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具有非均匀间隔的阱的MPS二极管及其制造方法技术
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文档序号:40664241
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本公开的各方面一般涉及MPS二极管及其制造方法。MPS二极管包括半导体主体,其包括有源区,其中有源区包括:第一导电类型的漂移区;以及不同于第一导电类型的第二导电类型的多个阱,多个阱相互间隔开,每个阱与漂移区形成相应PN结。MPS二极管还包括...
该专利属于安世有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安世有限公司授权不得商用。
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