【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储，具体而言，涉及一种存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法。
技术介绍
1、铁电存储器(fram)通常采用1t1c结构，其存储器单元需要一个晶体管和一个电容结构；随着集成电路尺寸的不断微缩，电容值会随面积缩小而减小，受传感器放大(sensoramplifier)电路限制，铁电电容至少要存储一定量的电荷，才能使存储单元在实际的工作中实现读写功能。在电容面积无法缩小的情况下，单个存储单元(bit-cell)的面积也无法缩小，导致整个存储器集成度较低。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法，以解决现有技术中存储器集成度较低的问题。
2、为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种存储单元结构，包括：表面具有选择开关晶体管的衬底，选择开关晶体管具有源极和漏极；电容，设置于选择开关晶体管远离衬底的一侧；导电插塞，沿远离衬底的方向延伸，导电插塞具有第一端面和第二端面，第一端面与源极接触设置，第二端面与电容接触设置；位线，与漏极连接，位线与漏极之间的垂直距离小于电容与源极之间的垂直距离。
3、进一步地，导电插塞包括：第一导电通道，具有第一端面以及与第一端面相对的第三端面；第二导电通道，具有第二端面以及与第二端面相对的第四端面，第三端面与第四端面接触，且第三端面的尺寸大于或等于第四端面的尺寸。
4、进一步地，存储单元结构还包括与电容连接的板线，板线沿平行于衬底的第一方向延伸。
...【技术保护点】
1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述导电插塞包括：
3.根据权利要求1或2所述的存储单元结构，其特征在于，所述存储单元结构还包括与所述电容连接的板线，所述板线沿平行于所述衬底的第一方向延伸。
4.根据权利要求3所述的存储单元结构，其特征在于，所述位线包括：
5.根据权利要求4所述的存储单元结构，其特征在于，所述第二导电部包括：
6.根据权利要求5所述的存储单元结构，其特征在于，所述存储单元结构还包括：
7.一种权利要求1至6中任一项所述的存储单元结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述导电插塞的步骤包括：
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述位线的步骤包括：
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一导电通道和所述第三导电通道的步骤包括：
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述电容的步骤包括
12.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：
13.一种存储阵列结构，包括阵列排布的多个存储单元结构，其特征在于，所述存储单元结构为权利要求1至6中任一项所述的存储单元结构，或所述存储单元结构由权利要求7至12中任一项所述的存储单元结构的制作方法制备而成，其中，位于同一列的所述存储单元结构中选择开关晶体管的漏极与相同位线电连接，位于同一行的所述选择开关晶体管的栅极与相同字线电连接。
14.一种存储阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述导电插塞包括：
3.根据权利要求1或2所述的存储单元结构，其特征在于，所述存储单元结构还包括与所述电容连接的板线，所述板线沿平行于所述衬底的第一方向延伸。
4.根据权利要求3所述的存储单元结构，其特征在于，所述位线包括：
5.根据权利要求4所述的存储单元结构，其特征在于，所述第二导电部包括：
6.根据权利要求5所述的存储单元结构，其特征在于，所述存储单元结构还包括：
7.一种权利要求1至6中任一项所述的存储单元结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述导电插塞的步骤包括：
9.根据权利要求8所述的制作方...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭崇永，金兴成，
申请(专利权)人：无锡华润微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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