显示面板制造技术

技术编号:40664250 阅读:19 留言:0更新日期:2024-03-18 18:58
提供了一种可以减少边框区域的显示面板。在所述显示面板中,扫描驱动器包括反相器,所述反相器将从输入信号生成的进位信号反相以输出扫描信号,并且所述反相器包括包括多晶硅半导体层的第一晶体管;以及包括氧化物半导体层的第二晶体管,所述第二晶体管被设置为在显示面板的厚度方向上与第一晶体管重叠,并且在厚度方向上彼此重叠的第一晶体管的栅极电极和第二晶体管的栅极电极彼此连接以构成接收进位信号的公共栅极电极。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种可以减少边框区域的显示面板


技术介绍

1、发光显示设备使用自发光元件,用于允许有机发光层通过电子和空穴的复合来发光,并且因此具有高亮度、低驱动电压和超薄膜的优点,并且可以以自由形状实现。

2、发光显示设备包括通过像素矩阵显示图像的显示面板和驱动显示面板的驱动电路。构成像素矩阵的每个像素由多个薄膜晶体管(tft)独立地驱动。

3、用于控制像素的晶体管的栅极驱动器可以设置在显示面板的边框区域中。由于栅极驱动器包括控制每个像素的开关晶体管的多个扫描驱动器和控制发光控制晶体管的发光控制驱动器,因此可以增加边框区域。

4、上述
技术介绍
的公开内容由本公开的专利技术人拥有以构思本公开,或者是通过构思本公开的过程获得的技术信息,但是可以不被视为在本公开被公开之前已向一般公众公开的已知技术。


技术实现思路

1、本公开涉及一种显示面板,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或多个问题。

2、本公开的一个或多个实施例的一个方面是提供一种可以减少边框区域的显本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示面板,包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述第一晶体管包括连接到所述多晶硅半导体层的第一电极和第二电极,

3.根据权利要求2所述的显示面板,其中所述多晶硅半导体层设置在基板上的下缓冲层上,

4.根据权利要求2所述的显示面板,其中所述第二晶体管的栅极电极被设置为与所述第一晶体管的栅极电极重叠,并且第一层间绝缘层覆盖所述第一晶体管的栅极电极,并且上缓冲层的第一子缓冲层设置在所述第一层间绝缘层上。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其中所述氧化物半导体层被设置为与所述第二晶体管的栅极电极重叠,并且所述上缓冲层的第二子缓冲层...

【技术特征摘要】

1.一种显示面板,包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述第一晶体管包括连接到所述多晶硅半导体层的第一电极和第二电极,

3.根据权利要求2所述的显示面板,其中所述多晶硅半导体层设置在基板上的下缓冲层上,

4.根据权利要求2所述的显示面板,其中所述第二晶体管的栅极电极被设置为与所述第一晶体管的栅极电极重叠,并且第一层间绝缘层覆盖所述第一晶体管的栅极电极,并且上缓冲层的第一子缓冲层设置在所述第一层间绝缘层上。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其中所述氧化物半导体层被设置为与所述第二晶体管的栅极电极重叠,并且所述上缓冲层的第二子缓冲层和第三子缓冲层介于所述第二晶体管的栅极电极与所述氧化物半导体层之间,

6.根据权利要求5所述的显示面板,其中所述反相器进一步包括:

7.根据权利要求6所述的显示面板,其中所述第二晶体管进一步包括上栅极电极,所述上栅极电极设置在所述第二栅极绝缘层上以与所述氧化物半导体层重叠,并且连接到所述第二晶体管的栅极电极。

8.根据权利要求1所述的显示面板,其中所述氧化物半导体层的沟道宽度大于所述多晶硅半导体层的沟道宽度。

9.根据权利要求2所述的显示面板,其中所述第一晶体管是p型晶体管,并且

10.根据权利要求9所述的显示面板,其中所述第一晶体管的第一电极连接到被提供有栅极高电压的第二电源线,并且

11.根据权利要求6所述的显示面...

【专利技术属性】
技术研发人员:金京洙
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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