超级闪存及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种超级闪存包括：第一栅极沟槽，形成于源区顶部，浮栅和控制栅形成于第一栅极沟槽中。在浮栅的第一侧面和第一栅极沟槽的侧面以及底部表面之间形成有第一氧化层以及第二氮氧化层。在浮栅的第二侧面和控制栅的侧面之间形成有第三氮氧化层和第四氧化层。浮栅采用TiN层；浮栅的顶端高于控制栅的顶部表面。第二氮氧化层和第三氮氧化层防止氧扩散到浮栅中，使浮栅的TiN层为连续结构，擦除时，存储电荷能从浮栅的底部向顶部移动并引出；进入到浮栅中的氧使浮栅的TiN层呈纳米晶体结构，以增加浮栅对存储电荷的捕获能力。本发明专利技术还公开了一种超级闪存的制造方法。本发明专利技术能改善器件的擦写性能和数据保持能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种超级闪存(superflash,sf)。本专利技术还涉及一种超级闪存的制造方法。

技术介绍

1、以sst-esf3为原型提出了基于38纳米节点的新sf结构(38sf)中，通过改变 浮栅(fg)结构提升擦写效率，采用如1.2v的低电压的选择栅，能达到以下目的：

2、1)缩小存储单元(cell)的面积；

3、2)降低编程/擦除电压，节省光罩层次；

4、3)低电压读取，降低功耗。

5、38sf采用的业界首创新型结构，利用tin材料作为fg，w作为控制栅(cg)，高 温氧化工艺(high temperature oxidation，hto)形成的氧化层即hto层分别作为 其下的隧穿氧化层(tunox)及上层的阻挡层即控制介质层。于是便形成了o-tin-o 层的fg电荷存储层，然而由于在高温下氧会与氮化钛产生反应，造成氮化钛的不连 续发生，严重影响了器件电性擦除性能。

6、现结合附图说明如下：

7、如图1所示，是现有超级闪存的结构示意图；如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超级闪存，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的超级闪存，其特征在于：两个字线栅对称设置在所述第一栅极沟槽两侧的所述半导体衬底上，所述字线栅和所述半导体衬底之间隔离有第一栅介质层；

3.如权利要求1所述的超级闪存，其特征在于：所述第一氧化层为HTO氧化层。

4.如权利要求3所述的超级闪存，其特征在于：所述第二氮氧化层为对所述第一氧化层的表面进行氮化形成的氮化层。

5.如权利要求4所述的超级闪存，其特征在于：对所述第一氧化层的表面进行氮化的工艺为SPA工艺。

6.如权利要求1所述的超级闪存，其特征在于：所述第四氧化层为...

【技术特征摘要】

1.一种超级闪存，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的超级闪存，其特征在于：两个字线栅对称设置在所述第一栅极沟槽两侧的所述半导体衬底上，所述字线栅和所述半导体衬底之间隔离有第一栅介质层；

3.如权利要求1所述的超级闪存，其特征在于：所述第一氧化层为hto氧化层。

4.如权利要求3所述的超级闪存，其特征在于：所述第二氮氧化层为对所述第一氧化层的表面进行氮化形成的氮化层。

5.如权利要求4所述的超级闪存，其特征在于：对所述第一氧化层的表面进行氮化的工艺为spa工艺。

6.如权利要求1所述的超级闪存，其特征在于：所述第四氧化层为hto氧化层。

7.如权利要求6所述的超级闪存，其特征在于：所述第三氮氧化层采用spa工艺形成。

8.如权利要求7所述的超级闪存，其特征在于：在进行所述第三氮氧化层的spa工艺之前还包括对所述tin层表面进行no退火处理。

9.一种超级闪存的制造方法，其特征在于，包括如下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙勤，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：