【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于表征粒子束装置的屏蔽元件的方法、用于表征屏蔽元件的表征装置、粒子束装置以及相应的计算机程序。
技术介绍
1、已知的设备中，来自粒子束源的粒子束指向样本。例如，通过提供粒子束，可以在过程中观察样本(例如，用电子显微镜)。然而，也可以在粒子束诱导过程(例如，粒子束诱导蚀刻和/或沉积)中用粒子束照射样本。
2、这里已知的是在样本和粒子束源之间设置屏蔽元件。例如，屏蔽元件可以用于在空间上限制源自样本的电场。为此目的，屏蔽元件通常布置在离样本一定距离处(尽可能近)，使得电场对入射粒子束的影响可以保持得较低。特别地，如果粒子束具有可以与电场相互作用的带电粒子(例如，电子和/或离子)，则可以使用屏蔽元件。屏蔽元件可在空间上限制这种相互作用，因此例如可以最小化粒子束的不受控制的束偏转。
3、在de102020124307a1中描述了一种用粒子束分析和/或处理样本的装置。该装置具有屏蔽元件，用于屏蔽由样本上积累的电荷产生的电场，其中该屏蔽元件具有通孔，粒子束穿过该通孔到达样本。
4、然而，屏蔽元件可能...
【技术保护点】
1.一种用于表征粒子束装置(100)的屏蔽元件(C)的方法，所述屏蔽元件用于屏蔽样本位置和粒子束源(101)之间的电场，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述表征包括：捕获所述屏蔽元件(C)的拓扑，其中，所述拓扑是在所述屏蔽元件的面向所述样本位置的一侧捕获的。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，所述表征包括：至少部分地基于拓扑的目标状态和捕获的拓扑来确定拓扑中的异常。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，所述表征进一步包括：确定所述屏蔽元件是...
【技术特征摘要】
1.一种用于表征粒子束装置(100)的屏蔽元件(c)的方法，所述屏蔽元件用于屏蔽样本位置和粒子束源(101)之间的电场，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述表征包括：捕获所述屏蔽元件(c)的拓扑，其中，所述拓扑是在所述屏蔽元件的面向所述样本位置的一侧捕获的。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，所述表征包括：至少部分地基于拓扑的目标状态和捕获的拓扑来确定拓扑中的异常。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，所述表征进一步包括：确定所述屏蔽元件是否延伸到所述样本位置中。
6.根据权利要求3-5中任一项所述的方法，其中，所述表征装置包括用于测量所述拓扑的传感器(s1)，并且所述拓扑的捕获至少部分地基于使用所述传感器的拓扑测量。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述传感器(s1)包括共焦传感器，并且所述拓扑测量至少部分地基于共焦测量原理。
8.根据权利要求6-7中任一项所述的方法，其中，所述传感器(s1)包括干涉传感器，并且所述拓扑测量至少部分地基于干涉测量原理。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述表征装置(s2、s3)被定位在距所述屏蔽元件预定距离处；
10.根据权利要求9的方法，还包括：检测所述表征装置与所述屏蔽元件是否存在接触。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述表征装置至少部分地导电，并且所述检测包括：在存在接触的情况下，检测流经所述表征装置和所述屏蔽元件的电流。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的方法，还包括：在平行于...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·拉埃姆勒，M·布达赫，J·格恩特纳，FF·肖奇，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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