【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本公开总体上涉及多芯片互连技术，并且更具体地涉及一种用于制造桥接多芯片组件结构的方法以及通过该方法制造的桥接多芯片组件结构。
2、当前的计算技术需要在多个芯片之间(诸如在中央处理单元(cpu)和存储器之间以及人工智能(ai)加速器和存储器之间)的高密度互连。用于互连多个芯片的一个结构是桥结构，其中多个芯片通过实现高密度互连的桥芯片连接。
3、嵌入式多芯片互连桥(emib)结构已经被用作用于互连多个芯片的结构，其中小的硅裸片(die)被嵌入在两个互连裸片的边缘下方的有机基板中。然而，这种结构具有组装问题。例如，由于芯片和有机基板之间热膨胀系数的差异，芯片和桥裸片之间的接合部周围的机械应力相对较大。这种机械应力可能会在芯片与有机基板之间的粘结工艺期间造成故障，这降低了封装产品的产率。因此，希望开发一种新颖的多芯片互连技术，该技术能够通过桥芯片连接多个芯片，同时减轻在芯片与桥芯片之间的接合部周围产生的机械应力。
技术实现思路
1、根据本专利技术的实施例，提...
【技术保护点】
1.一种制造桥接多芯片组件结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括：
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，固定所述多个芯片中的所述至少两个芯片的所述模制材料的一部分具有与所述多个芯片中的所述至少两个芯片的所述前表面齐平的表面。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，放置所述桥芯片包括：
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，沉积所述模制材料包括：
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种制造桥接多芯片组件结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括：
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，固定所述多个芯片中的所述至少两个芯片的所述模制材料的一部分具有与所述多个芯片中的所述至少两个芯片的所述前表面齐平的表面。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，放置所述桥芯片包括：
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，沉积所述模制材料包括：
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，沉积所述模制材料包括：
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：
12.一种桥接多芯片组件结构，包括：
13.根据权利要求12所述的桥接多芯片组件结构，进一步包括：
14.根据权利要求13所述的桥接多芯片组件结构，进一步包括：
15.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：青木丰广，久田隆史，堀部晃启，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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