本申请涉及显示技术领域，特别是一种发光器件及其制备方法和发光装置。以解决相关技术中电子注入层材料导电性较差，以及阴极到该电子注入层的势垒较大，不利于电子从阴极高效注入的问题。一种发光器件，包括：依次层叠设置的阳极、发光层和阴极，以及电子注入层，电子注入层设置于发光层和阴极之间，电子注入层的材料包括：二维片状材料；二维片状材料的化学通式表示为：M<subgt;n+1</subgt;X<subgt;n</subgt;Tz，其中，M选自Ti、Sr、V、Cr和Sc中的任一种，X包括：C和/或N，Tz包括：F<supgt;‑</supgt;，n为1～3的整数。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，特别是一种发光器件及其制备方法和发光装置。
技术介绍
1、近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)受到了广泛的关注。其色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点使得量子点发光二极管在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。
2、在量子点发光二极管中，由于氧化锌薄膜具备良好的导电性，非常利于电子传输到量子点发光层，目前，qled的电子传输层主要是氧化锌薄膜，但是，由qled器件的发光机理可知，相对于空穴而言，量子点发光器件中电子更快地注入到量子点发光材料中，因此，量子点发光二极管发光高效的关键在于提高电子的注入效率，使电子更加快速地注入到量子点发光材料中。
3、基于此，为了增加电子的传输，量子点发光二极管在制备过程中增加一层电子注入层，如氟化锂层，电子注入层的插入可以使电子能够隧穿进入到电子传输层中。但是，氟化锂材料的导电性较差，在将其作为电子注入层时其厚度较为敏感，且阴极到该电子注入层的势垒较大，不利于电子从阴极高效注入。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供一种发光器件及其制备方法和发光装置，用于解决相关技术中电子注入层材料导电性较差，以及阴极到该电子注入层的势垒较大，不利于电子从阴极高效注入的问题。
2、第一方面，提供一种发光器件，包括：
3、依次层叠设置的阳极、发光层和阴极；</p>4、电子注入层，设置于发光层和阴极之间，电子注入层的材料包括：二维片状材料；
5、二维片状材料的化学通式表示为：mn+1xntz，其中，m选自ti、sr、v、cr和sc中的任一种，x包括：c和/或n，tz包括：f-，n为1～3的整数。
6、可选的，电子注入层的材料还包括：m’的氧化物，m’选自ti、sr、v、cr和sc中的任一种；
7、其中，m’的氧化物形成在二维片状材料所形成的层结构且朝向阴极的表面；或者，m’的氧化物形成在二维片状材料的表面。
8、可选的，电子注入层的材料还包括：金属纳米颗粒，金属纳米颗粒为ag、al、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的至少一种，金属纳米颗粒的形成材料与阴极的形状材料相同；
9、其中，金属纳米颗粒形成在m’的氧化物的表面。
10、可选的，电子注入层的厚度为3～12nm；和/或，m’和m的材料选择相同。
11、可选的，mn+1xntz的结构式为ti3c2f2和v2cf中的任一种。
12、可选的，发光层的材料包括有机发光材料或量子点发光材料，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的tbpe荧光材料、发绿色光的ttpa荧光材料、发橙色光的tbrb荧光材料及发红色光的dbp荧光材料中的至少一种，所述量子点选自单一结构量子点、核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种；和/或，所述阴极的材料包括ag、al、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的至少一种；和/或，阳极的材料包括：ito、izo和ag中的一种或多种；发光器件还包括设置在电子注入层和发光层之间的电子传输层，电子传输层的材料包括：氧化锌纳米颗粒、cs2co3和alq3中的至少之一；和/或，发光器件还包括空穴传输层和空穴注入层；空穴传输层的材料包括：poly-tpd、tfb、nio、moo3中的至少之一；空穴注入层的材料包括：pedot：pss。
13、第二方面，提供一种发光器件的制备方法，包括：
14、依次形成层叠的阳极、发光层、电子注入层和阴极；或者，依次形成层叠的阴极、电子注入层、发光层和阳极；
15、其中，电子注入层的材料包括：二维片状材料；
16、二维片状材料的化学通式表示为：mn+1xntz，其中，m选自ti、sr、v、cr和sc中的任一种，x包括：c和/或n，tz包括：f-，n为1～3的整数。
17、可选的，形成电子注入层，包括：
18、在所述发光层或所述阴极上形成至少一层复合层，每层复合层包括沿厚度方向层叠的氟化锂层和max层；其中，max中m选自ti、sr、v、mo、zr、hf、nb、ta、cr、sc中的任一种，a选自第三主族金属中的任一种，x包括：c和/或n；
19、采用刻蚀液对至少一层复合层进行刻蚀，使刻蚀液与至少一层复合层发生反应，生成二维片状材料层。
20、可选的，方法还包括：
21、通过打印在二维片状材料层的上表面形成m’的氧化物的前驱溶液，m’选自ti、sr、v、cr和sc中的一种或多种；
22、使m’的氧化物的前驱溶液发生反应，在二维片状材料层的上表面形成m’的氧化物层。
23、可选的，方法还包括：
24、通过打印在m’的本文档来自技高网
...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料还包括：
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料还包括：
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述电子注入层的厚度为3～12nm；和/或
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述Mn+1XnTz的结构式为Ti3C2F2和V2CF中的任一种。
6.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点发光材料，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点选自单一结构量子点、核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；和/或
7.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述电子注入层，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
11.一种发光装置，其特征在于，包括：
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【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料还包括：
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料还包括：
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述电子注入层的厚度为3～12nm；和/或
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述mn+1xntz的结构式为ti3c2f2和v2cf中的任一种。
6.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点发光材料，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的tbpe荧光材料、发绿色光的ttpa荧光材料、发橙色光的tbrb荧光材料及发红色光的dbp荧光材料中的至少一种，所述量子点选自单一结构量子点、核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱佩，陈亚文，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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