【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供一种光伏电池。本专利技术提供一种包含硅的光伏电池，特别是包含非晶硅或单晶硅的光伏电池。本专利技术提供一种包含铜铟镓硒(cigs)薄膜的光伏电池。本专利技术提供一种包含有机薄膜的光伏电池。本专利技术另提供一种包含复数个光伏电池的光伏电池堆栈。
技术介绍
1、现有技术的光伏电池大致可分成硅基光伏电池、薄膜光伏电池、有机光伏电池和化合物半导体光伏电池。其中以硅基光伏电池为大宗，乃因硅基光伏电池的生产技术与设备已相当成熟。化合物半导体光伏电池则常用于聚光型光伏电池中。
2、为进一步提升光伏电池的效率，可将具有不同能隙的化合物半导体层进行堆栈而形成多接面结构，利用不同能隙的半导体层吸收不同波长的光，以提升光伏电池的效率。然而，多接面化合物半导体光伏电池结构的制造程序复杂且困难，且成本极高。此外，多接面结构因为须要成长具有不同能隙的化合物半导体吸收层，然而，往往各吸收层之间的能隙匹配时，晶格常数并不匹配，难以提升各吸收层的结晶品质，进而限制了多接面化合物半导体光伏电池的效率。此外，由于不同能隙的半导体层其光电转换效率不同，因此，照光后产生的光电流强度也不尽相同，由于各化合物半导体层产生的光电流强度差异过大，电流匹配度不佳时，也会影响该光伏电池整体电流的输出强度。
3、因此，所属
中持续存在改善光伏电池外部量子效率、光电转换效率、填充因子、开路电压(voc)及/或短路电流(jsc)的需求。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种光伏电池，其包含：
...【技术保护点】
1.一种光伏电池，其包含：
2.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述第1透明导电膜或所述第2透明导电膜的能隙大于2.2eV。
3.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述第1透明导电膜或所述第2透明导电膜于可见光波长范围的平均光穿透率大于85％。
4.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述第1透明导电膜包含氧化铟锡(ITO)。
5.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述第2透明导电膜包含氧化铟锡(ITO)、铟掺杂氧化锌(In:ZnO)、铝掺杂氧化锌(Al:ZnO)、镓掺杂氧化锌(Ga:ZnO)、硼掺杂氧化锌(B:ZnO)、氢掺杂氧化铟(InO:H)、氟掺杂氧化铟(F:In2O3)或氟掺杂氧化锡(SnO2:F)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第2能隙包含间接能隙。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第1能隙包含直接能隙。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第3能隙包含直接能隙。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池
10.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第1能隙的范围为1至4eV。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第3能隙的范围为1至4eV。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中在连接第1透明导电膜和第2透明导电膜的方向上，所述第1pn结对于所述第2pn结的厚度比率小于或等于5x10-2。
13.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中在连接第1透明导电膜和第2透明导电膜的方向上，所述第3pn结对于所述第2pn结的厚度比率小于或等于5x10-2。
14.一种光伏电池，其包含：
15.如权利要求14所述的光伏电池，其中所述第1透明导电膜或所述第2透明导电膜的能隙大于2.2eV。
16.如权利要求14所述的光伏电池，其中所述第1透明导电膜或所述第2透明导电膜于可见光波长范围的平均光穿透率大于85％。
17.如权利要求14所述的光伏电池，其中所述第1透明导电膜包含氧化铟锡(ITO)。
18.如权利要求14所述的光伏电池，其中所述第2透明导电膜包含氧化铟锡(ITO)、铟掺杂氧化锌(In:ZnO)、铝掺杂氧化锌(Al:ZnO)、镓掺杂氧化锌(Ga:ZnO)、硼掺杂氧化锌(B:ZnO)、氢掺杂氧化铟(InO:H)、氟掺杂氧化铟(F:In2O3)或氟掺杂氧化锡(SnO2:F)。
19.根据权利要求14至18中任一项所述的光伏电池，其中所述第2pn结包含多晶硅或单晶硅。
20.根据权利要求14至18中任一项所述的光伏电池，其中所述第1pn结包含光敏性导电聚合物、数均分子量(Mn)≤1,000的聚合物、有机金属卤化物型钙钛矿、铜铟镓硒(CIGS)、钙钛氧化物、非晶硅、II-VI族化合物或Ⅲ-Ⅴ族化合物。
21.根据权利要求14至18中任一项所述的光伏电池，其中所述第3pn结包含光敏性导电聚合物、数均分子量(Mn)≤1,000的聚合物、有机金属卤化物型钙钛矿、铜铟镓硒(CIGS)、钙钛氧化物、非晶硅、II-VI族化合物或Ⅲ-Ⅴ族化合物。
22.根据权利要求14至18中任一项所述的光伏电池，其另包含第3透明导电膜，其位于所述第1pn结与所述第2pn结之间。
23.根据权利要求14至18中任一项所述的光伏电池，其另包含第4透明导电膜，其位于所述第2pn结与所述第3pn结之间。
24.如权利要求22所述的光伏电池，其中所述第3透明导电膜与所述第2透明导电膜电连接。
25.如权利要求23所述的光伏电池，其中所述第4透明导电膜与所述第1透明导电膜电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种光伏电池，其包含：
2.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述第1透明导电膜或所述第2透明导电膜的能隙大于2.2ev。
3.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述第1透明导电膜或所述第2透明导电膜于可见光波长范围的平均光穿透率大于85％。
4.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述第1透明导电膜包含氧化铟锡(ito)。
5.根据权利要求1所述的光伏电池，其中所述第2透明导电膜包含氧化铟锡(ito)、铟掺杂氧化锌(in:zno)、铝掺杂氧化锌(al:zno)、镓掺杂氧化锌(ga:zno)、硼掺杂氧化锌(b:zno)、氢掺杂氧化铟(ino:h)、氟掺杂氧化铟(f:in2o3)或氟掺杂氧化锡(sno2:f)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第2能隙包含间接能隙。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第1能隙包含直接能隙。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第3能隙包含直接能隙。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第2能隙的范围为0.5至1.5ev。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第1能隙的范围为1至4ev。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中所述第3能隙的范围为1至4ev。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中在连接第1透明导电膜和第2透明导电膜的方向上，所述第1pn结对于所述第2pn结的厚度比率小于或等于5x10-2。
13.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏电池，其中在连接第1透明导电膜和第2透明导电膜的方向上，所述第3pn结对于所述第2pn结的厚度比率小于或等于5x10-2。
14.一种光伏电池，其包含：
15.如权利要求14所述的...
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