【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的制造系统与半导体器件的制造方法,特别涉及到制造装 置的控制方法,以及采用这种装置与这类方法的半导体器件制造工艺的模拟方法与模拟装置。
技术介绍
以往,通过半导体制造装置反复地形成基板台阶、形成阱、绝缘、形成晶体管、形成 位线、形成电容器与形成布线,来制造DRAM等半导体器件。这种半导体制造过程是通过对 光刻处理、蚀刻处理、热处理(氧化、退火、扩散)、离子注入处理、或膜形成处理(CVD、溅射、 蒸镀)、清洗处理(除去抗蚀剂、由溶液清洗)与检查处理作适当组合构成。一般存在有这样的系统,它在保持种种处理室的气氛不变下,将基板运入/运出 处理室,进行工艺处理,将检查处理中或处理后基板得到的计测检查数据传送给中央控制 系统,进行基板与处理室的履历管理与记录,输出对各处理室与制造装置进行自诊断的适 当指示(参看专利文献1)。已有的半导体器件的制造装置具有进行热处理的氧化炉、控制此氧化炉的氧化炉 控制器以及与氧化炉和氧化炉控制器连接进行加工控制的氧化膜厚控制器。这种氧化膜厚控制器包括具有氧化膜厚计算功能的氧化膜厚计算部和具有计算 膜厚判定功能的计算膜厚判定部,它在进行利用热化学反应的预定的半导体制造过程中, 基于预定的过程执行的初始设定开始半导体制造过程,按预定的时间间隔测定与分析进行 热化学反应的预定的系统气氛状态及其变化,将此分析结果反馈给半导体制造过程(参看 专利文献2)。但在这种已有的半导体器件的制造装置中,即使能进行各个加工处理装置的自诊 断与过程模拟,对半导体基板上的氧化膜的厚度与布线宽度以及杂质扩散浓度进行控制, 但对经过多个加 ...
【技术保护点】
一种半导体器件制造系统,其特征在于,它具有:实行半导体基板的加工处理的第一处理装置及第二处理装置;控制上述第一处理装置及第二处理装置的处理控制装置;使上述半导体基板的加工处理进行,监视上述第一处理装置及上述第二处理装置的状态,取得上述第一处理装置的加工处理之中的作为处理内容信息的与晶片的批号和晶片的处理履历有关的数据以及加工处理之外的事件信息,将晶片处理中的上述第一处理装置的上述处理内容信息传送给第一处理工序的自诊断系统,并且将上述第一处理装置的上述事件信息传送给上述第二处理装置的自诊断系统的模拟器,上述第二处理装置的自诊断系统将上述事件信息实时地反映给进行晶片处理的第二处理工序。
【技术特征摘要】
JP 2003-9-8 355684/2003一种半导体器件制造系统,其特征在于,它具有实行半导体基板的加工处理的第一处理装置及第二处理装置;控制上述第一处理装置及第二处理装置的处理控制装置;使上述半导体基板的加工处理进行,监视上述第一处理装置及上述第二处理装置的状态,取得上述第一处理装置的加工处理之中的作为处理内容信息的与晶片的批号和晶片的处理履历有关的数据以及加工处理之外的事件信息,将晶片处理中的上述第一处理装置的上述处理内容信息传送给第一处理工序的自诊断系统,并且将上述第一处理装置的上述事件信息传送给上述第二处理装置的自诊断系统的模拟器,上述第二处理装置的自诊断系统将上述事件信息实时地反映给进行晶片处理的第二处理工序。2.一种半导体器件制造系统,其特征在于,它具有 实行采用半导体基板的加工处理的处理装置;从上述处理装置取得上述处理装置的加工处理之中的作为处理内容信息的与晶片的 批号和晶片的处理履历有关的数据及加工处理之外的事件信息,推定上述加工处理的推定 质量值、推定上述加工处理的进行的自诊断系统; 检查上述加工处理结果的检查装置;比较上述检查结果与上述推定质量值,当对上述推定质量值作出有效判定时,维持上 述自诊断系统的参数,而当上述推定质量值为无效判定时则变更上述自诊断系统的参数的 计算机。3.一种半导体器件制造系统,其特征在于,它具有 实行采用半导体基板的加工处理的处理装置;作为处理装置的装置信息,从上述处理装置接收上述处理装置的加工处理之中的作为 处理内容信息的与晶片的批号和晶片的处理履历有关的数据及加工处理之外的事件信息, 推定上述加工处理的进行的自诊断系统; 检查上述加工处理结果的检查装置;根据上述检查结果判定是否自动修复上述处理装置,当判定结果为有效判定时维持 上述自诊断系统的参数,而当判定结果为无效判定时则变更上述自诊断系统的参数的计算 机。4.一种半导体器件制造系统,其特征在于它具有 实行半导体基板的加工处理的处理装置;作为处理装置的装置信息,从上述处理装置接收上述处理装置的加工处理之中的作为 处理内容信息的与晶片的批号和晶片的处理履历有关的数据及加工处理之外的事件信息, 基于自诊断参数诊断上述处理装置、上述加工处理的进行的自诊断装置; 检查加工处理的检查装置;与自诊断装置及检查装置连接,当半导体基板的检查结果有效时维持自诊断参数,而 当检查结果无效时变更自诊断参数的计算机。5.一种半导体器件制造系统,其特征在于它具有 实行半导体基板加工处理的处理装置;作为处理装置的装置信息,取得上述处理装置的加工处理之中的作为处理内容信息的与晶片的批号和晶片的处理履历有关的数据及加工处理之外的事件信息,在上述加工处理 的进行中推定上述半导体基板质量的质量推定部;对经过加工处理的半导体基板进行质量检查的质量检查装置;比较质量推定部的推定质量数据与质量检查装置实测的质量管理信息的比较器。6.一种半导体器件制造系统,其特征在于它具有 实行半导体基板加工处理的处理装置;作为处理装置的装置信息,取得上述处理装置的加工处理之中的作为处理内容信息的 与晶片的批号和晶片的处理履历有关的数据及加工处理之外的事件信息,在上述加工处理 的进行中输出上述半导体基板的推定质量信息的质量推定部; 输出经过处理的半导体基板的质量信息的质量检查装置; 实行推定质量信息与质量信息的质量相关处...
【专利技术属性】
技术研发人员:牛久幸广,柿沼英则,秋山龙雄,首藤俊次,安部正泰,小松茂,小川章,
申请(专利权)人:株式会社东芝,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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