【技术实现步骤摘要】
本公开属于显示，具体涉及一种柔性基底的通孔形成方法。
技术介绍
1、以有机电致发光二极管(organic light-emitting diode，oled)为发光器件、由薄膜晶体管(thin film transistor，tft)进行信号控制的显示基板已成为目前oled行业的主流方向。目前的显示基板通过在柔性基底上形成扇出走线，以与驱动芯片绑定连接。可以利用cog、cof、cop技术进行封装，然而无论哪种封装方式都是基于驱动芯片形成在柔性基底的正面，或者将驱动芯片弯折至柔性基底的背面，不可避免产生较大的黑边框。
2、为了减少显示基板的边框，贯穿柔性基底通孔(trough pi via，tpv)技术应用而生，即直接在柔性基底上面制作薄膜晶体管，通过柔性基底上的通孔直接连接导线，实现与柔性基底背面的驱动芯片直接连接，以实现显示基板的窄边框设计。
技术实现思路
1、本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供了一种柔性基底的通孔形成方法。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种柔性基底的通孔形成方法，所述柔性基底的通孔形成方法包括：
3、在衬底基板上涂布离型层；
4、在所述离型层背离所述衬底基板一侧形成第一导电层，并对所述第一导电层进行图案化形成底电极；
5、在所述底电极背离所述衬底基板一侧形成柔性基底；
6、在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成多层掩膜层，且每次以一层所述掩膜层为掩膜板，对所述掩膜层覆盖
7、可选地，所述在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成多层掩膜层，且每次以一层所述掩膜层为掩膜板，对所述掩膜层覆盖膜层进行一次刻蚀，以形成贯穿所述柔性基底且露出所述底电极的通孔，包括：
8、在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成第一掩膜层，并对所述第一掩膜层进行图案化形成第一开口；
9、以所述第一掩膜层为掩膜板，对所述柔性基底进行刻蚀形成第一通孔以露出所述底电极；
10、在所述第一掩膜层背离所述衬底基板一侧形成第二掩膜层，并对所述第二掩膜层进行图案化形成第二开口；
11、以所述第二掩膜层为掩膜板，对所述第一掩膜层进行刻蚀使得所述第一开口扩大为第三开口；所述第三开口和所述第一通孔的面积相等。
12、可选地，所述第一掩膜层的材料包括：氮化硅、氧化硅中的至少一种；所述第二掩膜层的材料包括：光刻胶。
13、可选地，所述在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成多层掩膜层，且每次以一层所述掩膜层为掩膜板，对所述掩膜层覆盖膜层进行一次刻蚀，以形成贯穿所述柔性基底且露出所述底电极的通孔，包括：
14、在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成第一掩膜层，并对所述第一掩膜层进行图案化形成第一开口；
15、以所述第一掩膜层为掩膜板，对所述柔性基底进行刻蚀形成仅贯穿部分所述柔性基底的第一通孔；
16、在所述第一掩膜层背离所述衬底基板一侧形成第二掩膜层，并对所述第二掩膜层进行图案化形成第二开口；所述第二掩膜层覆盖所述柔性基底靠近所述第一通孔的侧面；
17、以所述第二掩膜层为掩膜板，对所述柔性基底进行刻蚀形成第二通孔，以通过所述第一通孔和所述第二通孔露出所述底电极。
18、可选地，所述第一掩膜层的材料包括：氮化硅、氧化硅中的至少一种；所述第二掩膜层的材料包括：氮化硅、氧化硅、金属或金属氧化物中的至少一种。
19、可选地，其特征在于，所述柔性基底的厚度为15微米至20微米。
20、可选地，所述柔性基底包括：第一柔性基底和第二柔性基底；所述在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成多层掩膜层，且每次以一层所述掩膜层为掩膜板，对所述掩膜层覆盖膜层进行一次刻蚀，以形成贯穿所述柔性基底且露出所述底电极的通孔，包括：
21、在所述第一柔性基底背离所述衬底基板一侧形成第一掩膜层，并对所述第一掩膜层进行图案化形成第一开口；
22、以所述第一掩膜层为掩膜板，对所述第一柔性基底进行刻蚀形成第一通孔以露出所述底电极；
23、在所述第一掩膜层背离所述衬底基板一侧形成第二导电层，并对所述第二导电层进行图案化形成与所述底电极连接的转接电极；所述转接电极覆盖所述第一柔性基底靠近所述第一通孔的侧面；
24、在所述转接电极背离所述衬底基板一侧形成所述第二柔性基底；
25、在所述第二柔性基底背离所述衬底基板一侧形成第二掩膜层，并对所述第二掩膜层进行图案化形成第二开口；
26、以所述第二掩膜层为掩膜板，对所述第二柔性基底进行刻蚀形成第二通孔以露出所述转接电极。
27、可选地，所述第一通孔和所述第二通孔在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
28、可选地，所述第一通孔和所述第二通孔在所述衬底基板上的正投影无交叠。
29、可选地，所述第一柔性基底和所述第二柔性基底的厚度均为7.5微米至10微米。
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1.一种柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述柔性基底的通孔形成方法包括：
2.根据权利要求1所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成多层掩膜层，且每次以一层所述掩膜层为掩膜板，对所述掩膜层覆盖膜层进行一次刻蚀，以形成贯穿所述柔性基底且露出所述底电极的通孔，包括：
3.根据权利要求2所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括：氮化硅、氧化硅中的至少一种；所述第二掩膜层的材料包括：光刻胶。
4.根据权利要求1所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成多层掩膜层，且每次以一层所述掩膜层为掩膜板，对所述掩膜层覆盖膜层进行一次刻蚀，以形成贯穿所述柔性基底且露出所述底电极的通孔，包括：
5.根据权利要求4所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括：氮化硅、氧化硅中的至少一种；所述第二掩膜层的材料包括：氮化硅、氧化硅、金属或金属氧化物中的至少一种。
6.根据权利要求2至5任一项所述的柔性基底的通孔形
7.根据权利要求1所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述柔性基底包括：第一柔性基底和第二柔性基底；所述在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成多层掩膜层，且每次以一层所述掩膜层为掩膜板，对所述掩膜层覆盖膜层进行一次刻蚀，以形成贯穿所述柔性基底且露出所述底电极的通孔，包括：
8.根据权利要求7所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
9.根据权利要求7所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔在所述衬底基板上的正投影无交叠。
10.根据权利要求7所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述第一柔性基底和所述第二柔性基底的厚度均为7.5微米至10微米。
...【技术特征摘要】
1.一种柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述柔性基底的通孔形成方法包括：
2.根据权利要求1所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成多层掩膜层，且每次以一层所述掩膜层为掩膜板，对所述掩膜层覆盖膜层进行一次刻蚀，以形成贯穿所述柔性基底且露出所述底电极的通孔，包括：
3.根据权利要求2所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括：氮化硅、氧化硅中的至少一种；所述第二掩膜层的材料包括：光刻胶。
4.根据权利要求1所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述在所述柔性基底背离所述衬底基板一侧形成多层掩膜层，且每次以一层所述掩膜层为掩膜板，对所述掩膜层覆盖膜层进行一次刻蚀，以形成贯穿所述柔性基底且露出所述底电极的通孔，包括：
5.根据权利要求4所述的柔性基底的通孔形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括：氮化硅、氧化硅中的至少一种；所述第二掩膜层的材料包...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁魁，周超，王迎姿，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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