温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及一种制造半导体芯片的方法及半导体器件。制造半导体芯片的方法包括切割衬底的工艺。衬底包括在半导体基底上的有源层和有机层。通过凹陷有源层的一些部分来形成切割槽，切割槽从第一切割线和第二切割线相交的点沿着第一切割线彼此面对延伸，衬底将沿...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。