一种半导体封装结构及其制备方法技术

本公开实施例公开了一种半导体封装结构及其制备方法，其中，所述半导体封装结构包括：第一基板；第一半导体芯片，与所述第一基板连接；第二半导体芯片堆叠结构，位于所述第一半导体芯片上；所述第二半导体芯片堆叠结构包括多个沿第一方向依次堆叠的第二半导体芯片；所述第二半导体芯片堆叠结构在沿第一方向的一侧形成有多个第二导电凸块；其中，所述第一方向为平行于所述第一基板的平面的方向；第二基板，所述第二基板内的信号线与所述第二导电凸块连接；沿垂直于所述第一基板的平面的方向，所述第二基板与所述第一基板连接。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及三维制程，尤其涉及一种半导体封装结构及其制备方法。

技术介绍

1、hbm存储器(high bandwidth memory)是一种基于3d堆栈工艺的高性能dram内存，与传统内存技术相比，hbm存储器具有更高带宽、更多i/o数量、更低功耗、更小尺寸，可应用于高性能计算、超级计算机、大型数据中心、人工智能/深度学习、云计算等领域。

2、hbm存储器技术主要是基于对处理器计算规模需求发展而来，在早期时候，人们对计算机数据处理要求不高，处理器架构模型层数较少，计算规模较小，算力也较低；后随着ai等技术的发展，对处理器要求越来越高，模型加深对算力需求相应增加，导致了带宽瓶颈，即i/o问题，此时通过增大片内缓存、优化调度模型来增加数据复用率等方式解决；但后期随着ai等技术普及，用户量增多，云端ai处理需求多用户、高吞吐、低延迟、高密度部署，计算单元剧增使i/o瓶颈愈加严重，此时，片上hbm存储器出现使ai/深度学习完全放到片上成为可能，集成度提升的同时，使带宽不再受制于芯片引脚的互联数量，从而在一定程度上解决了带宽和计算能力瓶颈。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕开敏，庄凌艺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：