【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及半导体器件。
技术介绍
1、磁阻存储器件是非易失性存储器件，其使用磁隧道结图案读写数据，该磁隧道结图案包括两个磁性构件和插置在其间的绝缘层。磁隧道结图案的电阻值可以根据两个磁性构件的磁化方向而变化，并且可以利用电阻值的差异来编程或擦除数据。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一些方面是为了提供具有改善的电气特性和可靠性的半导体器件。
2、根据本专利技术构思的一些方面，一种半导体器件包括：蚀刻停止层；在蚀刻停止层上的绝缘层；以及穿过蚀刻停止层和绝缘层的接触结构，接触结构包括第一导电层、具有面向第一导电层的侧表面和下表面的第二导电层、在第二导电层的上表面上的第三导电层、以及在第一导电层和第二导电层之间以及在第二导电层和第三导电层之间的自然氧化物膜，第一至第三导电层包括金属或金属氮化物，以及自然氧化物膜包括金属氧化物。
3、根据本专利技术构思的一些方面，一种半导体器件包括：衬底；在衬底上的下部结构；在下部结构上的蚀刻停止层；在蚀刻停止层上的绝缘层；穿过蚀刻停止层和绝缘层的接触结构；以及包括顺序堆叠在接触结构上的下电极、磁隧道结图案和上电极的信息存储结构，并且接触结构包括第一导电层、在穿过第一导电层的开口中的第二导电层、在开口中在第二导电层上的第三导电层、以及围绕第二导电层的自然氧化物膜。
4、根据本专利技术构思的一些方面，一种半导体器件包括：布线；在布线上的绝缘层；以及穿过绝缘层的接触结构，接触结构包括第一导电层、在穿过第一导电层的开
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电层包括与所述第一导电层的材料相同的材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第三导电层包括与所述第一导电层的材料相同的材料。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第三导电层包括与所述第一导电层的材料不同的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电层与所述蚀刻停止层水平重叠。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电层与所述蚀刻停止层和所述绝缘层水平重叠。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电层与所述绝缘层水平重叠。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述自然氧化物膜进一步包括在所述第一导电层和所述第三导电层之间的部分。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三导电层的上表面在与所述第一导电层的上表面的水平相同的水平上。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电层的高度大于或等于所述第一导电层的宽度的25％且小于或等于所述第一导电层的所述宽度的200％。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述自然氧化物膜的宽度大于或等于且小于或等于
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述自然氧化物膜的上表面和下表面被弯曲成向下凸起。
15.一种半导体器件，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述第二导电层和所述自然氧化物膜与所述磁隧道结图案垂直重叠。
18.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述磁隧道结图案的下表面和所述第二导电层的下表面之间的距离大于所述磁隧道结图案的所述下表面和所述第三导电层的下表面之间的距离。
19.一种半导体器件，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电层包括与所述第一导电层的材料相同的材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第三导电层包括与所述第一导电层的材料相同的材料。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第三导电层包括与所述第一导电层的材料不同的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电层与所述蚀刻停止层水平重叠。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电层与所述蚀刻停止层和所述绝缘层水平重叠。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电层与所述绝缘层水平重叠。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述自然氧化物膜进一步包括在所述第一导电层和所述第三导电层之间的部分。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三导电层的上表面在与所述第一导电层的上表面的水平相同的水平上。...
【专利技术属性】
技术研发人员：裵丙才，高昇必，金仁皓，郑炯钟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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