【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅基oled显示，尤其涉及一种全彩化硅基oled显示器件及其制备方法。
技术介绍
1、随着元宇宙概念的崛起，目前市场上的ar、vr、mr等设备的需求越来越大，硅基oled由于其像素密度、响应时间、功耗和对比度等指标比传统的fast-lcd更优，已经逐步成为了vr/ar的显示屏的优选或者主流技术。但是目前几乎所有的oled微显示器件的彩色化是通过白光加彩色滤光片的方案实现全彩化，亮度普遍较低，距离理想亮度仍有一定的差距；且由于彩色滤光片和平坦化光阻的存在，造成器件的厚度较厚，无法有效避免光色串扰的问题，降低了微显示器件的对比度和显示质量；而受制于像素尺寸和蒸镀掩模版的制作工艺，采用蒸镀掩模版来制作rgb像素并排化，难以达到理想的像素密度，且阴影效应较严重，掩模版的利用率非常低。
2、如公开号为cn112242430a的专利公开了一种全彩硅基oled结构和制备方法，其中，所述全彩硅基oled结构包括：从下至上依次叠加的金属阳极层、有机功能层、金属阴极层、封装层和滤光片层；所述有机功能层包括：发光层，以向所述金属阴极方向发射白光；所述发光层包括：红色发光单元、蓝色发光单元、绿色发光单元和发光共同传输层；所述红色发光单元和所述蓝色发光单元蒸镀在同一张fmm模板上，oled结构上的其他结构膜层都蒸镀在cmm模板上。上述oled显示器件的结构为白光加彩色滤光片，依然存在亮度低、光色串扰的问题，而且其中的膜层结构也是需要掩模版进行蒸镀，受掩膜版开口大小和多个层叠使用会发生堵孔的问题，依然难以达到理想的像素密度，无法解
3、因此提高硅基微显示器件的亮度和对比度成为我们亟待要解决的问题。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种全彩化硅基oled显示器件及其制备方法，可以在不影响像素密度的前提下，有效提升亮度，进一步拓展和夯实硅基oled技术在vr/ar等近眼显示领域的应用前景。
2、为实现上述目的，本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：所述全彩化硅基oled显示器件，包括含多个阳极像素的驱动基板，相邻阳极像素间的驱动基板上设置有隔离层，所述隔离层上设置有悬突叠层单元，相邻隔离层间设置有与所述悬突叠层单元阴极互联的像素叠层单元。
3、所述隔离层设置为无机复合膜层，相邻两个所述隔离层之间形成下部内凹的底切凹槽。
4、所述隔离层包括所述驱动基板上由下而上依次设置的第一无机膜层和第二无机膜层，所述第一无机膜层的截面形状设置为矩形，所述第二无机膜层的截面形状设置为上底小于下底的等腰梯形，所述第一无机膜层的宽度小于所述第二无机膜层的下底宽度。
5、所述悬突叠层单元设置为中部内凹的工字型的金属复合膜层。
6、所述悬突叠层单元包括所述隔离层上由下而上依次设置的粘附层、金属层和保护膜层，所述粘附层和保护膜层的宽度均大于所述金属层的宽度。
7、所述粘附层和金属层之间设置有缓冲层；所述保护膜层的截面形状为上底宽度小于下底宽度的等腰梯形。
8、所述像素叠层单元包括oled层、阴极层和封装层，相邻两个像素叠层单元的oled层被所述隔离层隔开；所述oled层上覆盖有阴极层，多个像素叠层单元的阴极层通过所述悬突叠层单元电性连接；所述阴极层上覆盖设置有封装层，多个像素叠层单元的封装层被所述悬突叠层单元隔开。
9、一种所述的全彩化硅基oled显示器件的制备方法，包括以下步骤：
10、步骤1：制备含多个阳极像素的驱动基板；
11、步骤2：在驱动基板上沉积无机复合膜层；
12、步骤3：刻蚀去除其中一种阳极像素上方的无机复合膜层并形成底切凹槽；
13、步骤4：制备多个悬突叠层单元，使其位于相邻阳极像素之间的无机复合膜层上；
14、步骤5：整面制备oled层、阴极层和封装层后，通过刻蚀工艺在步骤3形成的底切凹槽内形成像素叠层单元；
15、步骤6：按照步骤3和步骤5的方法制备另外两种阳极像素上的像素叠层单元。
16、所述步骤3的制备方法为：1)对步骤2的基板进行光刻工艺，使其中一种阳极像素上方的光刻胶显影完全；2)对形成的基板表面进行干法刻蚀去除其中一种阳极像素上方的无机复合膜层；3)去除光刻胶；4)通过干法刻蚀其中一种阳极像素边缘的无机复合膜层以形成下部内凹的底切凹槽；
17、所述步骤4的制备方法为：1)整面制备金属复合膜层；2)通过光刻和干法刻蚀工艺去除所有的阳极像素上的金属复合膜层；3)对金属复合膜层进行侧向刻蚀得到工字型的悬突叠层单元；
18、所述步骤5的制备方法为：1)依次整面制备其中一种阳极像素所对应的oled层、阴极层和封装层；2)通过光刻和干法刻蚀后保留其中一种阳极像素上的封装层；3)通过湿法刻蚀去除基板表面的oled层和阴极层。
19、本专利技术的有益效果是：
