非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构及其制造方法。一种非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构，其包括：衬底；在所述衬底上方由下至上依次堆叠的：栅层、栅介质层和沟道层；所述沟道层上表面的左右两侧分别设置源极层和漏极层；其中，所述栅层包括水平方向依次拼接的第一金属栅段、第二金属栅段和第三金属栅段，并且所述第二金属栅段和所述第三金属栅段的功函数都低于所述第二金属栅段的功函数。本发明专利技术大幅降低了IGZO TFT器件的漏电问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体管领域，特别涉及一种非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构及其制造方法。

技术介绍

1、动态随机存储器(dram)在云计算、边缘计算、物联网和人工智能的发展中发挥着至关重要的作用。近些年来，dram正面临着众所周知的“内存墙”问题，即cpu和内存之间的性能差异。同时，随着特征尺寸和芯片面积的微缩，传统1t1c dram架构中的晶体管和电容器的尺寸不断减小，1t1c dram正面临着泄漏电流增大，保持时间不断缩短，能耗增加等挑战。

2、铟-镓-锌-氧薄膜晶体管(igzo tft)具有低漏电、高迁移率、低温大面积沉积和低成本等特点，由igzo tft构成的无电容2t0c dram有望解决传统1t1c dram的“内存墙”问题。为了提高dram设备的保持时间，降低igzo tft的漏电流成为了新的挑战。

3、目前，降低igzo tft漏电常用的工艺方法是热退火工艺，修复材料缺陷，但其降低漏电的效果已经接近极限。

4、为此，提出本专利技术。

技术实现思路p>

1、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第二金属栅段的功函数与所述第一金属栅段的功函数的差值为0.05V～1.5V，所述第二金属栅段的功函数与所述第三金属栅段的功函数的差值为0.05V～1.5V。

3.根据权利要求1所述的非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一金属栅段仅被所述源极层覆盖，所述第三金属栅段仅被所述漏极层覆盖，所述第二金属栅段不被所述源极层和所述漏极层覆盖；

4.根据权利要求3所述的非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构...

【技术特征摘要】

1.一种非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第二金属栅段的功函数与所述第一金属栅段的功函数的差值为0.05v～1.5v，所述第二金属栅段的功函数与所述第三金属栅段的功函数的差值为0.05v～1.5v。

3.根据权利要求1所述的非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一金属栅段仅被所述源极层覆盖，所述第三金属栅段仅被所述漏极层覆盖，所述第二金属栅段不被所述源极层和所述漏极层覆盖；

4.根据权利要求3所述的非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构，所述第一金属栅段和第三金属栅段采用相同的金属。

5.根据权利要求1-4任一项所述的非对称三段栅金属氧化物薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，包运娇，许高博，颜刚平，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：