【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式总体上涉及包括晶体管的电子装置，更具体地，涉及一种互补金属氧化物半导体(cmos)装置、制造该cmos装置的方法和包括该cmos装置的半导体存储器装置。
技术介绍
1、半导体存储器装置大致被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置即使当供电中断时也可保留所存储的数据。非易失性存储器装置使用非易失性存储器。非易失性存储器的示例包括只读存储器(rom)、掩模rom(mrom)、可编程rom(prom)、可擦除可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存、相变随机存取存储器(pram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、铁电ram(fram)等。闪存被分类为nor型或nand型。
3、nand闪存单元的操作可通过外围电路结构控制。外围电路结构可包括互补金属氧化物半导体(cmos)结构以控制nand闪存的各种操作(例如，编程操作、读操作和擦除操作)。作为外围电路结构提供的cmos结构可包括高压晶体管和低压晶体管。在这些晶体管中，至少一个高压晶体管需要能够稳定地提供编程操作和擦除操作所需的高电压。
技术实现思路
1、根据本公开的实施方式是一种互补金属氧化物半导体(cmos)装置。该cmos装置可包括：半导体基板；沟槽，其形成在半导体基板中；氧化物半导体层，其设置在沟槽中，该氧化物半导体层包括源极区域、漏极区域以及在源极区域和漏极区域之间的沟道区域；缓冲层，其位于氧化物半导体层和半导
2、根据本公开的实施方式是一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置可包括：外围电路结构，其包括在半导体基板中的沟槽中对准的晶体管；导电第一连接结构，其联接到外围电路结构并且包括第一接合焊盘；导电第二连接结构，其包括联接到第一接合焊盘的第二接合焊盘；以及存储器单元阵列，其联接到导电第二连接结构。晶体管可包括：氧化物半导体层，该氧化物半导体层设置在沟槽中，该氧化物半导体层包括源极区域、漏极区域以及在源极区域和漏极区域之间的沟道区域；缓冲层，其位于氧化物半导体层和半导体基板之间；栅极绝缘层，其位于氧化物半导体层上；栅电极，其设置在氧化物半导体层的沟道区域上方的栅极绝缘层上；以及杂质，其分布在氧化物半导体层的源极区域和漏极区域中的每一个中。
3、根据本公开的实施方式是一种制造cmos装置的方法。该方法可包括以下步骤：在包括第一区域和第二区域的半导体基板的第一区域中形成沟槽；沿着沟槽的表面形成缓冲层；在沟槽中的缓冲层上形成氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括源极区域、漏极区域以及在源极区域和漏极区域之间的沟道区域；在氧化物半导体层上形成栅极绝缘层；将杂质注入到氧化物半导体层的源极区域和漏极区域中；以及在氧化物半导体层的沟道区域上方的栅极绝缘层上形成栅电极。
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1.一种互补金属氧化物半导体CMOS装置，该CMOS装置包括：
2.根据权利要求1所述的CMOS装置，其中，所述半导体基板包括：第一区域，其包括所述沟槽；以及第二区域，其掺杂有阱杂质。
3.根据权利要求2所述的CMOS装置，该CMOS装置还包括：
4.根据权利要求1所述的CMOS装置，其中，所述氧化物半导体层包括能带隙大于所述半导体基板的能带隙的材料。
5.根据权利要求4所述的CMOS装置，其中，
6.根据权利要求1所述的CMOS装置，其中，所述缓冲层包括氧化铝Al2O3和二氧化硅SiO2中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的CMOS装置，其中，所述氧化物半导体层包括氧化镓Ga2O3。
8.根据权利要求1所述的CMOS装置，其中，所述氧化物半导体层包括具有β相的氧化镓Ga2O3。
9.根据权利要求1所述的CMOS装置，其中，所述沟道区域在所述氧化物半导体层的所述源极区域和所述漏极区域之间具有凹陷结构，使得在所述源极区域和所述漏极区域之间限定凹陷区域。
10.根据权利要求9
11.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述半导体基板包括：第一区域，其包括所述沟槽；以及第二区域，其掺杂有阱杂质。
13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，所述外围电路结构还包括：
14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述缓冲层包括氧化铝Al2O3和二氧化硅SiO2中的至少一种。
15.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述氧化物半导体层包括氧化镓Ga2O3。
16.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述氧化物半导体层包括具有β相的氧化镓Ga2O3。
17.一种制造CMOS装置的方法，该方法包括以下步骤：
18.根据权利要求17所述的方法，该方法还包括以下步骤：
19.根据权利要求17所述的方法，该方法还包括以下步骤：
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述氧化物半导体层形成为包括能带隙大于所述半导体基板的能带隙的材料。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，
22.根据权利要求17所述的方法，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种互补金属氧化物半导体cmos装置，该cmos装置包括：
2.根据权利要求1所述的cmos装置，其中，所述半导体基板包括：第一区域，其包括所述沟槽；以及第二区域，其掺杂有阱杂质。
3.根据权利要求2所述的cmos装置，该cmos装置还包括：
4.根据权利要求1所述的cmos装置，其中，所述氧化物半导体层包括能带隙大于所述半导体基板的能带隙的材料。
5.根据权利要求4所述的cmos装置，其中，
6.根据权利要求1所述的cmos装置，其中，所述缓冲层包括氧化铝al2o3和二氧化硅sio2中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的cmos装置，其中，所述氧化物半导体层包括氧化镓ga2o3。
8.根据权利要求1所述的cmos装置，其中，所述氧化物半导体层包括具有β相的氧化镓ga2o3。
9.根据权利要求1所述的cmos装置，其中，所述沟道区域在所述氧化物半导体层的所述源极区域和所述漏极区域之间具有凹陷结构，使得在所述源极区域和所述漏极区域之间限定凹陷区域。
10.根据权利要求9所述的cmos装置，其中，所述栅电极包括设置在所述栅极绝缘层上的所述凹陷区域中的一部分。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李东旭，梁海昌，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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