【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电器件，尤其涉及一种空穴注入/传输层及制备方法和oled器件及制备方法。
技术介绍
1、有机发光二极管(oled)是以有机半导体材料为发光主体，直接将电能转化为光能的器件，可广泛应用于照明与显示等领域。与液晶面板(lcd)和射线管显示器(crt)相比，oled具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特点，被誉为第三代显示领域的“梦幻显示器”，是未来极具潜力的电子产品。作为oled上游，oled的关键材料将极大影响器件性能。根据oled器件的工作特点，oled显示器件的效率首先取决于能否实现有效的电荷注入，所以，空穴注入材料至关重要。由于电极和有机活性材料之间往往存在注入势垒,会使得器件具有较高的启亮电压和较低的电流密度，从而影响器件的性能，而载流子注入材料被引进作为缓冲层，能够有效改善这一状况。
2、目前国内外研究报道的空穴注入层的制备方法主要分为真空蒸镀法和液相法两大类，其中液相法是指将薄膜层的形成材料溶解于溶剂，再采用液相旋转涂布、液相喷墨成膜并将溶剂除。利用真空蒸镀法制备的空穴注入材料主要是过渡金属氧化物和有机小分子材料(如金属酞菁等)，然而真空蒸镀法存在对仪器设备要求高、能耗大、操作复杂、不能应用于大画面基板和材料损失大等缺点。利用液相法制备的空穴注入材料主要是高分子聚合物(最常见的为pedot:pss)、可溶性有机小分子材料或无机材料等，相较于真空蒸镀法而言，液相法因适合制备大面积柔性器件而更具应用前景，然而适用于液相法制备空穴注入层的材料还面临着成本高、稳
3、因此，亟需一种空穴注入/传输层及制备方法和oled器件及制备方法，以解决现有技术问题的不足。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种空穴注入/传输层的制备方法，该方法的工艺简单，成本低，而且制得的空穴注入/传输层能够显著提高oled器件电致发光性能。
2、本专利技术的另一目的是提供一种由上述的空穴注入/传输层的制备方法制得的空穴注入/传输层。
3、本专利技术的又一目的是提供一种oled器件，该oled器件具有较好的电致发光性能。
4、本专利技术的再一目的是提供一种oled器件的制备方法，通过该制备方法可得到具有较好的电致发光性能的oled器件。
5、为实现以上目的，本专利技术提供了一种空穴注入/传输层的制备方法，步骤包括：
6、(1)将碘化铅(pbi2)溶于第一有机溶剂中，经超声处理得到pbi2旋涂液；
7、(2)将pbi2旋涂液旋涂于基底上；
8、(3)于步骤(2)后进行第一退火处理，得到空穴注入/传输层。
9、与现有技术相比，本专利技术采用碘化铅旋涂液在基底表面旋涂成膜，以此薄膜作为空穴注入/传输层，由于pbi2空穴载流子迁移率高且能级合适，因此空穴注入/传输层可作为空穴注入层，同时还可兼顾空穴传输层，即空穴传输层和空穴注入层选用相同的pbi2材料，使得原材料价格低廉、制备工艺简单，而且制得的空穴注入/传输层具有较好的热及化学稳定性、优异的半导体性能、优良的光电特性以及能够显著提高oled器件电致发光性能；此外，碘化铅旋涂液采用液相旋涂的成膜方法可进一步简化工艺及降低成本。
10、进一步地，本专利技术的碘化铅为商业化的pbi2，碘化铅的纯度高于99.99％，第一有机溶剂为二甲基甲酰胺、γ-丁内酯、n-甲基吡咯烷酮和二甲基亚砜中的至少一种。
11、进一步地，本专利技术的超声处理的时间为10～30min。优选地，本专利技术的超声处理的时间为15～20min。
12、进一步地，本专利技术的pbi2旋涂液的浓度为0.2～40mg/ml。优选地，pbi2旋涂液的浓度为1～20mg/ml。
13、进一步地，本专利技术的旋涂的速度为1000～4000rpm；旋涂的时间为30～180s。优选地，旋涂的速度为1200～2000rpm，旋涂的时间为40～80s。
14、进一步地，本专利技术的第一退火处理的温度为100～150℃，时间为10～60min。优选地，第一退火处理的温度为110～130℃，时间为12～18min。
15、为实现以上目的，本专利技术还提供了一种空穴注入/传输层，采用上述提及的空穴注入/传输层的制备方法制得。
16、与现有技术相比，本专利技术基于pbi2的空穴注入/传输层可作为空穴注入层，同时还可兼顾空穴传输层，而且本专利技术的空穴注入/传输层能够显著提高oled器件电致发光性能。
17、为实现以上目的，本专利技术还提供了一种oled器件，依次包括阳极层、空穴注入/传输层、发光层、电子传输层及阴极层，空穴注入/传输层由上述提及的空穴注入/传输层的制备方法制得。
