硅基OLED显示器件结构的制作方法及硅基OLED显示器件结构技术

本发明专利技术公开了一种硅基OLED显示器件结构的制作方法，包括：S1、提供一驱动电路衬底；S2、在所述驱动电路衬底的一侧形成光刻胶层；S3、对子像素进行曝光；S4、对子像素进行显影，形成孔洞；S5、形成位于孔洞中的发光层；S6、在发光层远离驱动电路衬底的一侧形成第一封装膜层；S7、重复两次执行步骤S2～S6，形成另外两处发光层；S8、在第一封装膜层远离驱动电路衬底的一侧形成第二封装膜层。本发明专利技术的硅基OLED显示器件结构的制作方法，通过FMM mask工艺，制作lift‑off开孔，可有效避免lift‑off失败或光刻胶残留，增加OLED器件亮度及良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于硅基oled，具体地说，本专利技术涉及一种硅基oled显示器件结构的制作方法及硅基oled显示器件结构。

技术介绍

1、随着元宇宙概念的崛起，虚拟现实(vr)、增强现实(ar)、混合现实(mr)等设备的需求越来越大，硅基oled显示器件已经逐步成为了vr/ar的显示屏的优选或者主流技术。

2、在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：

3、目前采用wet photo lithography(湿法光刻)工艺制作real rgb(真实红绿蓝像素排列)硅基oled显示器件过程中，cvd(化学气相沉积，chemical vapor deposition)临时封装时极易覆盖pr under cut(光刻胶底切结构)侧壁，导致剥离(lift-off)失败或者残留光刻胶，严重影响oled器件亮度及发光效率。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种硅基oled显示器件结构的制作方法，目的是增加oled器件亮度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.硅基OLED显示器件结构的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅基OLED显示器件结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述光刻胶层是由负性光刻胶制作而成。

3.根据权利要求2所述的硅基OLED显示器件结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，使用涂布机，涂布机的转速设置为500～1000rpm，时间设置为10sec～20sec，所述光刻胶层的厚度设置为0.8～1.2um。

4.根据权利要求1至3任一所述的硅基OLED显示器件结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，使用曝光机，曝光能量设置为100～200mJ/cm2，...

【技术特征摘要】

1.硅基oled显示器件结构的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅基oled显示器件结构的制作方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述光刻胶层是由负性光刻胶制作而成。

3.根据权利要求2所述的硅基oled显示器件结构的制作方法，其特征在于，所述步骤s2中，使用涂布机，涂布机的转速设置为500～1000rpm，时间设置为10sec～20sec，所述光刻胶层的厚度设置为0.8～1.2um。

4.根据权利要求1至3任一所述的硅基oled显示器件结构的制作方法，其特征在于，所述步骤s3中，使用曝光机，曝光能量设置为100～200mj/cm2，曝光时间设置为10～20sec。

5.根据权利要求1至3任一所述的硅基oled显示器件结构的制作方法，其特征在于，所述步骤s4中，使用显影设备，显影时间设置为50～180sec。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘启富，张良睿，林进志，荣长停，陆炎，陈蒙，李俊东，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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