【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其制作方法。
技术介绍
1、随着技术进步，半导体器件的功能越来越系统化，电路设计也随之越来越复杂、密集。当前很多产品设计都需要通过跨浅槽隔离结构(sti)的互连层实现晶体管之间的连接，例如cmos反相器，sram等等。
2、对于跨浅槽隔离结构(sti)的互连层，现有设计方案通常为分别形成贯穿至不同晶体管的接触孔，然后通过向接触孔中填充金属，使互连层与各接触孔中的金属接触实现互连。
3、然而，受到上述接触孔的工艺限制，导致半导体器件难以进一步缩小尺寸。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种半导体结构及其制作方法，以解决现有技术中半导体器件难以进一步缩小尺寸的问题。
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体结构，包括衬底以及形成于衬底上的多个晶体管，各晶体管包括阱区、掺杂区和栅极结构，阱区形成于衬底中，栅极结构位于阱区表面，掺杂区形成于栅极结构两侧的阱区中，相邻晶体管中阱区的掺杂类型不同，且同一晶体管中阱区与掺杂区的掺杂类型不同，半导体结构还包括：浅槽隔离结构，贯穿至相邻晶体管之间的衬底中；导电通道，一一对应地设置于浅槽隔离结构远离衬底的一侧，且一个导电通道同时与相邻两个晶体管中的掺杂区接触；互连层，设置于导电通道远离衬底的一侧，互连层通过导电通道与掺杂区连接。
3、进一步地，浅槽隔离结构具有远离衬底的第一表面，半导体结构还包括：刻蚀阻挡层，覆盖第一表面，导电通
4、进一步地，刻蚀阻挡层与栅极结构的材料相同。
5、进一步地，浅槽隔离结构与刻蚀阻挡层均沿第一方向延伸，在第二方向上浅槽隔离结构与刻蚀阻挡层宽度之差小于0.1μm，第二方向与第一方向垂直。
6、进一步地，浅槽隔离结构沿第一方向延伸，在第二方向上导电通道的侧壁与浅槽隔离结构的最小间距小于0.1μm，第二方向与第一方向垂直。
7、进一步地，一个浅槽隔离结构与相邻晶体管中的掺杂区接触。
8、根据本申请的另一方面，提供了一种上述的半导体结构的制作方法，包括以下步骤：在衬底中形成浅槽隔离结构；在衬底上形成多个晶体管，浅槽隔离结构贯穿至相邻晶体管之间的衬底中，各晶体管包括阱区、掺杂区和栅极结构，阱区形成于衬底中，栅极结构位于阱区表面，掺杂区形成于栅极结构两侧的阱区中，相邻晶体管中阱区的掺杂类型不同，且同一晶体管中阱区与掺杂区的掺杂类型不同；在浅槽隔离结构远离衬底的一侧一一对应地设置导电通道，一个导电通道同时与相邻两个晶体管中的掺杂区接触；在导电通道远离衬底的一侧设置互连层，互连层通过导电通道与掺杂区连接。
9、进一步地，在导电通道远离衬底的一侧设置互连层，互连层通过导电通道与掺杂区连接。在第一表面覆盖刻蚀阻挡层，在设置导电通道的步骤之后，导电通道位于刻蚀阻挡层远离浅槽隔离结构的一侧。
10、进一步地，覆盖刻蚀阻挡层的步骤包括：在衬底上沉积栅极材料，以使部分栅极材料覆盖第一表面；刻蚀栅极材料，以形成栅极结构和刻蚀阻挡层。
11、进一步地，设置导电通道的步骤包括：在衬底上形成层间介质层，以使层间介质层覆盖刻蚀阻挡层和晶体管；形成贯穿层间介质层至刻蚀阻挡层的接触孔，以使掺杂区具有位于接触孔中的裸露表面；在接触孔中填充导电材料，以形成导电通道。
12、应用本申请的技术方案，提供了一种半导体结构，该半导体结构包括衬底以及形成于衬底上的多个晶体管和浅槽隔离结构，浅槽隔离结构贯穿至相邻晶体管之间的衬底中，由于该半导体结构还包括导电通道和互连层，导电通道一一对应地设置于浅槽隔离结构远离衬底的一侧，且一个导电通道同时与相邻两个晶体管中的掺杂区接触，互连层设置于导电通道远离衬底的一侧，互连层通过导电通道与掺杂区连接，从而相比于现有技术中需要两个接触孔实现晶体管互连，本申请可以仅形成用于设置上述导电通道的一个接触孔即可以通过导电通道及互连层，实现相邻两个晶体管之间的连接，从而无需考虑接触孔与浅槽隔离结构的间距带来的工艺限制，有利于半导体结构中相邻晶体管之间距离的进一步缩小，进而实现了具有该半导体结构的器件尺寸的微缩化。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括衬底以及形成于所述衬底上的多个晶体管，各所述晶体管包括阱区、掺杂区和栅极结构，所述阱区形成于所述衬底中，所述栅极结构位于所述阱区表面，所述掺杂区形成于所述栅极结构两侧的阱区中，相邻所述晶体管中所述阱区的掺杂类型不同，且同一所述晶体管中所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型不同，所述半导体结构还包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述浅槽隔离结构具有远离所述衬底的第一表面，所述半导体结构还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述刻蚀阻挡层与所述栅极结构的材料相同。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述浅槽隔离结构与所述刻蚀阻挡层均沿第一方向延伸，在第二方向上所述浅槽隔离结构与所述刻蚀阻挡层宽度之差小于0.1μm，所述第二方向与所述第一方向垂直。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述浅槽隔离结构沿第一方向延伸，在第二方向上所述导电通道的侧壁与所述浅槽隔离结构的最小间距小于0.1μm，所述第二方向与所述第一方向垂直。
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