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本发明公开了一种超级闪存包括：第一栅极沟槽，形成于源区顶部，浮栅和控制栅形成于第一栅极沟槽中。在浮栅的第一侧面和第一栅极沟槽的侧面以及底部表面之间形成有第一氧化层以及第二氮氧化层。在浮栅的第二侧面和控制栅的侧面之间形成有第三氮氧化层和第四氧...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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