【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体存储器，具体涉及一种铁电存储器的制备方法。
技术介绍
1、存储器是电子信息处理系统中不可或缺的组成部分。在过去，依靠cmos工艺的不断进步，存储器的性能得以不断提高。但近年来，一方面，尺寸微缩导致的晶体管漏电问题越来越严重，在增大存储器功耗的同时，恶化了存储单元的保持特性，存储器的发展遇到较为明显的瓶颈；另一方面，人工智能和物联网等领域的快速发展又对存储器的容量、速度以及功耗等性能指标提出了更高的要求。在这样的背景下，由于嵌入式铁电随机存取存储器(embedded ferroelectric random access memory，eferam)具有非易失、高密度、低功耗以及读取速度快等特点，可提高系统的整体性能，因此，嵌入式铁电随机存取存储器在近年来备受关注。
2、铁电存储器有两种不同的极化状态，且两种极化状态均可在电压激励撤去后保持。给铁电存储器施加外加电压激励，两种不同极化状态的响应电荷量不同。定义两种不同极化状态分别代表“0”和“1”，可以实现数据的非易失性存储。如果将铁电存储器集成在阵列上，通...
【技术保护点】
1.一种铁电存储器的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充层材料是二氧化硅、氟掺杂二氧化硅、碳掺杂二氧化硅、多孔二氧化硅或是其他介电常数不大于二氧化硅的介电材料，厚度在80nm到500nm之间。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层材料是氮化硅、碳掺杂氮化硅、硼掺杂氮化硅或者其他元素掺杂的氮化硅材料。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层材料是铜或者钨。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述淀积层材料是钛、氮化钛、铜叠层材料，或者钽、...
【技术特征摘要】
1.一种铁电存储器的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充层材料是二氧化硅、氟掺杂二氧化硅、碳掺杂二氧化硅、多孔二氧化硅或是其他介电常数不大于二氧化硅的介电材料，厚度在80nm到500nm之间。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层材料是氮化硅、碳掺杂氮化硅、硼掺杂氮化硅或者其他元素掺杂的氮化硅材料。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层材料是铜或者钨。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述淀积层材料是钛、...
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