【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于耦合至电极的无匹配器等离子体源。
技术介绍
1、等离子体系统用于在晶片上执行各种操作。等离子体系统包含射频(rf)产生器、rf匹配器、以及等离子体室。rf产生器经由rf电缆而耦合至rf匹配器，且rf匹配器耦合至等离子体室。rf功率经由rf电缆及rf匹配器而提供至等离子体室，晶片在等离子体室中经受处理。此外，将一种或更多种气体供应至等离子体室，并且在接收到rf功率时于等离子体室内产生等离子体。
2、本专利技术中所描述的实施方案就是在该背景下产生。
技术实现思路
1、本专利技术的实施方案提供系统、设备、方法以及计算机程序，其用于提供无匹配器等离子体源以耦合至电极。应理解，可以许多方式实行本实施方案，例如处理、或设备、或系统、或一件硬件、或方法、或计算机可读媒体。以下描述若干实施方案。
2、在一些实施方案中，rf功率传送系统(例如无匹配器等离子体源)耦合至激发电极，激发电极可用于在使用rf功率的任何晶片制造室中产生或改变等离子体。例如，rf功率传送系统将...
【技术保护点】
1.一种系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述DC轨道包含DC电压源、第一晶体管和第二晶体管，其中所述DC电压源耦合到所述第一晶体管，并且所述第一晶体管耦合到所述第二晶体管。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一晶体管包含第一漏极端子和第一源极端子，其中所述第二晶体管包含第二漏极端子和第二源极端子，其中所述DC电压源耦合到所述第一漏极端子，其中所述第一源极端子耦合到所述第二漏极端子，并且所述第二源极端子耦合到地电位，其中所述输出位于所述第一源极端子和所述第二漏极端子之间。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述...
【技术特征摘要】
1.一种系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述dc轨道包含dc电压源、第一晶体管和第二晶体管，其中所述dc电压源耦合到所述第一晶体管，并且所述第一晶体管耦合到所述第二晶体管。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一晶体管包含第一漏极端子和第一源极端子，其中所述第二晶体管包含第二漏极端子和第二源极端子，其中所述dc电压源耦合到所述第一漏极端子，其中所述第一源极端子耦合到所述第二漏极端子，并且所述第二源极端子耦合到地电位，其中所述输出位于所述第一源极端子和所述第二漏极端子之间。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述电抗电路是电容器，其中所述电容器耦合到所述dc轨道的所述输出。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个电压值被提供以对所述放大方波形的包络进行整形。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述包络经整形以实现所述放大方波形的多个参数状态，其中每个所述参数状态提供相应的参数水平。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述电抗电路是与所述dc轨道的所述输出耦合的电容器或电感器。
8.一种等离子体系统，其包括：
9.根据权利要求8所述的等离子体系统，其中所述dc轨道包含dc电压源、第一晶体管和第二晶体管，其中所述dc电压源耦合到所述第一晶体管，并且所述第一晶体管耦合到所述第二晶体管。
10.根据权利要求9所述的等离子体系统，其中所述第一晶体管包含第一漏极端子和第一源极端子，其中所述第二晶体管包含第二漏极端子和第二源极端子，其中所述dc电压源耦合到所述第一漏极端子，其中所述第一源极端子耦合到所述第二漏极端子，并且所述第二源极端子耦合到地电位，其中所述输出位于所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙茂林，王雨后，里基·马什，亚历山大·帕特森，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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