本发明专利技术涉及掩膜版领域，具体来说是一种精细掩膜版及该精细掩膜版的制作方法，包括掩膜版本体，所述掩膜版本体上设有外筐区以及有效区；所述有效区的掩膜版本体厚度小于外筐区的掩膜版本体厚度；所述掩膜版本体竖直截面呈倒[型；本发明专利技术通过对精细掩膜版进行优化设计；通过局部区域厚度控制，可以在保证精细掩膜版整体结构的同时，还能保证精细掩膜版的使用效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及掩膜版领域，具体来说是一种精细掩膜版及该精细掩膜版的制作方法。
技术介绍
1、现行micro oled rgb side by side能真正量产使用的技术尚未真正明确。
2、各家制造商仍不断努力研究,其中在shadow mask技术路线上,使用硅基mask技术应用也是方向之一。
3、现有硅基mask一般就是一个平板式结构，在平板上设置孔洞结构，虽然可以实现后续的蒸镀操作。
4、但是不具有专用性，当孔洞尺寸需求较大时，常因为板厚不足而造成耐用性降低，而对于孔洞尺寸需求较小时，又因为板厚过大而影响解析度。
5、同时，现有行业内，在硅基mask制作上并没有明确厚度规格设计,所要不利于未来量产的应用。
6、所要为了解决或者改善上述至少一个问题，就需要对硅基mask的结构或生产工艺进行优化设计。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种区域板厚不同的精细掩膜版。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种精细掩膜版，包括掩膜版本体，所述掩膜版本体上设有外筐区以及有效区；
4、所述有效区的掩膜版本体厚度小于外筐区的掩膜版本体厚度；
5、所述掩膜版本体竖直截面呈倒[型。
6、所述外筐区处于有效区的外侧。
7、一种所述精细掩膜版的制作方法，所述制作方法包括如下步骤：
8、步骤1：将原料硅晶圆研磨至设定厚度；
>9、步骤2：利用旋转涂布机将正交光阻涂布至减薄后的原料硅晶圆上；10、步骤3:利用曝光机对涂布有正交光阻的原料硅晶圆进行进行曝光；
11、步骤4:利用显影设备,将原料硅晶圆对应有效区的正交光阻去除；
12、步骤5:利用刻蚀设备将原料硅晶圆对应有效区的位置进行减薄至目标厚度；
13、步骤6:利用显影设备,将原料硅晶圆边缘处的正交光阻去除；形成半成品掩膜版；
14、步骤7:再次利用旋转涂布机将正交光阻涂布至步骤6加工后的半成品掩膜版上；
15、步骤8:利用曝光机对步骤7涂布后的半成品掩膜版进行曝光；
16、步骤9:利用显影设备在半成品掩膜版对应有效区的位置处正交光阻去除；
17、步骤10:利用刻蚀设备在半成品掩膜版对应有效区的位置上开孔；
18、步骤11:利用显影设备将开孔后半成品掩膜版上的所有正交光阻去除；至此完成硅基精细掩膜版的制作。
19、所述步骤1中要求用cmp设备薄化原料硅晶圆。
20、所述化学机械研磨的研磨压力范围为3～4psi,研磨时间范围为30～60s,研磨液流速范围为200～350ml/min,研磨速率范围为1000rpm/min。
21、所述步骤2以及步骤7中要求旋转涂布机以转速:500rpm,旋涂时间约30sec将正交光阻涂布至薄化后的原料硅晶圆。
22、所述步骤3以及步骤8中曝光机以约功率270(mj/cm2),工艺时间:4sec进行曝光。
23、所述步骤4、步骤6、步骤9以及步骤11中显影设备浸涂30s。
24、所述步骤5中刻蚀设备dipping over 5～10min,将有效区si wafer减薄至目标厚度。
25、所述步骤10中利用刻蚀设备在半成品掩膜版对应有效区的位置上开孔时，要求开孔大小与对应子像素开孔大小相同。
26、本专利技术的优点在于：
27、本专利技术公开了一种精细掩膜版及该精细掩膜版的制作方法。
28、本专利技术通过对精细掩膜版进行优化设计；通过局部区域厚度控制，可以在保证精细掩膜版整体结构的同时，还能保证精细掩膜版的使用效果。
29、具体，通过对于孔洞尺寸需求较大部份将开孔区板厚厚度设计较厚模式，将因刚性增强将有助于耐用性增加；而对于孔洞尺寸需求较小部份将开孔区板厚厚度设计较薄模式将因板厚减薄将有助解析度增加。
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【技术保护点】
1.一种精细掩膜版，其特征在于，包括掩膜版本体，所述掩膜版本体上设有外筐区以及有效区；
2.根据权利要求1所述的一种精细掩膜版，其特征在于；所述外筐区处于有效区的外侧。
3.一种如权利要求1-2任一项所述精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述步骤1中要求用CMP设备薄化原料硅晶圆。
5.根据权利要求4所述的一种精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述化学机械研磨的研磨压力范围为3～4psi,研磨时间范围为30～60s,研磨液流速范围为200～350ml/min,研磨速率范围为1000rpm/min。
6.根据权利要求3所述的一种精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述步骤2以及步骤7中要求旋转涂布机以转速:500rpm,旋涂时间约30sec将正交光阻涂布至薄化后的原料硅晶圆。
7.根据权利要求3所述的一种精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述步骤3以及步骤8中曝光机以约功率270(mJ/cm2),工艺时间:4sec进行曝光。
8.根据权利要求3所述的一种精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述步骤4、步骤6、步骤9以及步骤11中显影设备浸涂30S。
9.根据权利要求3所述的一种精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述步骤5中刻蚀设备Dipping over 5～10min,将有效区Si wafer减薄至目标厚度。
10.根据权利要求3所述的一种精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述步骤10中利用刻蚀设备在半成品掩膜版对应有效区的位置上开孔时，要求开孔大小与对应子像素开孔大小相同。
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【技术特征摘要】
1.一种精细掩膜版，其特征在于，包括掩膜版本体，所述掩膜版本体上设有外筐区以及有效区；
2.根据权利要求1所述的一种精细掩膜版，其特征在于；所述外筐区处于有效区的外侧。
3.一种如权利要求1-2任一项所述精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述步骤1中要求用cmp设备薄化原料硅晶圆。
5.根据权利要求4所述的一种精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述化学机械研磨的研磨压力范围为3～4psi,研磨时间范围为30～60s,研磨液流速范围为200～350ml/min,研磨速率范围为1000rpm/min。
6.根据权利要求3所述的一种精细掩膜版的制作方法，其特征在于，所述步骤2以及步骤7中要求旋转...
【专利技术属性】
技术研发人员：林进志，曹绪文，晋芳铭，张良睿，刘启富，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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