本发明专利技术涉及硅基OLED显示面板领域，具体来说是一种IC邦定用邦定装置及IC邦定工艺，包括压料机构以及供能机构；所述压料机构包括本压压头；所述本压压头采用透明材质制成；所述供能机构包括红外激光器；所述红外激光器与本压压头相对布置；本发明专利技术公开的邦定装置；本发明专利技术直接用透明材质的本压压头与红外激光器的配合使用，可以有效的缩短本压时间，提升效率；同时用红外激光器可以精确的将热量集中作用在Die上，减少热效应区，热效应区范围可以控制在500um以内；有效的解决了热效应损伤屏体的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅基oled显示面板领域，具体来说是一种ic邦定用邦定装置及ic邦定工艺。
技术介绍
1、在制作硅基oled显示面板的制程中，有一个制程是chip ic邦定工艺，是使用异方性导电膜->acf(anisotropic conductive film)将ic的bump线路与屏体的bump线路有效的结合。
2、acf需要再一定的时间、温度、压力下才能激活粒子；硅基oled的产品aa区可以承受的温度：≤100℃，而且硅基材料热传导性很强；采用传统的压头与脉冲加热的方式，需要本压时间长，一般25～30s左右；且局部热效应范围大，会将温度传导到产品的aa区，对产品造成烫伤。
3、所以为了改善或者解决上述至少一个问题，就需要对现有ic邦定装置或工艺进行优化设计。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种避免ic邦定时热量损伤屏体的ic邦定装置。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种ic邦定用邦定装置，包括压料机构以及供能机构；
4、所述压料机构包括本压压头、预压压头以及acf压头；所述本压压头采用透明材质制成；
5、所述供能机构包括红外激光器；所述红外激光器与本压压头相对布置。
6、一种采用权利要求1所述邦定装置的ic邦定工艺，所述ic邦定工艺包括如下步骤：
7、所述ic通过acf与屏体相连接；
8、步骤1：先把acf贴附在屏体上
>9、步骤2：然后把待邦定的ic布置在acf上10、步骤3：然后通过红外激光器加热、本压压头施压将ic与屏体结合；
11、步骤4：步骤3完成后，ic邦定完成，如果需要重复邦定ic，重复步骤1-3即可。
12、所述步骤1中要求通过acf压头把acf贴附在屏体上。
13、在进行acf贴附前，要求屏体清洗完成；
14、并且acf贴附时acf压头所需要的温度为60℃—80℃；acf压头向acf施加的压力为：50n-60n；压覆时间为：1—2s。
15、所述步骤2中所述ic通过预压压头预压在acf上。
16、所述ic预压时预压压头所需要的温度为50℃—60℃；预压压头向ic施加的压力为：50n-60n；压覆时间为：0.5—1s。
17、所述ic预压在acf上后；然后红外激光器的光源透过透明本压压头将热能作用待邦定位置处。
18、在使用红外激光器对ic进行邦定时，要求本压压头只对ic做施压动作。
19、在ic进行邦定时本压压头所需要的温度为140℃—160℃；本压压头向ic施加的压力为：800-1200n；压覆时间为：8-10s。
20、所述步骤3结束后，要求红外激光器先关闭，再上升本压压头。
21、本专利技术的优点在于：
22、本专利技术公开了一种ic邦定用邦定装置及ic邦定工艺。
23、本专利技术公开的邦定装置；本专利技术直接用透明材质的本压压头与红外激光器的配合使用，可以有效的缩短本压时间，提升效率；同时用红外激光器可以精确的将热量集中作用在die上，减少热效应区，热效应区范围可以控制在500um以内；有效的解决了热效应损伤屏体的问题。
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【技术保护点】
1.一种IC邦定用邦定装置，其特征在于，包括压料机构以及供能机构；
2.一种采用权利要求1所述邦定装置的IC邦定工艺，其特征在于，所述IC邦定工艺包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种IC邦定工艺，其特征在于，所述步骤1中要求通过ACF压头把ACF贴附在屏体上。
4.根据权利要求3所述的一种IC邦定工艺，其特征在于，在进行ACF贴附前，要求屏体清洗完成；
5.根据权利要求2所述的一种IC邦定工艺，其特征在于，所述步骤2中所述IC通过预压压头预压在ACF上。
6.根据权利要求5所述的一种IC邦定工艺，其特征在于，所述IC预压时预压压头所需要的温度为50℃—60℃；预压压头向IC施加的压力为：50N-60N；
7.根据权利要求5所述的一种IC邦定工艺，其特征在于，所述IC预压在ACF上后；然后红外激光器的光源透过透明本压压头将热能作用待邦定位置处。
8.根据权利要求7所述的一种IC邦定工艺，其特征在于，在使用红外激光器对IC进行邦定时，要求本压压头只对IC做施压动作。
9.根据权利要求7所述的一种IC邦定工艺，其特征在于，在IC进行邦定时本压压头所需要的温度为140℃—160℃；本压压头向IC施加的压力为：800-1200N；压覆时间为：8-10s。
10.根据权利要求2所述的一种IC邦定工艺，其特征在于，所述步骤3结束后，要求红外激光器先关闭，再上升本压压头。
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【技术特征摘要】
1.一种ic邦定用邦定装置，其特征在于，包括压料机构以及供能机构；
2.一种采用权利要求1所述邦定装置的ic邦定工艺，其特征在于，所述ic邦定工艺包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种ic邦定工艺，其特征在于，所述步骤1中要求通过acf压头把acf贴附在屏体上。
4.根据权利要求3所述的一种ic邦定工艺，其特征在于，在进行acf贴附前，要求屏体清洗完成；
5.根据权利要求2所述的一种ic邦定工艺，其特征在于，所述步骤2中所述ic通过预压压头预压在acf上。
6.根据权利要求5所述的一种ic邦定工艺，其特征在于，所述ic预压时预压压头所需要的温度为50℃—60℃；预压压头向i...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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