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本公开提供了一种半导体结构的制备方法，其中，方法包括：形成位于衬底上的第一掩模层和牺牲层；形成由牺牲层的上表面延伸至第一掩膜层的上表面的第一沟槽，第一沟槽暴露部分第一掩模层；形成位于第一沟槽内的第二掩模层；形成由第二掩膜层上表面延伸至第一掩...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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