一种Mid com结构阵列基板工艺方法技术

一种Midcom结构阵列基板工艺方法，包括：在玻璃基板上形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层；涂布一层有机光阻，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔；沉积第一透明电极层、第四绝缘层，共用第五绝缘层的光罩，进行图案化开孔；形成第三金属层、第五绝缘层，并进行图案化开孔，该层绝缘层在面内作为像素电容；沉积第二透明电极层。本发明专利技术在不增加光罩成本情况下，优化工艺，共用第五绝缘层光罩，变更触控金属层与公共电极的成膜顺序，在前制程优先刻蚀掉像素电容以下的几道绝缘层，通过电极桥接的方式，有效避免了不同膜层干蚀刻残留的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示面板的制造，具体是指一种mid com结构阵列基板工艺方法。

技术介绍

1、现有已开发并应用于显示面板的阵列基板制造工艺，通常由多层金属层，无机非金属层以及透明电极层组合而成，不同膜层的堆叠顺序变化以及讯号走线设计多样化，会衍生出多种不同架构设计的显示驱动面板。例如需要10道mask制程的follow mid-com tic显示驱动面板，9道mask制程的followtop-comtic显示驱动面板等等，不同的显示面板其对应的显示功能及产品规格会有所不同。

2、igzotft在实际工业生产过程中采用传统的底栅结构，涉及的膜层结构常见的从下往上分别是栅极、绝缘层(siox)、igzo、源漏极、钝化层(siox)、公共电极、像素sinx、像素电极等等。不同膜质绝缘层结构，siox和sinx在过孔刻蚀过程中易出现过孔形貌异常，导致过孔连接异常无法导通，出现大比例的过孔相关不良。

3、现有技术的10道mask制程的follow mid-com tic显示驱动面板制备方法如下：

4、第一步：采用pvd方式在玻璃基本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Midcom结构阵列基板工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种Mid com结构阵列基板工艺方法，其特征在于：所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层，选用Mo/Al/Mo。

3.如权利要求1所述的一种Mid com结构阵列基板工艺方法，其特征在于：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层和所述第四绝缘层，选用SiOx。

4.如权利要求1所述的一种Mid com结构阵列基板工艺方法，其特征在于：所述有源层，选用IGZO。

5.如权利要求1所述的一种Mid com结构阵列基板工艺方法，其特征在于：...

【技术特征摘要】

1.一种midcom结构阵列基板工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种mid com结构阵列基板工艺方法，其特征在于：所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层，选用mo/al/mo。

3.如权利要求1所述的一种mid com结构阵列基板工艺方法，其特征在于：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层和所述第四绝缘层，选用...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，陈鑫，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：