20、1、本专利技术提供了一种全彩化硅基oled显示器件，包括驱动基板，相邻阳极像素间的驱动基板上设置隔离层及其上的悬突叠层单元，相邻隔离层间设置像素叠层单元，整个oled显示器件可逐个制备对应阳极像素的像素叠层单元、逐个像素调光，无需使用彩色滤光片进行颜色的过滤，可以显著提升亮度200％以上；而且去除了彩色滤光片和平坦化光阻，可以显著降低整体器件的厚度，降低光串扰，提升色纯度和对比度；整个制备过程不使用具有多个开口的蒸镀掩膜版，可以克服蒸镀掩模版无法达到的像素密度的技术缺陷，而且在制备像素叠层单元的过程中整面制备厚度较厚的封装层，再刻蚀封装层而形成，相对于现有的光刻法采用厚度较薄的牺牲层，可有效去除以及避免后续刻蚀工艺对蒸镀有机膜层的损伤，保证了器件的制备质量。
21、2、本专利技术通过在驱动基板上沉积无机复合膜层，利用无机复合膜层的第一无机膜层和第二无机膜层的干法刻蚀选择比不同，在其中一种阳极像素上形成开口后进行侧刻可形成下部内凹的底切凹槽，可确保相邻阳极像素之间的oled层独立并有效隔断，进一步降低了光学串扰；通过在阳极像素间的隔离层上制作悬突叠层单元，可在后续的封装制程中对像素边缘进行保护，而且还可形成阴极互联，形成公共电极，保证了器件的质量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种全彩化硅基OLED显示器件，其特征在于，包括含多个阳极像素的驱动基板，相邻阳极像素间的驱动基板上设置有隔离层，所述隔离层上设置有悬突叠层单元，相邻隔离层间设置有与所述悬突叠层单元阴极互联的像素叠层单元。
2.根据权利要求1所述的全彩化硅基OLED显示器件，其特征在于：所述隔离层设置为无机复合膜层，相邻两个所述隔离层之间形成下部内凹的底切凹槽。
3.根据权利要求2所述的全彩化硅基OLED显示器件，其特征在于：所述隔离层包括所述驱动基板上由下而上依次设置的第一无机膜层和第二无机膜层，所述第一无机膜层的截面形状设置为矩形，所述第二无机膜层的截面形状设置为上底小于下底的等腰梯形，所述第一无机膜层的宽度小于所述第二无机膜层的下底宽度。
4.根据权利要求1所述的全彩化硅基OLED显示器件，其特征在于：所述悬突叠层单元设置为中部内凹的工字型的金属复合膜层。
5.根据权利要求4所述的全彩化硅基OLED显示器件，其特征在于：所述悬突叠层单元包括所述隔离层上由下而上依次设置的粘附层、金属层和保护膜层，所述粘附层和保护膜层的宽度均大于所述金属层的
6.根据权利要求4所述的全彩化硅基OLED显示器件，其特征在于：所述粘附层和金属层之间设置有缓冲层；所述保护膜层的截面形状为上底宽度小于下底宽度的等腰梯形。
7.根据权利要求1所述的全彩化硅基OLED显示器件，其特征在于：所述像素叠层单元包括OLED层、阴极层和封装层，相邻两个像素叠层单元的OLED层被所述隔离层隔开；所述OLED层上覆盖有阴极层，多个像素叠层单元的阴极层通过所述悬突叠层单元电性连接；所述阴极层上覆盖设置有封装层，多个像素叠层单元的封装层被所述悬突叠层单元隔开。
8.一种如权利要求1～7任意一项所述的全彩化硅基OLED显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的全彩化硅基OLED显示器件的制备方法，其特征在于：所述步骤3的制备方法为：1)对步骤2的基板进行光刻工艺，使其中一种阳极像素上方的光刻胶显影完全；2)对形成的基板表面进行干法刻蚀去除其中一种阳极像素上方的无机复合膜层；3)去除光刻胶；4)通过干法刻蚀其中一种阳极像素边缘的无机复合膜层以形成下部内凹的底切凹槽；
10.根据权利要求8所述的全彩化硅基OLED显示器件的制备方法，其特征在于：所述步骤5的制备方法为：1)依次整面制备其中一种阳极像素所对应的OLED层、阴极层和封装层；2)通过光刻和干法刻蚀后保留其中一种阳极像素上的封装层；3)通过湿法刻蚀去除基板表面的OLED层和阴极层。
...【技术特征摘要】
1.一种全彩化硅基oled显示器件，其特征在于，包括含多个阳极像素的驱动基板，相邻阳极像素间的驱动基板上设置有隔离层，所述隔离层上设置有悬突叠层单元，相邻隔离层间设置有与所述悬突叠层单元阴极互联的像素叠层单元。
2.根据权利要求1所述的全彩化硅基oled显示器件，其特征在于：所述隔离层设置为无机复合膜层，相邻两个所述隔离层之间形成下部内凹的底切凹槽。
3.根据权利要求2所述的全彩化硅基oled显示器件，其特征在于：所述隔离层包括所述驱动基板上由下而上依次设置的第一无机膜层和第二无机膜层，所述第一无机膜层的截面形状设置为矩形，所述第二无机膜层的截面形状设置为上底小于下底的等腰梯形，所述第一无机膜层的宽度小于所述第二无机膜层的下底宽度。
4.根据权利要求1所述的全彩化硅基oled显示器件，其特征在于：所述悬突叠层单元设置为中部内凹的工字型的金属复合膜层。
5.根据权利要求4所述的全彩化硅基oled显示器件，其特征在于：所述悬突叠层单元包括所述隔离层上由下而上依次设置的粘附层、金属层和保护膜层，所述粘附层和保护膜层的宽度均大于所述金属层的宽度。
6.根据权利要求4所述的全彩化硅基oled显示器件，其特征在于：所述粘附层和金属层之间设置有缓冲层；所述保护膜层的截...
【专利技术属性】
技术研发人员：李阳阳，曹绪文，晋芳铭，孙圣，张良睿，李亮亮，荣长停，陈蒙，李启明，陆炎，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。