【技术实现步骤摘要】
本公开的多种实施例涉及半导体技术，具体地涉及包括两个或更多个堆叠半导体结构的半导体器件。
技术介绍
1、即使电子产品的尺寸变得越来越小，其也需要高的数据处理能力。因此，这些电子产品中使用的诸如半导体芯片和晶片的半导体结构也需要变得小而薄。此外，正在实现将多个半导体结构嵌入一个半导体器件中的形式。
2、多个半导体结构可以在沿竖直方向堆叠的同时彼此电连接。
技术实现思路
1、在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一半导体结构，其包括第一导电层和与所述第一导电层连接的四个第一接合焊盘；以及第二半导体结构，其包括第二导电层和与所述第二导电层连接的四个第二接合焊盘，其中，所述四个第一接合焊盘被配置为被设置为具有相应的中心，相应的中心均与由在第一方向上平行地延伸的两个虚拟的第一直线和在与所述第一方向交叉的第二方向上平行地延伸的两个虚拟的第二直线形成的四个交点重叠，其中，所述四个第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘具有由所述第一直线和所述第二直线划分的四个象限，并且其中，当所述第一半导体结构和所述第二半导体结构正常对齐时，所述四个第二接合焊盘被配置为被设置为具有从所述四个第一接合焊盘的相应的中心朝着不同的象限的方向移位的相应的中心。
2、在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一半导体结构，其包括第一导电层和多个第一接合焊盘；以及第二半导体结构，其包括第二导电层和多个第二接合焊盘，其中，所述多个第一接合焊盘与所述第一导电层连接以及所述多个第二接合焊盘与所述第二导电层连接
3、在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一半导体结构，其包括第一导电层和与所述第一导电层连接的四个第一接合焊盘；以及第二半导体结构，其包括第二导电层和与所述第二导电层连接的四个第二接合焊盘，其中，当所述第一半导体结构和所述第二半导体结构正常对齐时，所述四个第一接合焊盘被配置为被设置为具有从所述四个第二接合焊盘的相应的中心移位的相应的中心，并且其中，即使所述第一半导体结构与所述第二半导体结构未对齐，所述四个第一接合焊盘与所述四个第二接合焊盘的总接触面积也被保持。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述四个第二接合焊盘分别与所述四个第一接合焊盘的不同的象限部分地重叠。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述四个第一接合焊盘与所述四个第二接合焊盘之间的重叠面积彼此相同。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述四个第一接合焊盘和所述四个第二接合焊盘形成金属对金属接合。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述四个第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘和所述四个第二接合焊盘中的每个第二接合焊盘在平面图中具有相同的面积和形状。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，每个第一接合焊盘的与对应的第二接合焊盘重叠的面积和所述第二接合焊盘的与所述第一接合焊盘重叠的面积实质上相同。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述四个第一接合焊盘和所述四个第二接合焊盘在平面图中具有方形的形状，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述四个第一接合焊盘和所述四个第
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一接合焊盘的与所述第二接合焊盘重叠的面积和所述第二接合焊盘的与所述第一接合焊盘重叠的面积彼此不同。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘在平面图中具有不同的形状。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一接合焊盘的与所述第二接合焊盘重叠的面积和所述第二接合焊盘的与所述第一接合焊盘重叠的面积彼此不同。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当所述第一半导体结构和所述第二半导体结构未对齐时，所述四个第一接合焊盘与所述四个第二接合焊盘之间的总重叠面积被保持。
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构还包括一个或多个第一导电层，以及所述四个第一接合焊盘与所述一个或多个第一导电层中的每个第一导电层连接。
15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当所述四个第一接合焊盘形成接合焊盘组时，所述第一导电层与一个或多个接合焊盘组连接。
16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构包括相同类型的存储器。
17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构包括不同类型的存储器。
18.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中的一个半导体结构包括存储器，以及所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中的另一个半导体结构包括用于驱动所述存储器的外围电路。
19.根据权利要求1所述的半导体器件，当所述第一半导体结构和所述第二半导体结构正常对齐时，所述第一导电层的中心和所述第二导电层的中心彼此重叠。
20.根据权利要求13所述的半导体器件，当所述第一半导体结构和所述第二半导体结构未对齐时，所述第一导电层和所述第二导电层的中心中的一个中心在从所述第一导电层和所述第二导电层的中心中的另一中心起的预定限度之内移位。
21.一种半导体器件，包括：
22.一种半导体器件，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述四个第二接合焊盘分别与所述四个第一接合焊盘的不同的象限部分地重叠。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述四个第一接合焊盘与所述四个第二接合焊盘之间的重叠面积彼此相同。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述四个第一接合焊盘和所述四个第二接合焊盘形成金属对金属接合。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述四个第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘和所述四个第二接合焊盘中的每个第二接合焊盘在平面图中具有相同的面积和形状。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，每个第一接合焊盘的与对应的第二接合焊盘重叠的面积和所述第二接合焊盘的与所述第一接合焊盘重叠的面积实质上相同。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述四个第一接合焊盘和所述四个第二接合焊盘在平面图中具有方形的形状，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述四个第一接合焊盘和所述四个第二接合焊盘在平面图中具有不同的面积。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一接合焊盘的与所述第二接合焊盘重叠的面积和所述第二接合焊盘的与所述第一接合焊盘重叠的面积彼此不同。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘在平面图中具有不同的形状。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一接合焊盘的与所述第二接合焊盘重叠的面积和所述第二接合焊盘的与所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴振源，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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