一种具备鳍型结构的高填充因子传感器像素及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具备鳍型结构的高填充因子传感器像素及其制备方法，其像素包括PIN器件；所述的PIN器件中的P膜层采用鳍形结构，即在其截面上，P膜层的形状为梯形，形成两个具有一定斜度的侧面；PIN器件采用N衬顶的PIN二极管结构。采用上述技术方案，像素顶端不需要再放置金属走线，以提高开口率；PIN器件中N材料的透过率远大于P；整个像素的有效面积大，特殊结构可以达到TFT全覆盖，具有更高的光线收集效率；收光面积达到高填充因子，同时具备稳定性；边框为金属反光层；三面收光结构增强收光效果的同时减少侧边光对二极管的干扰，降低侧面积进一步降低二极管的漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电工程的。具体地，本专利技术涉及一种具备鳍型结构的高填充因子传感器像素。本专利技术还涉及该传感器像素的制备方法。

技术介绍

1、1、目前常用传感器像素结构：tft器件与pin器件分开摆放，像素顶部pin之上有金属走线，边框位置有金属走线，pin顶部收集光线的有效面积受到很大局限。

2、2、目前常用传感器像素制备方法：常见的薄膜工艺想要提高开口率的方法是缩小线宽，减小tft面积，压缩膜层之间的间距。这些方法都会影响电性参数。

3、现有技术存在的问题和缺陷：考虑到制备方法和稳定性，无法高效提高像素填充因子。

4、采用关键词：“传感器；像素；pin；面积；光”等，对现有公开的技术文献进行检索，得到以下检索结果：

5、1、中国专利文献：“全局曝光方式的图像传感器像素结构及其控制方法”，专利(申请)号为：201410554896.8，其记载的技术方案是：

6、“全局曝光方式的图像传感器像素结构及其控制方法，包括置于半导体基体中的光电二极管区，电荷传输晶体管，复位晶体管，源跟随晶体管，选择晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具备鳍型结构的高填充因子传感器像素，包括PIN器件，其特征在于：所述的PIN器件中的P膜层采用鳍形结构，即在其截面上，P膜层的形状为梯形，形成两个具有一定斜度的侧面；PIN器件采用N衬顶的PIN二极管结构。

2.按照权利要求1所述的具备鳍型结构的高填充因子传感器像素，其特征在于：所述的像素叠层结构从上到下分别为：反向的PIN器件；金属走线；TFT器件，以及相应的缓冲层/平坦层。

3.按照权利要求1所述的具备鳍型结构的高填充因子传感器像素，其特征在于：所述的PIN器件两边像素边框位置，分别设置金属反光层。

4.按照权利要求3所述的具备鳍型结构的高...

【技术特征摘要】

1.一种具备鳍型结构的高填充因子传感器像素，包括pin器件，其特征在于：所述的pin器件中的p膜层采用鳍形结构，即在其截面上，p膜层的形状为梯形，形成两个具有一定斜度的侧面；pin器件采用n衬顶的pin二极管结构。

2.按照权利要求1所述的具备鳍型结构的高填充因子传感器像素，其特征在于：所述的像素叠层结构从上到下分别为：反向的pin器件；金属走线；tft器件，以及相应的缓冲层/平坦层。

3.按照权利要求1所述的具备鳍型结构的高填充因子传感器像素，其特征在于：所述的pin器件两边像素边框位置，分别设置金属反光层。

4.按照权利要求3所述的具备鳍型结构的高填充因子传感器像素，其特征在于：所述的pin器件形成顶面及两个侧面的三个感光面；其中顶面感光为直射光，侧面感光为金属反光层的反射光。

5.按...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，陆羽，
申请(专利权)人：芜湖迪钛飞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：