【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种抗反射层返工的方法。
技术介绍
1、darc(dielectric anti reflective coat)即抗反射电介质层，在半导体工艺中被用来降低表面的反射，以避免后续光刻的驻波效应导致的光刻刻蚀形貌不良。
2、在金属层表面使用的darc薄膜，如在生长过程中薄膜内部有颗粒(如图1所示)，会导致后续金属刻蚀后有金属残留(如图2所示)，导致最终al线间有短路。
3、面对这种darc薄膜内部有大量颗粒需要返工的情况，现有技术会使用氧化膜刻蚀设备将darc薄膜刻蚀，但表面仍会有大量的颗粒残留导致最终金属残留(如图3和图4所示)。
技术实现思路
1、为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供一种抗反射层返工的方法，用以有效去除抗反射层内部颗粒，使得器件满足良率管控要求。
2、本专利技术提供一种抗反射层返工的方法，包括以下步骤：
3、步骤一、提供抗反射层需返工的半导体结构，所述抗反射层覆盖在金属层表面；p>
4、步骤二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种抗反射层返工的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的抗反射层返工的方法，其特征在于，步骤一中所述金属层为欧姆接触金属。
3.根据权利要求2所述的抗反射层返工的方法，其特征在于，所述欧姆接触金属从下至上包括第一金属层Ti、第二金属层TiN、第三金属层Al、第四金属层Ti以及第五金属层TiN。
4.根据权利要求1所述的抗反射层返工的方法，其特征在于，步骤二中所述干法刻蚀设备为金属刻蚀设备或者氧化膜刻蚀设备。
5.根据权利要求1所述的抗反射层返工的方法，其特征在于，步骤三中所述湿法刻蚀采用稀硫酸或者
...【技术特征摘要】
1.一种抗反射层返工的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的抗反射层返工的方法，其特征在于，步骤一中所述金属层为欧姆接触金属。
3.根据权利要求2所述的抗反射层返工的方法，其特征在于，所述欧姆接触金属从下至上包括第一金属层ti、第二金属层tin、第三金属层al、第四金属层ti以及第五金属层tin。
4.根据权利要求1所述的抗反射层返工的方法，其特征在于，步骤二中所述干法刻蚀设备为金属刻蚀设备或者氧化膜刻蚀设备。
5.根据权利要求1所述的抗反射层返工的方法，其特征在于，步骤三中所述湿法刻蚀采用稀硫酸或者双氧水溶液。
6.根据权利要求3所述的抗反射层返工的方法，其特征在于，步骤四中所述去...
【专利技术属性】
技术研发人员：王剑敏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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