【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及oled显示屏领域，特别涉及一种用于改善ir下降的oled结构、方法及oled显示屏。
技术介绍
1、amoled发光结构，由阴极，有机发光材料，阳极构成，通过阴极和阳极通电，使有机材料发光。此类器件按照出光方向分类，一般有两种，分为底发光和顶发光两种模式。两者的区别，前者出光不需要透过阴极，阴极厚度可以相应做厚，后者需要通过阴极出光，所以阴极要尽可能的薄和透明，这样在同样阴极的材质，因其厚度更薄保证出光透过率，而使阻抗相应增大。
2、底发光oled和顶发光oled背板设计的巨大差异是底发光oled的光从基板下端穿过，因此tft,电容器等电路部件不能与像素领域重叠。结果表明,底发光oled的分辨率要远低于顶发光oled。
3、所以目前amoled领域主流显示领域使用的都是顶发光模式，来实现高分辨的显示效果。顶发光oled的阴极层采取蒸镀工艺的方式制作公共阴极层，公共阴极在屏的边缘与vdd信号桥接，这样也就带来一个问题，薄的公共阴极层的阻抗会在屏内引起电压下降(或者ir下降)，导致显示画面的电压/电流驱动不均匀情形，距离vdd桥接位置越远的区域，压降效应越明显，且当显示面板尺寸越大，该问题会愈发凸显。通常会考虑通过调节稍厚的上端阴极和增加相对应的vdd电压来减轻i r drop的现象,但是会相应的导致电力消耗量增加，以及受阴极厚度影响oled发出光色也会发生偏移改变，这类调节方法存在明显局限性，特别是大尺寸面板，该现象会进一步加强，相应的办法也就不再有帮助。
技术实
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种改善i r下降的oled结构、方法及oled显示屏，用于通过采用辅助电极的方式对公共阴极层进行vdd接入，从而减少、改善ir下降的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种改善i r下降的oled结构，将oled面板的辅助电极连接vdd电压；在显示像素之间均匀的预留有区域，在该区域通过蒸镀工艺形成cem层连接辅助电极和公共阴极层。
3、所述的辅助电极通过光刻技术将背板的辅助电极预制成较低面电阻的辅助电极。
4、预留区域为在像素之间的开口区域，开口区域在面板生产时预留，开口区域的背板结构包括基底以及依次向上设置的阳极层、光刻胶层，在开口区域相邻的辅助电极端部通过cem层连接至背板的公共阴极层。
5、使用开放型mask蒸镀沉积cem层，通过延长蒸镀时间增加cem层厚度以实现cem层对公共阴极和辅助电极的连接。
6、在开口区域的光刻胶层上蒸镀沉积有机材料层、阴极层，然后使用开放型mask薄薄沉积一层cpm层。
7、在开口区域周围的顶层光刻胶层延伸到开口区域内以实现对其下方的辅助阴极进行遮挡，其边缘呈正切taper角，使oled有机膜层，公共阴极层，cpm层在此处断开，无法覆盖辅助电极，使辅助电极露出。
8、在面板生产过程中，通过黄光工艺搭配蚀刻工艺实现oled结构。
9、黄光工艺搭配蚀刻工艺实现包括：选择合适光刻机并调整适当的曝光量，实现pdl开口区域及辅助电极通孔区域顶光刻胶呈现正切的taper角，然后通过蚀刻将辅助电极金属层蚀刻进顶层光刻胶覆盖范围内，通过蒸镀工艺形成cem层实现辅助电极与公共阴极层的连接。
10、通过光刻工艺实现图形化，然后通过黄光工艺将像素开口区保护起来，将辅助电极开口区打开，通过刻蚀工艺将辅助电极层蚀刻到顶层光刻胶覆盖区域内，然后去除保护光刻胶；通过蒸镀工艺将oled有机膜层，阴极cpm层等依序蒸镀到基板上形成具有开孔区域的oled面板，采用蒸镀工艺在开口区域通过cem层将开口区域周围的辅助电极连接至公共阴极层。
11、一种oled，所述oled包括所述的改善ir下降的oled结构或所述的改善i r下降的方法。
