半导体装置制造方法及图纸

实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备：第一电极；第二电极，配置在所述第一电极上；半导体部分，配置在所述第一电极与所述第二电极之间；第一布线，配置在所述半导体部分与所述第二电极之间；第三电极，配置在所述半导体部分内，与所述半导体部分隔离，具有环状部和从所述环状部向所述环状部的内侧延伸的延伸部；第四电极，在所述半导体部分内的比所述第三电极靠下方且在与上下方向垂直的平面上配置在所述环状部的内侧，与所述半导体部分隔离；第一插塞，将所述第二电极与所述第四电极连接；以及第二插塞，将所述第一布线与所述延伸部连接。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

1、为了能够提高耐压或降低导通电阻，已知有具备点状的场板电极(以下，称为“fp电极”)的半导体装置。在这样的半导体装置中，为了实现动作的高速化，要求降低寄生电容。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极，配置在所述第一电极上；半导体部分，配置在所述第一电极与所述第二电极之间；第一布线，配置在所述半导体部分与所述第二电极之间；第三电极，配置在所述半导体部分内，与所述半导体部分隔离，具有环状部和从所述环状部向所述环状部的内侧延伸的延伸部；第四电极，在所述半导体部分内的比所述第三电极靠下方且在与上下方向垂直的平面上配置在所述环状部的内侧，与所述半导体部分隔离；第一插塞，将所述第二电极与所述第四电极连接；以及第二插塞，将所述第一布线与所述延伸部连接。

2、根据本实施方式，能够提供能够降低寄生电容的半导体装置。

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7....

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤浩朗，宫下桂，下村纱矢，可知刚，西胁达也，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：