【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电磁干扰，具体涉及一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法及电子系统。
技术介绍
1、电子系统是指利用电子技术制造出来，以电能工作为基础，由电子产品或者设备组成的系统。随着生产和科学技术的迅速发展、新工艺和新材料的应用，电子系统在电路上和结构上发生了巨大的变化，小型化和高集成化已成为主流趋势。
2、电子系统的性能不断增强，应用场景不断拓展，对于系统的可靠性要求也相应的日益提高，尤其在微波通信、互联网应用、消费类产品，甚至是国防、航空航天等领域，可靠性已成为衡量电子系统使用性能的重要指标。
3、环境中的电磁波无处不在，电子系统工作时，无时无刻不与空间中的电磁信号接触。在外界电磁信号的影响下，电子系统的噪声会变大，信号稳定性变差，如果电磁干扰严重，甚至会导致整个系统运行故障，更严重的会危及人身安全。
4、在现有技术中，电子系统通常使用金属外壳来完成电磁屏蔽，金属外壳在电磁兼容方面，对于电场屏蔽有一定的效果，但是对于磁场的屏蔽效果很微弱，当系统内部有磁性元器件，如电感、磁珠等，外部较强的磁场，会明显影响系统的正常工作，且专利技术人在实践的过程中，铁氧体材料很难直接与金属外壳相结合，会出现贴敷牢固程度不佳，使用寿命不长的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的外部磁场影响电子系统工作的问题，本专利技术提出了一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法及电子系统，其目的为：使铁氧体材料与金属外壳结合的更牢固，减少外部磁场对电子设备内部元器件的影响。
...【技术保护点】
1.一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，使用非金属镀膜工艺，在电子系统的金属外壳内壁形成一层铁氧体薄膜，其中金属外壳和铁氧体薄膜之间还有一层缓冲材料，所述非金属镀膜工艺，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，所述介质保护层是玻璃介质浆料。
3.根据权利要求1所述的一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，所述缓冲材料是Ti薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，所述铁氧体材料是Mn-Zn铁氧体。
5.根据权利要求1所述的一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，所述溶剂为无水乙醇。
6.根据权利要求1所述的一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，所述，所述铁氧体薄膜厚度为3-6μm。
7.根据权利要求1所述的一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，所述缓冲材料厚度为0.5-1μm。
8.一种增强内外磁屏蔽的电子系统，其包括电子元器件、金属外壳和底板，所述电子元器件装配在金属外壳内，同
9.根据权利要求1所述的一种具有内外磁屏蔽的电子系统，其特征在于，所述电子系统包括电容C1、电容C2、电感L1及其连接电路。
...【技术特征摘要】
1.一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，使用非金属镀膜工艺，在电子系统的金属外壳内壁形成一层铁氧体薄膜，其中金属外壳和铁氧体薄膜之间还有一层缓冲材料，所述非金属镀膜工艺，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，所述介质保护层是玻璃介质浆料。
3.根据权利要求1所述的一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，所述缓冲材料是ti薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，所述铁氧体材料是mn-zn铁氧体。
5.根据权利要求1所述的一种增强电子系统内外磁屏蔽的方法，其特征在于，所述溶剂为无水乙醇。...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏祺益，张烽，张锦锋，
申请(专利权)人：成都火炬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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