12、本专利技术的优点在于：在像素之间通过辅助电极的方式连接至vdd，通过分布的多个开口区域进行辅助电极和vdd电压的施加，同时配合辅助电极较低的面电阻，可以极大降低电压压降带来的ir下降问题，提高显示屏的稳定性和可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种改善IR下降的OLED结构，其特征在于：将OLED面板的辅助电极连接VDD电压；在显示像素之间均匀的预留有区域，在该区域通过蒸镀工艺形成CEM层连接辅助电极和公共阴极层。
2.如权利要求1所述的一种改善IR下降的OLED结构，其特征在于：所述的辅助电极通过光刻技术将背板的辅助电极预制成较低面电阻的辅助电极。
3.如权利要求1或2所述的一种改善IR下降的OLED结构，其特征在于：预留区域为在像素之间的开口区域，开口区域在面板生产时预留，开口区域的背板结构包括基底以及依次向上设置的阳极层、光刻胶层，在开口区域相邻的辅助电极端部通过CEM层连接至背板的公共阴极层。
4.如权利要求3所述的一种改善IR下降的OLED结构，其特征在于：使用开放型mask蒸镀沉积CEM层，通过延长蒸镀时间增加CEM层厚度以实现CEM层对公共阴极和辅助电极的连接。
5.如权利要求1-4任一所述的一种改善IR下降的OLED结构，其特征在于：在开口区域的光刻胶层上蒸镀沉积有机材料层、阴极层，然后使用开放型mask薄薄沉积一层CPM层。
6.如权利要
7.一种改善IR下降的方法，其特征在于：在面板生产过程中，通过黄光工艺搭配蚀刻工艺实现如权利要求1-6任一OLED结构。
8.如权利要求7所述的改善IR下降的方法，其特征在于：黄光工艺搭配蚀刻工艺实现包括：选择合适光刻机并调整适当的曝光量，实现PDL开口区域及辅助电极通孔区域顶光刻胶呈现正切的taper角，然后通过蚀刻将辅助电极金属层蚀刻进顶层光刻胶覆盖范围内，通过蒸镀工艺形成CEM层实现辅助电极与公共阴极层的连接。
9.如权利要求8所述的一种改善IR下降的方法，其特征在于：包括：通过光刻工艺实现图形化，然后通过黄光工艺将像素开口区保护起来，将辅助电极开口区打开，通过刻蚀工艺将辅助电极层蚀刻到顶层光刻胶覆盖区域内，然后去除保护光刻胶；通过蒸镀工艺将OLED有机膜层，阴极CPM层等依序蒸镀到基板上形成具有开孔区域的OLED面板，采用蒸镀工艺在开口区域通过CEM层将开口区域周围的辅助电极连接至公共阴极层。
10.一种OLED，其特征在于：所述OLED包括如权利要求1-6任一所述的改善IR下降的OLED结构或7-9任一所述的改善IR下降的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种改善ir下降的oled结构，其特征在于：将oled面板的辅助电极连接vdd电压；在显示像素之间均匀的预留有区域，在该区域通过蒸镀工艺形成cem层连接辅助电极和公共阴极层。
2.如权利要求1所述的一种改善ir下降的oled结构，其特征在于：所述的辅助电极通过光刻技术将背板的辅助电极预制成较低面电阻的辅助电极。
3.如权利要求1或2所述的一种改善ir下降的oled结构，其特征在于：预留区域为在像素之间的开口区域，开口区域在面板生产时预留，开口区域的背板结构包括基底以及依次向上设置的阳极层、光刻胶层，在开口区域相邻的辅助电极端部通过cem层连接至背板的公共阴极层。
4.如权利要求3所述的一种改善ir下降的oled结构，其特征在于：使用开放型mask蒸镀沉积cem层，通过延长蒸镀时间增加cem层厚度以实现cem层对公共阴极和辅助电极的连接。
5.如权利要求1-4任一所述的一种改善ir下降的oled结构，其特征在于：在开口区域的光刻胶层上蒸镀沉积有机材料层、阴极层，然后使用开放型mask薄薄沉积一层cpm层。
6.如权利要求5所述的一种改善ir下降的oled结构，其特征在于：在开口区域周围的顶层光刻胶层延伸到开口区域内以实现对其下方的辅助阴极进行...
【专利技术属性】
技术研发人员：张良睿，孙新然，曹绪文，晋芳铭，孙圣，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。