【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。
技术介绍
1、随着移动设备的不断发展，手机、平板电脑、可穿戴设备等带有电池供电的移动设备被越来越多地应用于生活中，存储器作为移动设备中必不可少的元件，人们对存储器的小体积、集成化提出了巨大的需求。
2、目前，动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)以其快速的传输速度被广泛应用于移动设备中。但是，随着半导体器件体积的不断缩小，单位面积中的字线结构越来越多，使得字线结构间的间距变小，字线结构间的寄生电容日益增大，半导体结构的功耗也随之增大。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可减小寄生电容，降低功耗，提高产品稳定性。
2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：
3、提供基底，所述基底包括衬底和绝缘介质层，所述衬底包括多个沿第一方向间隔分布的第一沟槽，所述绝缘介质层填充各所述第一沟槽；
4、对所述基底进行图案化蚀刻，以形成多个沿第二方向间隔分布的第二沟槽，所述第二方向与所述第一方向相交；
5、在各所述第二沟槽内分别形成字线结构；
6、在相邻的两个所述字线结构之间形成气隙；
7、对所述气
8、在本公开的一种示例性实施例中，所述形成方法还包括：
9、在相邻的所述字线结构之间形成绝缘层，所述气隙位于所述绝缘层内。
10、在本公开的一种示例性实施例中，形成所述绝缘层包括：
11、形成随形贴附于所述第二沟槽的侧壁的保护层；
12、在所述基底与所述保护层共同构成的结构的表面形成第一绝缘材料层；
13、在具有所述第一绝缘材料层的所述第二沟槽内形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的顶部低于所述第一绝缘材料层的顶部；
14、在所述第一绝缘层的顶部形成第二绝缘材料层；
15、对所述第二绝缘材料层的表面进行平坦化处理，以使所述第二绝缘材料层的顶部与所述衬底的表面齐平，剩余的所述第二绝缘材料层与所述第一绝缘材料层共同构成第二绝缘层；
16、对所述保护层及所述绝缘介质层进行回蚀刻，以形成绝缘空隙；
17、在所述绝缘空隙内填充绝缘材料，所述绝缘材料与所述第二绝缘层共同构成钝化层；
18、在垂直于所述衬底的方向上，去除预设厚度的所述保护层，以形成字线填充沟槽，所述字线填充沟槽未露出所述第二沟槽的底部。
19、在本公开的一种示例性实施例中，形成所述字线结构，包括：
20、在所述字线填充沟槽的底部及所述字线填充沟槽远离所述绝缘层的侧壁形成栅间介质层；
21、在具有所述栅间介质层的所述字线填充沟槽内填充第一导电材料，以形成字线结构。
22、在本公开的一种示例性实施例中，形成所述气隙，包括：
23、在形成所述字线结构后，对所述钝化层进行回蚀刻，直至露出所述第一绝缘层；
24、去除所述第一绝缘层，以形成所述气隙。
25、在本公开的一种示例性实施例中，对所述气隙进行封口，包括：
26、在具有所述气隙的所述钝化层的表面形成封口层，所述封口层至少覆盖所述气隙的开口。
27、在本公开的一种示例性实施例中，所述形成方法还包括：
28、在形成所述字线结构之前，所述第二沟槽的底部形成位线结构，所述位线结构横穿多个所述第二沟槽，且所述位线结构与所述字线结构绝缘设置。
29、在本公开的一种示例性实施例中，形成所述位线结构包括：
30、去除位于所述第二沟槽下方的所述衬底的部分材料，以在所述第二沟槽的下方形成第三沟槽，所述第三沟槽贯通各所述第二沟槽；
31、在所述第三沟槽内填充第二导电材料，以形成所述位线结构。
32、在本公开的一种示例性实施例中，所述保护层位于所述位线结构与所述字线结构之间，所述位线结构与所述字线结构通过所述保护层绝缘。
33、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：
34、基底，所述基底包括衬底和绝缘介质层，所述衬底包括多个沿第一方向间隔分布的第一沟槽和多个沿第二方向间隔分布的第二沟槽，所述绝缘介质层填充各所述第一沟槽，所述第二沟槽贯通各所述第一沟槽及其内部的所述绝缘介质层，所述第二方向与所述第一方向相交；
35、多个字线结构，分别形成于各所述第二沟槽内，且相邻的两个所述字线结构之间形成有气隙；
36、封口层，至少覆盖所述气隙的开口。
37、在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：
38、绝缘层，形成于相邻的所述字线结构之间，所述气隙位于所述绝缘层内。
39、在本公开的一种示例性实施例中，所述绝缘层包括：
40、保护层，位于所述第二沟槽的侧壁，且在垂直于所述衬底的方向上，所述保护层的顶部低于所述第二沟槽的顶表面；
41、钝化层，填满具有所述保护层的所述第二沟槽，且在垂直于所述衬底的方向上，所述钝化层远离所述保护层的一端形成有字线填充沟槽，所述气隙位于相邻的所述字线填充沟槽之间的所述钝化层内，且所述气隙与所述字线填充沟槽通过所述钝化层绝缘。
42、在本公开的一种示例性实施例中，所述字线结构包括：
43、栅间介质层，形成于所述字线填充沟槽的底部及所述字线填充沟槽远离所述绝缘层的侧壁；
44、第一导电层，填满于具有所述栅间介质层的所述字线填充沟槽。
45、在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：
46、位线结构，形成于所述第二沟槽的底部，所述位线结构横穿多个所述第二沟槽，且所述位线结构与所述字线结构绝缘设置。
47、在本公开的一种示例性实施例中，所述保护层位于所述位线结构与所述字线结构之间，所述位线结构与所述字线结构通过所述保护层绝缘。
48、根据本公开的一个方面，提供一种存储器，包括上述任意一项所述的半导体结构。
49、本公开的半导体结构及其形成方法、存储器，一方面，通过在衬底中形成第二沟槽，并将字线结构埋设在第二沟槽内，有助于节省结构空间，可提高器件集成度；另一方面，可在相邻两个字线结构之间形成气隙，由于气隙的介电常数较小，可有效降低字线结构之间的寄生电容，降低器件功耗；再一方面，通过对气隙进行封口，可将气隙封闭在相邻的字线结构之间，可避免最终形成的半导体结构在气隙的开口处断裂，可提高产品良率。
50、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述绝缘层包括：
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述字线结构，包括：
5.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述气隙，包括：
6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，对所述气隙进行封口，包括：
7.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述位线结构包括：
9.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述保护层位于所述位线结构与所述字线结构之间，所述位线结构与所述字线结构通过所述保护层绝缘。
10.一种半导体结构，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层包括
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构包括：
14.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层位于所述位线结构与所述字线结构之间，所述位线结构与所述字线结构通过所述保护层绝缘。
16.一种存储器，其特征在于，包括权利要求10-15任一项所述的半导体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述绝缘层包括：
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述字线结构，包括：
5.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述气隙，包括：
6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，对所述气隙进行封口，包括：
7.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述位线结构包括：
9.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述保护层位于所述位线结构与...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩清华，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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