【技术实现步骤摘要】
本申请涉及otp(one time programable，一次性可编程)器件领域，具体而言，涉及一种otp器件的制作方法、otp器件以及存储系统。
技术介绍
1、如图1所示，基于反熔丝结构的otp存储器结构类似三明治，第一介质层100的表面上，上下为第一导电层101和第二导电层103，中间为第二介质层102，其中，第二介质层102为绝缘层。在编程前上下极板被绝缘层隔开，编程后上下极板间才会出现低阻通路，而且这种低阻态是不可逆的，因此保密性高。而且这种otp存储器需要外加高压才能实现编程，可以避免因外界因素导致误编程问题，因此可靠性更高。基于反熔丝的otp存储器凭借其极强的抗干扰性可以工作在一些极端且复杂环境中，因此这种存储器的市场需求也越来越大。在先进工艺制程中，由于otp单元介质层比较薄，导致其侧面容易受到inline defect(线上缺陷)的影响而导致如图1所示的短路。这样的问题限制了otp存储器的发展和应用。
2、在
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部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
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的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种otp器件的制作方法、otp器件以及存储系统，以解决现有技术中otp器件容易出现短路异常，影响器件性能的问题。
2、根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种otp器件的制作方法，包括：提供包括叠置的第一介质层以及第一导电层
3、可选地，所述第一介质层的与所述第一导电层接触的表面为第二表面，所述第二表面的部分裸露，至少在第一表面上以及所述第一导电层的侧壁上依次形成第二介质层以及第二导电层，包括：在所述第二表面的裸露表面以及所述第一导电层的裸露表面上依次形成第二预备介质层以及第二预备导电层；刻蚀去除部分所述第二预备介质层以及部分所述第二预备导电层，剩余位于所述第二表面上的部分所述第二预备介质层、位于所述第一导电层的侧壁上的所述第二预备介质层和所述第二预备导电层、以及位于所述第一表面上的所述第二预备介质层和所述第二预备导电层，剩余的所述第二预备介质层形成所述第二介质层，剩余的所述第二预备导电层形成所述第二导电层。
4、可选地，刻蚀去除部分所述第二预备介质层以及部分所述第二预备导电层，包括：在所述第二预备导电层的远离所述第二预备介质层的表面上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层在所述第二表面上的投影覆盖第三表面，且所述投影的面积大于所述第三表面的面积，其中，所述第三表面为所述第二预备介质层的与所述第二预备导电层接触的表面；以所述第一光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述第二预备介质层以及所述第二预备导电层，得到所述第二介质层以及所述第二导电层；去除所述第一光刻胶层。
5、可选地，至少在第一表面上以及所述第一导电层的侧壁上依次形成第二介质层以及第二导电层，包括：至少在所述第一表面上以及所述第一导电层的侧壁上沉积包括非晶硅的材料，形成所述第二介质层；在所述第二介质层的远离所述第一表面的表面上以及所述第二介质层的侧壁上沉积金属材料，形成所述第二导电层。
6、可选地，提供包括叠置的第一介质层以及第一导电层的叠置结构，包括：提供所述第一介质层，所述第一介质层具有金属线；在所述第一介质层的表面上形成第一预备导电层，所述第一预备导电层与所述金属线接触；在所述第一预备导电层的远离所述第一介质层的表面上形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一预备导电层，剩余的所述第一预备导电层形成所述第一导电层；去除所述第二光刻胶层。
7、根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种otp器件包括第一介质层、第一导电层、第二介质层以及第二导电层，其中，所述第一导电层位于所述第一介质层的表面上；所述第二介质层至少位于第一表面上以及所述第一导电层的侧壁上，其中，所述第一表面为所述第一导电层的远离所述第一介质层的表面；所述第二导电层位于所述第二介质层的远离第一表面的表面上以及所述第二介质层的侧壁上。
8、可选地，所述第一介质层的与所述第一导电层接触的表面为第二表面，所述第二介质层还位于部分的所述第二表面上。
9、可选地，所述第二介质层的厚度为
10、可选地，所述第一导电层的材料以及所述第二导电层的材料分别为金属。
11、根据本专利技术实施例的又一方面，还提供了一种存储系统，包括：采用任一种所述的方法制作得到的otp器件，或者任一种所述的otp器件。
12、采用本申请的技术方案，所述的otp器件的制作方法中，首先，提供叠置的第一介质层以及第一导电层；然后，至少在第一导电层的表面上以及第一导电层的侧壁上依次形成第二介质层以及第二导电层，也就是说，所述第二介质层覆盖所述第一导电层的上表面以及侧壁，所述第二导电层覆盖所述第二介质层的上表面以及侧壁。相比于现有技术中otp器件中介质层的侧壁裸露，导致其侧面容易受到线上缺陷的影响而产生短路的问题，本申请的所述方法中，通过依次形成覆盖第一导电层的上表面以及侧壁的第二介质层以及第二导电层，这样第二导电层可以将第二介质层的侧壁包裹起来，形成一种“凸”字形结构，避免第二介质层的侧壁被污染造成的器件短路问题，从根本上解决了第二介质层侧壁被污染导致的器件短路失效问题，保证了器件的制作良率较高，且使得器件的整体性能较好。同时，相比现有技术中的平面结构，本申请的所述“凸”字形结构增大了otp器件的有效使用面积。
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1.一种OTP器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的与所述第一导电层接触的表面为第二表面，所述第二表面的部分裸露，至少在第一表面上以及所述第一导电层的侧壁上依次形成第二介质层以及第二导电层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，刻蚀去除部分所述第二预备介质层以及部分所述第二预备导电层，包括：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，至少在第一表面上以及所述第一导电层的侧壁上依次形成第二介质层以及第二导电层，包括：
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，提供包括叠置的第一介质层以及第一导电层的叠置结构，包括：
6.一种OTP器件，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的OTP器件，其特征在于，所述第一介质层的与所述第一导电层接触的表面为第二表面，所述第二介质层还位于部分的所述第二表面上。
8.根据权利要求6所述的OTP器件，其特征在于，所述第二介质层的厚度为
9.根据权利要求6至8中任一
10.一种存储系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种otp器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的与所述第一导电层接触的表面为第二表面，所述第二表面的部分裸露，至少在第一表面上以及所述第一导电层的侧壁上依次形成第二介质层以及第二导电层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，刻蚀去除部分所述第二预备介质层以及部分所述第二预备导电层，包括：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，至少在第一表面上以及所述第一导电层的侧壁上依次形成第二介质层以及第二导电层，包括：
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：王志伟，金兴成，杨晓芳，
申请(专利权)人：无锡华润微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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