18、与现有技术相比，本专利技术oled器件的空穴注入/传输层由pbi2旋涂成膜而制得，pbi2空穴载流子迁移率高，同时空穴注入/传输层与阳极层表面接触良好从而能有效修饰阳极层，使得能有效提高oled阳极的空穴载流子注入及载流子在器件内部的传输，从而提高了oled器件的发光亮度和发光效率。
19、为实现以上目的，本专利技术还提供了一种oled器件的制备方法，步骤包括：
20、(1)将碘化铅溶于第一有机溶剂中，经超声处理得到pbi2旋涂液；
21、(2)将pbi2旋涂液旋涂于阳极层上；
22、(3)于步骤(2)后进行第一退火处理，得到空穴注入/传输层；
23、(4)将发光层材料溶于第二有机溶剂中，经超声处理得到得到发光层旋涂液，将发光层旋涂液旋涂于空穴注入/传输层上；
24、(5)于步骤(4)后进行第二退火处理，得到发光层；
25、(6)于发光层上逐层真空蒸镀电子传输层、阴极层。
26、与现有技术相比，本专利技术oled器件的制备方法采用碘化铅旋涂液在基底表面旋涂成膜，以此薄膜作为空穴注入/传输层，pbi2空穴载流子迁移率高且能级合适，同时空穴注入/传输层与阳极层表面接触良好，使得能有效提高oled阳极的空穴载流子注入及载流子在器件内部的传输从而提高了oled器件的发光亮度和发光效率，而且将空穴注入层和空穴传输层二合一使得本专利技术的oled器件的制备方法的制备成本低、制备工艺简单。此外，本专利技术的制备方法包括将发光层旋涂液旋涂于空穴注入/传输层上，由于空穴注入/传输层在第二溶剂中稳定存在，故在空穴注入/传输层上形成发光层不会使空穴注入/传输层本身受到破坏，故本专利技术的制备方法还适合全溶液方法制备oled器件。
27、进一步地，本专利技术的对经清洗和干燥处理后的ito玻璃进行紫外臭氧处理得到阳极层。具体地，清洗包括依次在含有清洗剂的去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇中超声，取出后用n2吹干；干燥处理包括在90～110℃下烘干10～14h；紫外臭氧处理的时间为15～45min。干燥处理优选为100℃下烘干12h；紫外臭氧处理的时间优选为15～45min。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种空穴注入/传输层的制备方法，其特征在于，步骤包括：
2.如权利要求1所述的空穴注入/传输层的制备方法，其特征在于，所述碘化铅的纯度高于99.99％，所述第一有机溶剂为二甲基甲酰胺、γ-丁内酯、N-甲基吡咯烷酮和二甲基亚砜中的至少一种。
3.如权利要求1所述的空穴注入/传输层的制备方法，其特征在于，所述PbI2旋涂液的浓度为0.2～40mg/ml。
4.如权利要求1所述的空穴注入/传输层的制备方法，其特征在于，所述旋涂的速度为1000～4000rpm；所述旋涂的时间为30～180s。
5.如权利要求1所述的空穴注入/传输层的制备方法，其特征在于，所述第一退火处理的温度为100～150℃，时间为10～60min。
6.一种空穴注入/传输层，其特征在于，采用如权利要求1～5任一项所述的空穴注入/传输层的制备方法制得。
7.一种OLED器件，其特征在于，依次包括阳极层、空穴注入/传输层、发光层、电子传输层及阴极层，所述空穴注入/传输层由如权利要求1～5任一项所述的空穴注入/传输层的制备方法制得。
9.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，对经清洗和干燥处理后的ITO玻璃进行紫外臭氧处理得到阳极层。
10.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述发光层材料为PDY-132、SPG-01T、MEH-PPV、SPR-001和PDO-123中的至少一种；所述第二有机溶剂为氯苯、甲苯、邻二氯苯和对二甲苯中的至少一种。
...【技术特征摘要】
1.一种空穴注入/传输层的制备方法，其特征在于，步骤包括：
2.如权利要求1所述的空穴注入/传输层的制备方法，其特征在于，所述碘化铅的纯度高于99.99％，所述第一有机溶剂为二甲基甲酰胺、γ-丁内酯、n-甲基吡咯烷酮和二甲基亚砜中的至少一种。
3.如权利要求1所述的空穴注入/传输层的制备方法，其特征在于，所述pbi2旋涂液的浓度为0.2～40mg/ml。
4.如权利要求1所述的空穴注入/传输层的制备方法，其特征在于，所述旋涂的速度为1000～4000rpm；所述旋涂的时间为30～180s。
5.如权利要求1所述的空穴注入/传输层的制备方法，其特征在于，所述第一退火处理的温度为100～150℃，时间为10～60min。
6.一种空穴注入/传输层，...
【专利技术属性】
技术研发人员：许家驹，陈锦标，陈俊敏，林孟平，
申请(专利权)人：深圳竞沃创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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