【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、减小的压缩应力可增强半导体器件(诸如集成电路的半导体器件)的膜的器件性能。然而，减小压缩应力的常规尝试无意中减小了膜的模量，这可能导致摆动，可能以机械方式使膜变形，并且可能使器件性能降级。摆动是指膜以波浪模式移动。随着芯片设计不断涉及更快的电路系统和更大的电路密度，此类缺点可能变得更为明显。
2、因此，需要促进在减小膜的压缩应力的同时保持膜模量的改进的方法、系统和设备，以促进减小的摆动、减小的变形和增强的器件性能。
技术实现思路
1、本公开的实施例总体涉及用于将膜模量保持在预定模量范围内的方法、设备和系统。在可与其他实施例组合的一个实施例中，在实现膜的减小的压缩应力的同时，膜模量被保持在预定范围内。
2、在一个实施方式中，一种处理基板的方法包括将一种或多种处理气体引入处理腔室的处理空间中，以及在被支撑在设置于处理空间中的基板支撑件上的基板上沉积非晶碳硬模膜。所述方法包括向基板支撑件的一个或多个偏置电极同时供应第一射频(rf)功率和第二rf功率。第一r...
【技术保护点】
1.一种处理基板的方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一RF功率在1.5kW至1.7kW的第一功率范围内，并且所述第二RF功率在400W至600W的第二功率范围内。
3.如权利要求2所述的方法，其中：
4.如权利要求3所述的方法，其中所述乙炔(C2H2)和所述氦气(He)中的每一者的所述流动速率为150sccm。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶碳硬模膜沉积至3,000埃或更大的厚度。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二RF频率在所述第二RF频率除以所述第一RF频率的频率...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种处理基板的方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一rf功率在1.5kw至1.7kw的第一功率范围内，并且所述第二rf功率在400w至600w的第二功率范围内。
3.如权利要求2所述的方法，其中：
4.如权利要求3所述的方法，其中所述乙炔(c2h2)和所述氦气(he)中的每一者的所述流动速率为150sccm。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶碳硬模膜沉积至3,000埃或更大的厚度。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二rf频率在所述第二rf频率除以所述第一rf频率的频率比率范围内，并且所述频率比率范围为0.1至0.2。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述模量保持在模量比率，所述模量比率为所述模量除以所述非晶碳硬模膜的压缩应力的比率，并且所述模量比率为200或更大。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶碳硬模膜的压缩应力在500mpa至1500mpa的范围内。
9.一种非暂时性计算机可读介质，所述非暂时性计算机可读介质包括指令，所述指令在被执行时使系统：
10.如权利要求9所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述膜的压缩应力在500mpa至1500mpa的范围内。
11.如权利要求9所述的非暂时性计算机可读介质，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：许瑞元，P·曼纳，K·嘉纳基拉曼，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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