【技术实现步骤摘要】
本公开涉及能够消除泄漏分量的放大器。
技术介绍
1、发射机通过包括在发射(tx)链中的部件调节增益来确保各种标准所要求的高性能动态范围(dr)。包括在tx链中的基带级具有限制，这些限制考虑信号大小以确保dr、信噪比(snr)从而确保误差矢量幅度(evm)性能等。因此，可以考虑通过位于基带级之后的射频(rf)级的增益调节来确保dr。
2、例如，可以考虑通过可变增益放大器(vga)衰减发射信号来确保dr，但是对于该方法，应实施用于消除驱动放大器(da)的影响的单独路径。这种单独的路径可能引起诸如面积增大、由于负载阻抗的变化导致产生信道不对称等的问题。
3、考虑到通过vga来确保dr的问题，可以考虑通过调节da的增益来确保dr。然而，在增大da中包括的晶体管的尺寸以确保增益的过程中，由于产生泄漏信号，因此在确保dr方面可能出现问题。
技术实现思路
1、提供了一种能够消除泄漏分量的放大器及其方法。
2、根据本公开的一方面，一种放大器包括：差分输入信号分别施加到栅极端子的第一-第一(1-1)晶体管和第一-第二(1-2)晶体管；第二-第一(2-1)晶体管，包括：连接到1-1晶体管的一端、配置为接收操作信号的栅极端子、以及配置为输出差分输出信号中的一个的另一端；第二-第二(2-2)晶体管，包括：连接到1-2晶体管的一端、配置为接收操作信号的栅极端子、以及配置为输出差分输出信号中的另一个的另一端；以及连接到1-1晶体管的一端和1-2晶体管的一端的开关。开关配置为
3、根据本公开的另一方面，一种驱动放大器包括：多个单元放大器，通过输入节点和输出节点彼此并联连接并且向输出节点输出差分输出信号。所述多个单元放大器中的至少一个单元放大器包括：差分输入信号分别通过输入节点施加到栅极端子的1-1晶体管和1-2晶体管；2-1晶体管，包括连接到1-1晶体管的一端、配置为接收操作信号的栅极端子、以及配置为输出差分输出信号中的一个的另一端；2-2晶体管，包括连接到1-2晶体管的一端、配置为接收操作信号的栅极端子、以及配置为输出差分输出信号中的另一个的另一端；以及连接到1-1晶体管的一端和1-2晶体管的一端的开关。开关配置为基于所述至少一个单元放大器关断而导通。
4、根据本公开的另一方面，一种电子设备包括：处理器；以及射频(rf)芯片，配置为基于从处理器接收到的基带信号生成rf信号、以及通过包括多个单元放大器的驱动放大器调节并输出rf信号的增益。所述多个单元放大器中的至少一个单元放大器包括：差分输入信号分别通过输入节点施加到栅极端子的1-1晶体管和1-2晶体管；2-1晶体管，包括：连接到1-1晶体管的一端、配置为接收操作信号的栅极端子、以及配置为输出差分输出信号中的一个的另一端；2-2晶体管，包括：连接到1-2晶体管的一端、配置为接收操作信号的栅极端子、以及配置为输出差分输出信号中的另一个的另一端；以及连接到1-1晶体管的一端和1-2晶体管的一端的开关。开关配置为基于所述至少一个单元放大器关断而导通。
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1.一种放大器，包括：
2.根据权利要求1所述的放大器，其中，基于开关导通，短路路径配置为在1-1晶体管的所述一端和1-2晶体管的所述一端之间形成。
3.根据权利要求2所述的放大器，其中，差分输入信号包括施加到1-1晶体管的栅极端子的第一输入分量和施加到1-2晶体管的栅极端子的第二输入分量，以及
4.根据权利要求3所述的放大器，其中，第一输入分量和第二输入分量包括彼此相反的相位。
5.根据权利要求1所述的放大器，其中，2-1晶体管的尺寸大于1-1晶体管的尺寸，以及
6.根据权利要求1所述的放大器，其中，开关是第三晶体管，其包括比1-1晶体管和1-2晶体管中的每个的阈值电压大的阈值电压。
7.根据权利要求6所述的放大器，其中，施加到第三晶体管的栅极端子的控制信号与操作信号互补。
8.根据权利要求1所述的放大器，其中，1-1晶体管、1-2晶体管、2-1晶体管和2-2晶体管分别是n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
9.根据权利要求7所述的放大器，其中，开关的一端连接到1-1晶体管的漏极
10.根据权利要求7所述的放大器，其中，差分输出信号分别从2-1晶体管的漏极端子和2-2晶体管的漏极端子输出，以及
11.根据权利要求1所述的放大器，其中，开关配置为基于1-1晶体管、1-2晶体管、2-1晶体管和2-2晶体管导通而关断。
12.一种驱动放大器，包括：
13.根据权利要求12所述的驱动放大器，其中，基于开关导通，短路路径在1-1晶体管的所述一端和1-2晶体管的所述一端之间形成。
14.根据权利要求13所述的驱动放大器，其中，差分输入信号包括施加到1-1晶体管的栅极端子的第一输入分量和施加到1-2晶体管的栅极端子的第二输入分量，以及
15.根据权利要求12所述的驱动放大器，其中，1-1晶体管、1-2晶体管、2-1晶体管和2-2晶体管分别是n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，以及
16.根据权利要求12所述的驱动放大器，其中，差分输出信号配置为基于开关导通而不包含泄漏分量。
17.根据权利要求16所述的驱动放大器，其中，基于所述多个单元放大器中的每个是导通还是关断，差分输出信号配置为具有动态范围(DR)，以及
18.一种电子设备，包括：
19.根据权利要求18所述的电子设备，其中，基于开关导通，短路路径配置为在1-1晶体管的所述一端和1-2晶体管的所述一端之间形成。
20.根据权利要求19所述的电子设备，其中，RF信号包括配置为施加到1-1晶体管的栅极端子的第一输入分量和配置为施加到1-2晶体管的栅极端子的第二输入分量，以及
...【技术特征摘要】
1.一种放大器，包括：
2.根据权利要求1所述的放大器，其中，基于开关导通，短路路径配置为在1-1晶体管的所述一端和1-2晶体管的所述一端之间形成。
3.根据权利要求2所述的放大器，其中，差分输入信号包括施加到1-1晶体管的栅极端子的第一输入分量和施加到1-2晶体管的栅极端子的第二输入分量，以及
4.根据权利要求3所述的放大器，其中，第一输入分量和第二输入分量包括彼此相反的相位。
5.根据权利要求1所述的放大器，其中，2-1晶体管的尺寸大于1-1晶体管的尺寸，以及
6.根据权利要求1所述的放大器，其中，开关是第三晶体管，其包括比1-1晶体管和1-2晶体管中的每个的阈值电压大的阈值电压。
7.根据权利要求6所述的放大器，其中，施加到第三晶体管的栅极端子的控制信号与操作信号互补。
8.根据权利要求1所述的放大器，其中，1-1晶体管、1-2晶体管、2-1晶体管和2-2晶体管分别是n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管。
9.根据权利要求7所述的放大器，其中，开关的一端连接到1-1晶体管的漏极端子，开关的另一端连接到1-2晶体管的漏极端子。
10.根据权利要求7所述的放大器，其中，差分输出信号分别从2-1晶体管的漏极端子和2-2晶体管的漏极端子输出，以及
11.根据权利要求1所述的放大器，...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹硬铉，裵廷烈，李钟洙，刘相珉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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