【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体存储器装置，更具体地，涉及一种包括竖直沟道晶体管的半导体存储器装置。
技术介绍
1、随着半导体存储器装置变得越来越高度集成，包括在半导体存储器装置中的半导体装置正变得高度集成。因此，为了实现半导体装置的高度集成，引入了竖直地形成在半导体基板上的竖直沟道晶体管，来代替平面地形成在半导体基板上的平面沟道晶体管。
技术实现思路
1、一个或多个示例实施例提供了一种包括高度集成的竖直沟道晶体管的半导体存储器装置。
2、根据示例实施例的一方面，一种半导体存储器装置包括：基板；
3、多条导线，其在基板上在第一水平方向上延伸并且在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开；第一单元堆叠件，其在多条导线中的每一条上，并且包括多个第一竖直晶体管结构和多个第一连接接触件；第二单元堆叠件，其在第一单元堆叠件上并且包括多个第二竖直晶体管结构和多个第二连接接触件；以及多个电容器结构，其在第二单元堆叠件上并且连接到多个第一竖直晶体管结构和多个第二竖直晶体管结构，其中，多个第一连接接触件中的每一个与多个第一竖直晶体管结构之一相邻并且在多个第二竖直晶体管结构之一下方，并且将多条导线之一电连接到多个第二竖直晶体管结构之一，并且其中，多个第二连接接触件中的每一个与多个第二竖直晶体管结构之一相邻并且在多个第一竖直晶体管结构之一上，并且将多个第一竖直晶体管结构之一电连接到多个电容器结构之一。
4、根据示例实施例的一方面，一种半导体存储器装置包括：基板；导线，其在基板上在
5、根据示例实施例的一方面，一种半导体存储器装置包括：导线，其设置在基板上并且在水平方向上延伸；第一单元堆叠件，其在导线上并且包括第一竖直晶体管结构、围绕第一竖直晶体管结构的第一层间绝缘层、以及与第一竖直晶体管结构相邻并穿过第一层间绝缘层的第一连接接触件，第一竖直晶体管结构包括具有在竖直方向上延伸的至少一部分的第一沟道层、第一栅电极、以及在第一沟道层和第一栅电极之间的第一栅极介电层；第二单元堆叠件，其在第一单元堆叠件上并且包括第二竖直晶体管结构、围绕第二竖直晶体管结构的第二层间绝缘层、以及与第二竖直晶体管结构相邻并穿过第二层间绝缘层的第二连接接触件，第二竖直晶体管结构包括具有在竖直方向上延伸的至少一部分的第二沟道层、第二栅电极、以及在第二沟道层和第二栅电极之间的第二栅极介电层；以及多个电容器结构，其在第二单元堆叠件上并且包括电连接到第一沟道层和第二沟道层的多个下电极、上电极、以及在多个下电极和上电极之间的电容器介电层，其中，第一竖直晶体管结构和第二连接接触件在竖直方向上布置在导线和多个下电极中的一个之间并且彼此串联连接，其中，第一连接接触件和第二竖直晶体管结构在竖直方向上布置在导线和多个下电极中的另一个之间并且彼此串联连接，并且其中，第一沟道层和第二沟道层被设置为在竖直方向上彼此不交叠。
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1.一种半导体存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构中的每一个包括具有在竖直方向上延伸的至少一部分的第一沟道层、第一栅电极、以及在所述第一沟道层和所述第一栅电极之间的第一栅极介电层，
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构和所述多个第一连接接触件在所述第一水平方向上交替地布置，并且
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构中的每一个中的第一沟道层具有L形竖直截面，并且
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构中的每一个中的第一沟道层和所述多个第二竖直晶体管结构中的每一个中的第二沟道层各自具有I形竖直截面。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构中的每一个中的第一栅极介电层和所述多个第二竖直晶体管结构中的每一个中的第二栅极介电层各自具有L形竖直截面或反向L形竖直截面。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构当中的一个第一竖直晶体管结构中所包括的第一沟道层和所述多个第二竖直晶体管结构当中的一个第二竖直晶体管结构中所包括的第二沟道层当中的一个沟道层具有L形竖直截面，另一沟道层具有反向L形竖直截面，并且
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构当中的一个第一竖直晶体管结构中所包括的第一沟道层和所述多个第二竖直晶体管结构当中的一个第二竖直晶体管结构中所包括的第二沟道层中的每一个具有L形竖直截面或反向L形竖直截面，并且
10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一连接接触件当中的一对第一连接接触件在所述多个第一竖直晶体管结构当中的一对第一竖直晶体管结构之间，
11.一种半导体存储器装置，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述第一竖直晶体管结构包括具有在所述竖直方向上延伸的至少一部分的第一沟道层、第一栅电极、以及在所述第一沟道层和所述第一栅电极之间的第一栅极介电层，
13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，所述第一竖直晶体管结构的第一沟道层和所述第二竖直晶体管结构的第二沟道层关于所述竖直方向在所述水平方向上具有实质上镜像对称的竖直截面。
14.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，所述第一竖直晶体管结构的第一沟道层和所述第二竖直晶体管结构的第二沟道层中的一个具有L形竖直截面，并且另一个具有反向L形竖直截面。
15.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，所述第一竖直晶体管结构的第一沟道层和所述第二竖直晶体管结构的第二沟道层具有相同形状的竖直截面。
16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述第一竖直晶体管结构的第一沟道层和所述第二竖直晶体管结构的第二沟道层中的每一个具有L形竖直截面或反向L形竖直截面。
17.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述第一竖直晶体管结构的第一沟道层和所述第二竖直晶体管结构的第二沟道层中的每一个具有I形竖直截面。
18.一种半导体存储器装置，包括：
19.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，其中，所述第一栅极介电层和所述第二栅极介电层中的每一个具有L形竖直截面或反向L形竖直截面，并且
20.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构中的每一个包括具有在竖直方向上延伸的至少一部分的第一沟道层、第一栅电极、以及在所述第一沟道层和所述第一栅电极之间的第一栅极介电层，
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构和所述多个第一连接接触件在所述第一水平方向上交替地布置，并且
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构中的每一个中的第一沟道层具有l形竖直截面，并且
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构中的每一个中的第一沟道层和所述多个第二竖直晶体管结构中的每一个中的第二沟道层各自具有i形竖直截面。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构中的每一个中的第一栅极介电层和所述多个第二竖直晶体管结构中的每一个中的第二栅极介电层各自具有l形竖直截面或反向l形竖直截面。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构当中的一个第一竖直晶体管结构中所包括的第一沟道层和所述多个第二竖直晶体管结构当中的一个第二竖直晶体管结构中所包括的第二沟道层当中的一个沟道层具有l形竖直截面，另一沟道层具有反向l形竖直截面，并且
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个第一竖直晶体管结构当中的一个第一竖直晶体管结构中所包括的第一沟道层和所述多个第二竖直晶体管结构当中的一个第二竖直晶体管结构中所包括的第二沟道层中的每一个具有l形竖直截面或反向l形竖直截面，并且
10.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：李钟武，朴梗镺，张志熏，朴桐湜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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