具有非均匀间隔的阱的MPS二极管及其制造方法技术

本公开的各方面一般涉及MPS二极管及其制造方法。MPS二极管包括半导体主体，其包括有源区，其中有源区包括：第一导电类型的漂移区；以及不同于第一导电类型的第二导电类型的多个阱，多个阱相互间隔开，每个阱与漂移区形成相应PN结。MPS二极管还包括金属层组件，其布置在半导体主体的表面上并且包括至少一个金属层，金属层组件与漂移区一起形成多个肖特基接触并且与多个阱形成多个相应欧姆接触。在从有源区的中心向外的方向上，相邻布置的阱之间的间距增大。

【技术实现步骤摘要】

本公开的方面一般涉及mps二极管和用于制造这样的mps二极管的方法。

技术介绍

1、图1示出了现有技术已知的混合式pin肖特基(mps)二极管100的截面图。mps二极管100包括衬底101和布置在所述衬底101上的外延层102，它们一起形成半导体主体。外延层102包括漂移区103和多个阱104。漂移区103具有第一导电类型，即漂移区103具有n型掺杂和p型掺杂中的一种。阱104具有不同于第一导电类型的第二导电类型，即，与漂移区103相反的导电类型。

2、mps二极管100还包括布置在半导体主体上的金属层组件。在该示例中，金属层组件包括与漂移区103和阱104接触的第一金属层105a。第一金属层105a形成与漂移区103的多个肖特基接触，以及与阱104的多个欧姆接触。金属层组件可以包括第二金属层105b，其布置在第一金属层105a上并且可以形成mps二极管100的第一端子，该第一端子提供到mps二极管100的外部电气接入。此外，接触件106被布置在衬底101上，并且可以形成mps二极管100的第二端子，该第二端子提供到mps二极管100的外部电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种混合式PIN肖特基二极管(1)，包括：

2.根据权利要求1所述的混合式PIN肖特基二极管(1)，其中所述有源区包括内部区域(12a)以及围绕所述内部区域的扇出区域(12b)，在所述内部区域中，相邻布置的条带之间的间距实质上是恒定的，在所述扇出区域中，相邻布置的条带之间的间距在所述向外的方向上增加。

3.根据权利要求2所述的混合式PIN肖特基二极管(1)，其中所述有源区还包括围绕所述扇出区域(12b)的外部区域(12c)，在所述外部区域(12c)中，相邻布置的条带之间的间距实质上是恒定的，其中所述外部区域(12c)中相邻布置的条带之间的间距大于所述内部区域(...

【技术特征摘要】

1.一种混合式pin肖特基二极管(1)，包括：

2.根据权利要求1所述的混合式pin肖特基二极管(1)，其中所述有源区包括内部区域(12a)以及围绕所述内部区域的扇出区域(12b)，在所述内部区域中，相邻布置的条带之间的间距实质上是恒定的，在所述扇出区域中，相邻布置的条带之间的间距在所述向外的方向上增加。

3.根据权利要求2所述的混合式pin肖特基二极管(1)，其中所述有源区还包括围绕所述扇出区域(12b)的外部区域(12c)，在所述外部区域(12c)中，相邻布置的条带之间的间距实质上是恒定的，其中所述外部区域(12c)中相邻布置的条带之间的间距大于所述内部区域(12a)中相邻布置的条带之间的间距。

4.根据前述权利要求中任一项所述的混合式pin肖特基二极管(1)，其中在所述有源区的边缘处或所述有源区的边缘附近的相邻布置的阱(5)之间的间距比在所述有源区的中心处或所述有源区的中心附近的相邻布置的阱(5)之间的间距大至少50％，优选地大至少100％。

5.根据前述权利要求中任一项所述的混合式pin肖特基二极管(1)，其中在所述有源区的中心处或所述有源区的中心附近的相邻布置的阱(5)之间的间距在1μm至5μm之间的范围内，例如为2μm；并且其中在所述有源区的边缘处或所述有源区的边缘附近的相邻布置的阱(5)之间的间距在2μm至10μm之间的范围内，例如为4μm。

6.根据前述权利要求中任一项所述的混合式pin肖特基二极管(1)，其中所述漂移区(4)包括掺杂区(10)，所述掺杂区围绕所述多个阱(5)并且具有比所述漂移区(4)的其余部分中的掺杂浓度大的掺杂浓度，其中所述掺杂区(10)的掺杂剖面使得：对于每对相邻布置的阱(5)中的各个阱(5)，所述各个阱(5)之间的掺杂区(10)在施加到所述混合式pin肖特基二极管(1)的实质上相同的电压处变得耗尽。

7.根据权利要求6所述的混...

【专利技术属性】
技术研发人员：马西莫·卡塔尔多·马齐洛，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：