【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。
技术介绍
1、半导体器件的终端耐压保护中，表面电荷问题是较常见的一种失效模式。其中可动电荷(通常是na+等金属离子)影响更是解决最多的失效问题。在很多失效模式中，终端结构设计及工艺已经可以较好避免可动电荷影响，但由于后续划片，封装及长期使用过程中，封装体内可动离子通过终端结构移动到耐压结构附近位置，导致击穿不稳定，漏电增大，耐压退化。为了防止这种情况的失效，在功率器件制造中通常采用二氧化硅、掺杂二氧化硅、氮化硅及聚酰亚胺等多种介质组合作为器件的表面钝化，屏蔽可动金属离子的影响。常规结构通常容易在终端最外面有氧化层结构或器件经过划片、封装或长期使用应力释放时，水平方向的应力将管芯边缘钝化保护结构损坏，其中介质分层是失效模式之一。为了尽量消除这种失效影响，通常增加终端最外侧面积尺寸，但这种方法在增加了终端面积的前提下，防护效果一般。
2、因此，亟需一种防止钝化保护结构受到应力作用而损坏的方法。
3、在
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部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
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的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，以解决现有技术中半导体器件终端的钝化层易受到水平应力作用而损坏的问题。
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半
3、进一步地，提供基底，包括：提供碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底的裸露表面上形成所述外延层。
4、进一步地，在去除部分所述外延层之后，在在所述突出部的远离所述衬底的部分表面上、所述突出部的侧壁以及所述本体部的远离所述衬底的部分表面上形成介质结构之前，所述方法还包括：在所述外延层中形成有源区以及终端区，所述终端区在所述有源区周围且与所述有源区接触，且所述有源区与所述终端区在所述衬底上的投影位于所述突出部在所述衬底上的投影内。
5、进一步地，在所述突出部的远离所述衬底的部分表面上、所述突出部的侧壁以及所述本体部的远离所述衬底的部分表面上形成介质结构，包括：在所述终端区的远离所述衬底的表面上形成介质层；在所述介质层的远离所述衬底的表面上、所述介质层的侧壁、所述突出部的远离所述衬底的部分表面上、所述突出部的侧壁以及所述本体部的远离所述衬底的部分表面上形成保护层，所述介质层与所述保护层形成所述介质结构。
6、进一步地，所述介质层的材料包括以下至少之一：二氧化硅、掺杂二氧化硅以及氮化硅。
7、进一步地，所述保护层的材料包括以下之一：聚酰亚胺、聚苯并唑以及苯并环丁烯。
8、进一步地，所述突出部的高度范围为0.5μm～1μm。
9、进一步地，任意两个所述突出部之间的距离范围为85μm～100μm。
10、根据本申请的另一方面，提供了一种半导体器件，包括基底和介质结构，其中，所述基底包括依次叠置的衬底和外延层，所述外延层包括本体部和位于所述本体部的远离所述衬底表面的突出部，所述突出部在所述衬底上的投影位于所述本体部在所述衬底上的投影内；所述介质结构在所述突出部的远离所述衬底的部分表面、所述突出部的侧壁以及所述本体部的远离所述衬底的部分表面上。
11、进一步地，所述突出部的高度范围为0.5μm～1μm。
12、进一步地，任意两个所述突出部之间的距离范围为85μm～100μm。
13、应用本申请的技术方案，半导体器件的制作方法，包括：提供基底，所述基底包括依次叠置的衬底和外延层；去除部分所述外延层，使得所述外延层形成本体部和位于所述本体部的远离所述衬底表面的突出部，所述突出部在所述衬底上的投影位于所述本体部在所述衬底上的投影内；在所述突出部的远离所述衬底的部分表面上、所述突出部的侧壁以及所述本体部的远离所述衬底的部分表面上形成介质结构。该方法通过去除部分外延层，使外延层形成突出部和本体部，从而使突出部侧壁与本体部形成台阶，介质结构覆盖部分突出部以及部分本体部，从而当介质结构受到水平应力时，台阶可以抵消水平应力，防止介质结构移位，进而解决了现有技术中半导体器件终端的钝化层易受到水平应力作用而损坏的问题。
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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除部分所述外延层之后，在在所述突出部的远离所述衬底的部分表面上、所述突出部的侧壁以及所述本体部的远离所述衬底的部分表面上形成介质结构之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述突出部的远离所述衬底的部分表面上、所述突出部的侧壁以及所述本体部的远离所述衬底的部分表面上形成介质结构，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料包括以下至少之一：二氧化硅、掺杂二氧化硅以及氮化硅。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述保护层的材料包括以下之一：聚酰亚胺、聚苯并唑以及苯并环丁烯。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的方法，其特征在于，所述突出部的高度范围为0.5μm～1μm。
8.根据权利要求1至6任意一项所述的方法，其特征在于，任意两个所述突出部之间的距离范围为85μm～100μm。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除部分所述外延层之后，在在所述突出部的远离所述衬底的部分表面上、所述突出部的侧壁以及所述本体部的远离所述衬底的部分表面上形成介质结构之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述突出部的远离所述衬底的部分表面上、所述突出部的侧壁以及所述本体部的远离所述衬底的部分表面上形成介质结构，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料包括以下至少之一：二氧化硅、掺杂二氧化硅以及氮化...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙永生，颜剑，周慧芳，刘丽萍，杜大为，方浩，
申请(专利权)人：无锡华润微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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