【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。
技术介绍
1、功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧化层半导体场效应管)器件，出于并联元胞结构一致性考虑，通常采用沟道自对准技术保证元胞的均匀及一致性。而对于sic mosfet器件，因sic材料加工特性原因，平面型器件结构的自对准工艺通常采用二氧化硅来作为沟道侧墙注入的自对准掩膜介质。通过在p阱结构掩模注入后，使用相同掩膜结构通过进一步淀积一定厚度(根据沟道长度要求)氧化层，回刻形成侧墙结构，掩膜注入n型杂质，掺杂sic后与p阱结构形成mosfet元胞结构。为了保证氧化层刻蚀干净，无残留，不影响nsd(n source drain，n型源漏)注入，需要一定过刻蚀。过刻蚀通常会对衬底sic外延层产生刻蚀损失，在p阱掩膜结构底部形成台阶，后续栅氧化层的形成过程容易出现台阶，鼓包等结构，使沟道位置附近的栅氧及沟道形貌难以保持稳定，导致阈值电压、导通电阻等参数一致性难以保证。
2、因此，亟需一种避免在形成p阱的掩膜结构底部形成台阶的方法。
3、在
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部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
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的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，以解决现有技术
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底表面上的外延层、位于所述外延层的远离所述衬底的部分表面上的掩膜部以及位于所述掩膜部两侧的所述外延层中的p-源区；在所述基底的裸露表面上依次形成介质层和氧化层；去除部分所述介质层与部分所述氧化层，形成侧墙结构，所述侧墙结构覆盖所述掩膜部的侧壁且与所述p-源区接触；在两个所述侧墙结构的远离所述掩膜部的一侧的所述p-源区中形成n+源区。
3、进一步地，去除部分所述介质层与部分所述氧化层，形成侧墙结构，包括：采用干法刻蚀去除除所述掩膜部侧壁之外的表面上的所述氧化层和部分所述介质层；采用湿法刻蚀去除除所述掩膜部侧壁之外的表面上的剩余所述介质层，所述掩膜部侧壁上的所述氧化层和所述介质层形成所述侧墙结构。
4、进一步地，在两个所述侧墙结构的远离所述掩膜部的一侧的所述p-源区中形成n+源区，包括：在两个所述侧墙结构的远离所述掩膜部的一侧的所述p-源区中进行离子注入，形成所述n+源区。
5、进一步地，提供基底，包括：提供所述衬底；在所述衬底的裸露表面上依次形成所述外延层和掩膜层；去除部分所述掩膜层，形成所述掩膜部，所述掩膜部两侧的所述外延层裸露；在所述掩膜部两侧的所述外延层中进行离子注入，形成所述p-源区。
6、进一步地，所述方法还包括：去除所述掩膜部和所述侧墙结构；在所述外延层的裸露表面上形成依次层叠的栅氧化层以及栅极，所述栅氧化层以及所述栅极在所述衬底上的投影覆盖所述两个所述p-源区之间的所述外延层在所述衬底上的投影、部分所述n+源区在所述衬底上的投影以及部分所述p-源区在所述衬底上的投影。
7、进一步地，在去除所述掩膜部和所述侧墙结构之后，在在所述外延层的裸露表面上形成依次层叠的栅氧化层以及栅极之前，所述方法包括：对去除所述掩膜部和所述侧墙结构之后的结构进行退火。
8、进一步地，在所述外延层的裸露表面上形成依次层叠的栅氧化层以及栅极，包括：对所述外延层的远离所述衬底的表面进行氧化，形成预备栅氧化层；去除部分所述预备栅氧化层，形成所述栅氧化层，所述栅氧化层在所述衬底上的投影覆盖所述两个所述p-源区之间的所述外延层在所述衬底上的投影、部分所述n+源区在所述衬底上的投影以及部分所述p-源区在所述衬底上的投影；在所述栅氧化层的远离所述衬底的表面上形成所述栅极。
9、进一步地，所述介质层的材料的刻蚀选择比高于所述氧化层的材料的刻蚀选择比。
10、进一步地，所述介质层的厚度范围在
11、根据本申请的另一方面，提供了一种半导体结构，包括基底、侧墙结构以及n+源区，其中，所述基底包括衬底、位于所述衬底表面上的外延层、位于所述外延层的远离所述衬底的部分表面上的掩膜部以及位于所述掩膜部两侧的所述外延层中的p-源区；所述侧墙结构位于所述掩膜部两侧，包括相互接触的介质层与氧化层，所述介质层与所述p-源区接触，所述氧化层与所述掩膜部不接触；所述n+源区位于两个所述侧墙结构的远离所述掩膜部的一侧的所述p-源区中。
12、应用本申请的技术方案，所述半导体结构的制作方法中，首先，提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底表面上的外延层、位于所述外延层的远离所述衬底的部分表面上的掩膜部以及位于所述掩膜部两侧的所述外延层中的p-源区；之后，在所述基底的裸露表面上依次形成介质层和氧化层；之后，去除部分所述介质层与部分所述氧化层，形成侧墙结构，所述侧墙结构覆盖所述掩膜部的侧壁且与所述p-源区接触；最后，在两个所述侧墙结构的远离所述掩膜部的一侧的所述p-源区中形成n+源区。为了保证氧化层刻蚀干净，不影响n+源区的形成，需要一定过刻蚀，该方法通过在沉积氧化层前形成一定厚度的介质层，形成侧墙结构的时候，介质层可以防止在由于过刻蚀在掩膜部底部形成台阶，从而使后续栅氧及沟道形貌保持一致，保证器件参数一致性，进而解决了现有技术中在形成p阱的掩膜结构底部形成台阶而导致半导体器件参数一致性较差的问题。
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1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除部分所述介质层与部分所述氧化层，形成侧墙结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在两个所述侧墙结构的远离所述掩膜部的一侧的所述P-源区中形成N+源区，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在去除所述掩膜部和所述侧墙结构之后，在在所述外延层的裸露表面上形成依次层叠的栅氧化层以及栅极之前，所述方法包括：
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述外延层的裸露表面上形成依次层叠的栅氧化层以及栅极，包括：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料的刻蚀选择比高于所述氧化层的材料的刻蚀选择比。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述介质层的厚度范围在
10.一种半导体结构，其特征在于，包括
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除部分所述介质层与部分所述氧化层，形成侧墙结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在两个所述侧墙结构的远离所述掩膜部的一侧的所述p-源区中形成n+源区，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在去除...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙永生，颜剑，杜大为，刘丽萍，方浩，
申请(专利权)人：无锡华润微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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