半导体装置制造方法及图纸

实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备：第一电极；第二电极；第三电极，配置于第一电极与第二电极之间，沿第一方向延伸，具有第一部分和第二部分；第一导电型的第一半导体层，连接于第一电极，隔着绝缘层而与第一部分对置，且包含硅及碳；第一导电型的第二半导体层，连接于第二电极，包含硅及碳；第二导电型的第三半导体层，至少一部分配置于第一半导体层与第二半导体层之间，与第一半导体层及第二半导体层相接，隔着绝缘层而与第三电极对置，且包含硅及碳；第二导电型的第四半导体层，至少一部分配置于第一半导体层与第二部分之间，隔着绝缘层而与第二部分对置，与第三半导体层相接，包含硅及碳，且载流子浓度比第三半导体层的载流子浓度高。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

1、为了改善半导体装置的导通电阻与击穿电压的平衡，开发出了使用碳化硅作为半导体材料的半导体装置。在这样的半导体装置中，要求抑制因施加高电压而导致的损坏和提高动作的稳定性。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第三电极，其配置于所述第一电极与所述第二电极之间，沿第一方向延伸，且具有第一部分和第二部分；第一导电型的第一半导体层，其连接于所述第一电极，隔着绝缘层而与所述第一部分对置，且包含硅及碳；第一导电型的第二半导体层，其连接于所述第二电极，包含硅及碳；第二导电型的第三半导体层，其至少一部分配置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，与所述第一半导体层及所述第二半导体层相接，隔着所述绝缘层而与所述第三电极对置，且包含硅及碳；以及第二导电型的第四半导体层，其至少一部分配置于所述第一半导体层与所述第二部分之间，隔着所述绝缘层而与所述第二部分对置，与所述第三半导体层相接，包含硅及碳，且载流子浓度比所述第三半导体层的载流子浓度高。>

2、根据实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8....

【专利技术属性】
技术研发人员：田中克久，河野洋志，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：