【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及磁存储装置及其制造方法。
技术介绍
1、已知有使用了磁阻效应元件来作为存储元件的磁存储装置(mram：magnetoresistive random access memory，磁阻随机访问存储器)。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题在于，提供降低磁阻效应元件的加工难易度的磁存储装置及其制造方法。
2、实施方式涉及的磁存储装置包括：第1布线，其在第1方向上延伸；第2布线，其在第1方向上延伸，在与第1方向交叉的第2方向上与第1布线排列配置；第1开关元件，其设置在第1布线上；第2开关元件，其设置在第2布线上；第1绝缘层，其与第1开关元件设置在同一层，包围第1开关元件；第2绝缘层，其与第2开关元件设置在同一层，包围第2开关元件，没有与第1绝缘层接触；第1导电体，其设置在第1开关元件及第1绝缘层上；第2导电体，其设置在第2开关元件及第2绝缘层上；第1磁阻效应元件，其设置在第1导电体上；以及第2磁阻效应元件，其设置在第2导电体上。
【技术保护点】
1.一种磁存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的磁存储装置，
3.根据权利要求2所述的磁存储装置，
4.根据权利要求1所述的磁存储装置，
5.根据权利要求1所述的磁存储装置，
6.根据权利要求1所述的磁存储装置，
7.根据权利要求1所述的磁存储装置，
8.根据权利要求1所述的磁存储装置，还具备：
9.根据权利要求1所述的磁存储装置，
10.一种磁存储装置，具备：
11.根据权利要求10所述的磁存储装置，
12.根据权利要求10所述的磁
<...【技术特征摘要】
1.一种磁存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的磁存储装置，
3.根据权利要求2所述的磁存储装置，
4.根据权利要求1所述的磁存储装置，
5.根据权利要求1所述的磁存储装置，
6.根据权利要求1所述的磁存储装置，
7.根据权利要求1所述的磁存储装置，
8.根据权利要求1所述的磁存储装置，还具备：
9.根据权利要求1所述的磁存储装置，
10.一种磁存储装置，具备：
11.根据权利要求10所述的磁存储装置，
【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚太一，伊藤雄一，北川英二，岩山昌由，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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