述陶瓷基板和所述陶瓷尖峰均采用99％以上纯度的陶瓷。
7.一种权利要求1-6任一所述的四探针仪清针装备的制造方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀分为两步；1)首先采用BCl3等离子对陶瓷基板表面的自然氧化层进行刻蚀；2)然后再采用BCl3和Cl2的混合等离子继续进行刻蚀。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述步骤1)中，BCl3的流量为18-22
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述步骤2)中，BCl3的流量为3-7sccm，Cl2的流量为27-33sccm，基底刻蚀温度为18-22℃，等离子刻蚀机的反应室工作压强为0.1Pa，刻蚀时间为30-120s。
...【技术特征摘要】
1.一种四探针仪清针装备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的四探针仪清针装备，其特征在于，所述陶瓷尖峰的高度为40-280nm。
3.根据权利要求2所述的四探针仪清针装备，其特征在于，所述陶瓷尖峰的高度为100nm。
4.根据权利要求1所述的四探针仪清针装备，其特征在于，相邻所述陶瓷尖峰之间的距离小于或等于20μm。
5.根据权利要求4所述的四探针仪清针装备，其特征在于，相邻所述陶瓷尖峰之间的距离为20μm。
6.根据权利要求1-5任一所述的四探针仪清针装备，其特征在于，所述陶瓷基板和所述陶瓷尖峰均采用99％以上纯度的陶瓷。
7.一种权利要求1-6任一所述的四探针仪清针装备的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡如健，徐忠元，
申请(专利权)人：北京子牛亦东科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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