【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空镀膜，具体涉及一种高分子导电膜及制备方法、储能装置和电池屏蔽膜。
技术介绍
1、高分子导电膜是指一类具有高分子材料的膜，其用途很广，比如作为集流体、铝塑膜或者装膜的基膜等，在高分子导电膜的制作过程中，通常在原膜上形成导电材料。
2、但是当前的这种高分子导电膜上面的导电材料与原膜的结合力较弱，致使导电材料容易从原膜上脱落。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提供一种高分子导电膜及制备方法、储能装置和电池屏蔽膜，以解决现有技术中由于导电材料与原膜的结合力较弱，致使导电材料容易从原膜上脱落的技术问题。
2、为达上述目的，第一方面，本专利技术实施例提供了一种高分子导电膜，所述高分子导电膜包括：原膜，以及分别设置在所述原膜第一表面和第二表面的导电材料层；其中，所述导电材料层的导电材料颗粒的平均晶粒尺寸在50nm至200nm之间，所述导电材料层的厚度在500nm至1500nm之间。
3、在一些可能的实施方式中，所述导电材料层的导电材料为铜或者铝；所述导电材料层的厚度为1um。
4、在一些可能的实施方式中，所述高分子导电膜还包括粘结材料层；
5、所述粘结材料层设置在所述导电材料层与所述原膜之间；
6、所述粘结材料层的粘结材料颗粒的平均晶粒尺寸大于50nm且小于200nm。
7、在一些可能的实施方式中，所述粘结材料层为金属、合金或者非金属；
8、所述粘结材料层的粘结
9、在一些可能的实施方式中，所述原膜的厚度为3um至8um；
10、所述原膜的材质为聚乙烯、聚丙烯、乙烯丙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、及聚对苯二甲酰对苯二胺，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酰对苯二胺、聚丙乙烯、聚甲醛、环氧树脂、酚醛树脂、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、硅橡胶或聚碳酸酯。
11、第二方面，本专利技术实施例还提供了一种高分子导电膜的制备方法，所述制备方法包括：
12、获取原膜；
13、将所述原膜放入真空镀膜设备中，调整真空镀膜设备中的镀膜参数使得导电材料颗粒的平均晶粒尺寸在50nm至200nm之间，在所述原膜上形成的导电材料层的厚度在500nm至1500nm之间。
14、在一些可能的实施方式中，当所述真空镀膜设备为磁控溅射镀膜设备时，在真空腔体里面通入惰性气体的流速为300ml/分钟至500ml/分钟，溅射电压为10v至30v，所述原膜走速为3米/分钟至5米/分钟；
15、当所述真空镀膜设备为真空蒸镀设备时，所述蒸发舟的电压为10v至30v，送丝速度为300毫米/分钟至600毫米/分钟，所述原膜走速为5米/分钟至10米/分钟。
16、在一些可能的实施方式中，在所述原膜与所述导电材料层之间分别设置有粘结材料层3；
17、所述粘结材料层的粘结材料颗粒的平均晶粒尺寸大于50nm且小于200nm；
18、所述粘结材料层为金属、合金或者非金属；
19、所述粘结材料层的粘结材料的密度小于所述导电材料层的导电材料的密度。
20、第三方面，本专利技术实施例还提供了一种储能装置，所述储能装置第一方面所述的高分子导电膜。
21、第四方面，本专利技术实施例还提供一种电池屏蔽膜，所述电池屏蔽膜包括第一方面所述的高分子导电膜；
22、保护层，设置在所述高分子导电膜的一侧的导电材料层上；
23、导电胶层，设置在所述高分子导电膜的另一侧的导电材料层上。
24、上述技术方案的有益技术效果在于：
25、本专利技术实施例提供的一种高分子导电膜及制备方法、储能装置和电池屏蔽膜，该高分子导电膜包括：原膜，以及设置在原膜第一表面和第二表面的导电材料层；其中，导电材料层的导电材料颗粒的平均晶粒尺寸在50nm在200nm之间，导电材料层的厚度在500nm至1500nm之间。本专利技术实施例中，当导电材料层的导电材料的平均晶粒尺寸在50nm-200nm之间时，晶粒之间相互接触面积较大，其加大了晶粒与晶粒之间的作用力，同时导电材料颗粒与原膜之间的作用力配合晶粒与晶粒之间的作用力、以及导电材料层的厚度所带来的重量实现了平衡，进而增加了导电材料层与原膜之间的结合力避免导电材料层从原膜上脱落。
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1.一种高分子导电膜，其特征在于，所述高分子导电膜包括：原膜(1)，以及分别设置在所述原膜(1)第一表面和第二表面的导电材料层(2)；其中，所述导电材料层(2)的导电材料颗粒的平均晶粒尺寸在50nm至200nm之间，所述导电材料层(2)的厚度在500nm至1500nm之间。
2.根据权利要求1所述的一种高分子导电膜，其特征在于，所述导电材料层(2)的导电材料为铜或者铝；所述导电材料层(2)的厚度为1um。
3.根据权利要求1所述的一种高分子导电膜，其特征在于，所述高分子导电膜还包括粘结材料层(3)；
4.根据权利要求3所述的一种高分子导电膜，其特征在于，所述粘结材料层(3)为金属、合金或者非金属；
5.根据权利要求1所述的一种高分子导电膜，其特征在于，所述原膜(1)的厚度为3um至8um；
6.一种高分子导电膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
7.根据权利要求6所述的一种高分子导电膜的制备方法，其特征在于，当所述真空镀膜设备为磁控溅射镀膜设备时，在真空腔体里面通入惰性气体的流速为300ml/分钟至5
8.根据权利要求6所述的一种高分子导电膜的制备方法，其特征在于，在所述原膜(1)与所述导电材料层(2)之间分别设置有粘结材料层(3)；
9.一种储能装置，其特征在于，所述储能装置包括权利要求1-5任意一项所述的高分子导电膜。
10.一种电池屏蔽膜，其特征在于，所述电池屏蔽膜包括权利要求1-5任意一项所述的高分子导电膜；
...【技术特征摘要】
1.一种高分子导电膜，其特征在于，所述高分子导电膜包括：原膜(1)，以及分别设置在所述原膜(1)第一表面和第二表面的导电材料层(2)；其中，所述导电材料层(2)的导电材料颗粒的平均晶粒尺寸在50nm至200nm之间，所述导电材料层(2)的厚度在500nm至1500nm之间。
2.根据权利要求1所述的一种高分子导电膜，其特征在于，所述导电材料层(2)的导电材料为铜或者铝；所述导电材料层(2)的厚度为1um。
3.根据权利要求1所述的一种高分子导电膜，其特征在于，所述高分子导电膜还包括粘结材料层(3)；
4.根据权利要求3所述的一种高分子导电膜，其特征在于，所述粘结材料层(3)为金属、合金或者非金属；
5.根据权利要求1所述的一种高分子导电膜，其特征在于，所述原膜(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：臧世伟，
申请(专利权)人：深圳金美新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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