【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及半导体技术，具体地，涉及包括形成切割槽的制造半导体芯片的方法及半导体器件。
2、半导体器件或集成电路集成在诸如晶圆的衬底上。多个半导体芯片可以通过对衬底进行切割而与已集成有半导体器件或集成电路的衬底分隔。半导体芯片可以包括半导体器件或集成电路。在切割衬底的工艺中，为了减少因切割而消耗的衬底消耗部分，提出了以使用激光的切割工艺代替刀片切割工艺的尝试。
3、在使用激光的切割工艺中，可能出现半导体芯片没有被切割的未切割故障。当发生未切割故障时，半导体芯片的角部分处的切割功率可能减小。随着半导体芯片的角部分处的切割功率减小，层剥离现象可能发生在半导体芯片的角部分处，或者可能发生切割故障，诸如半导体芯片的一些部分在不需要的方向上被切下的现象。为了减少这样的故障，正在尝试多种切割方法。
技术实现思路
1、本公开的一个实施例提供制造半导体芯片的方法，其包括：形成衬底，衬底包括位于半导体基底上的有源层和有机层；通过凹陷有源层的一些部分来形成切割槽，切割槽从第一切割线和第二切割线相交的点沿着第一切割线彼此面对延伸，衬底将沿着第一切割线和第二切割线被切割；在半导体基底内形成改性图案；以及通过将缝隙从改性图案传播到衬底中来将衬底切割成半导体芯片。
2、本公开的另一个实施例提供一种制造半导体芯片的方法，其包括：形成衬底，衬底包括位于半导体基底上的有源层和有机层，以及在衬底中，第一划道区域和第二划道区域相交以分割芯片区域；通过凹陷有源层的一些部分
3、本公开的另一个实施例提供半导体器件，其包括衬底，衬底包括位于半导体基底上的有源层和有机层，其中，在有源层中形成切割槽，切割槽从第一切割线和第二切割线相交的点沿着第一切割线彼此面对延伸，衬底将沿着第一切割线和第二切割线被切割。半导体器件还可以包括改性图案，所述改性图案在半导体基底内在沿着第一切割线和第二切割线的线中对齐，以及改性图案中的一些与切割槽重叠。
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1.一种制造半导体芯片的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述改性图案中的一些被形成为与所述切割槽重叠。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述改性图案被形成为沿着所述第一切割线和所述第二切割线对齐。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述改性图案包括将激光顺序地辐射到所述半导体基底的将设置所述改性图案的部分中。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切割槽还沿着所述第二切割线延伸，并且所述切割槽当在一平面上观察时具有交叉形状。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切割槽被形成为沿着所述第一切割线彼此间隔开。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，执行凹陷所述有源层的部分，使得所述有源层的剩余部分保留在所述切割槽的底部和所述半导体基底之间。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机层以包括开口部分的形状被形成在所述有源层上，所述开口部分沿着所述第一切割线和所述第二切割线延伸，使得暴露所述切割槽和所述有源层的设置在所
10.根据权利要求1所述的方法，其中：
11.一种制造半导体芯片的方法，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中：
13.根据权利要求11所述的方法，还包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述改性图案中的一些被形成为与所述切割槽重叠。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述改性图案被形成为沿着所述第一划道区域和所述第二划道区域对齐。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述改性图案包括将激光顺序地辐射到所述半导体基底的将设置所述改性图案的部分中。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述切割槽还沿着所述第二划道区域延伸，并且所述切割槽当在平面上观察时具有交叉形状。
18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述切割槽被形成为沿着所述第一划道区域彼此间隔开。
19.根据权利要求11所述的方法，其中，执行凹陷所述有源层的部分，使得所述有源层的剩余部分保留在所述切割槽的底部和所述半导体基底之间。
20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述有机层以包括沿着所述第一划道区域和所述第二划道区域延伸的开口部分的形状形成在所述有源层上，使得暴露所述切割槽和所述有源层的设置在所述切割槽之间的部分。
21.一种半导体器件，包括：
22.根据权利要求21所述的半导体器件，还包括改性图案，所述改性图案在所述半导体基底内沿着所述第一切割线和所述第二切割线对齐，并且所述改性图案中的一些与所述切割槽重叠。
23.一种半导体器件，包括：
24.根据权利要求23所述的半导体器件，其中，所述有源层的位于所述切割槽下方的剩余部分的厚度是所述半导体基底的厚度的20％或更小。
25.根据权利要求23所述的半导体器件，其中，所述隐形切割图案包括形成在所述半导体基底内的非晶硅或多晶硅。
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体芯片的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述改性图案中的一些被形成为与所述切割槽重叠。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述改性图案被形成为沿着所述第一切割线和所述第二切割线对齐。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述改性图案包括将激光顺序地辐射到所述半导体基底的将设置所述改性图案的部分中。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切割槽还沿着所述第二切割线延伸，并且所述切割槽当在一平面上观察时具有交叉形状。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切割槽被形成为沿着所述第一切割线彼此间隔开。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，执行凹陷所述有源层的部分，使得所述有源层的剩余部分保留在所述切割槽的底部和所述半导体基底之间。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机层以包括开口部分的形状被形成在所述有源层上，所述开口部分沿着所述第一切割线和所述第二切割线延伸，使得暴露所述切割槽和所述有源层的设置在所述切割槽之间的部分。
10.根据权利要求1所述的方法，其中：
11.一种制造半导体芯片的方法，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中：
13.根据权利要求11所述的方法，还包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述改性图案中的一些被形成为与所述切割槽重叠。
15.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李秉喆，金宗洙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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