一种基于冗余结构的半导体制冷片制造技术

本技术公开了一种基于冗余结构的半导体制冷片，第一层板和第二层板相对设置；多个金属层阵列置于第一层板和第二层板相对的两面上；半导体层置于第一层板和第二层板之间，半导体层连接第一层板上的金属层和第二层板上的金属层；每两个P型半导体通过金属层并联形成一个P型并联单元；每两个N型半导体通过金属层并联形成一个N型并联单元；P型并联单元与N型并联单元通过金属层交替串联。通过每两个P型半导体并联形成一个P型并联单元、每两个N型半导体并联形成一个N型并联单元以及P型并联单元与N型并联单元通过金属层交替串联的设置，提高一种基于冗余结构的半导体制冷片的稳定性，同时提高半导体制冷片冷端和热端的温差。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制冷片，尤其涉及一种基于冗余结构的半导体制冷片。

技术介绍

1、半导体制冷片主要使用在一些空间狭小的区域，且并不能被无制冷剂污染的场合。利用制冷片的peltier效应，当电流通过p型半导体和n型半导体时，半导体制冷片的两侧即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷以及制热的目的。

2、现有的半导体制冷片多用并串联偶/串联结构，然而该结构易引起的元件冷端和热端的热短路，大大降低了半导体制冷组件的温差，以及半导体制冷片的稳定性。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请提供一种基于冗余结构的半导体制冷片，以提高半导体制冷片的稳定性。

2、为实现上述目的，本申请提供了一种基于冗余结构的半导体制冷片，包括：

3、第一层板；

4、制冷结构，所述制冷结构包括：第二层板、金属层和半导体层；

5、所述第一层板和第二层板相对设置；

6、所述金属层为多个，多个所述金属层阵列置于所述第一层板和第二层板相对的两面上；

7、所述半导体层置于第一层板和第二层板之间，且所述半导体层连接所述第一层板上的金属层和所述第二层板上的金属层；所述半导体层包括：多个p型半导体和多个n型半导体；所述p型半导体和n型半导体阵列设置；

8、其中,每两个所述p型半导体通过金属层并联形成一个p型并联单元；每两个所述n型半导体通过金属层并联形成一个n型并联单元；所述p型并联单元与所述n型并联单元通过所述金属层交替串联。

<p>9、本申请实施例的技术方案中，还包括：第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别与一个位于所述第一层板上的所述金属层导通。

10、本申请实施例的技术方案中，所述第一层板上依次设有多个所述制冷结构。

11、本申请实施例的技术方案中，还包括连接通孔，所述连接通过贯穿所述第二层板，所述通孔内壁设置有侧壁金属层，且所述侧壁金属层用于连接所述第二层板两侧的所述金属层。

12、区别于现有技术，上述技术方案通过每两个所述p型半导体通过金属层并联形成一个p型并联单元/每两个所述n型半导体通过金属层并联形成一个n型并联单元以及p型并联单元与所述n型并联单元通过所述金属层交替串联的设置，以提高一种基于冗余结构的半导体制冷片的稳定性，同时提高半导体制冷片冷端和热端的温差。

13、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

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【技术保护点】

1.一种基于冗余结构的半导体制冷片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述一种基于冗余结构的半导体制冷片，其特征在于，还包括：第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别与一个位于所述第一层板上的所述金属层导通。

3.根据权利要求1所述一种基于冗余结构的半导体制冷片，其特征在于，所述第一层板上依次层叠设置有多个所述制冷结构。

4.根据权利要求3所述一种基于冗余结构的半导体制冷片，其特征在于，还包括：连接通孔，所述连接通过贯穿所述第二层板，所述通孔内壁设置有侧壁金属层，且所述侧壁金属层用于连接所述第二层板两侧的所述金属层。

【技术特征摘要】

1.一种基于冗余结构的半导体制冷片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述一种基于冗余结构的半导体制冷片，其特征在于，还包括：第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别与一个位于所述第一层板上的所述金属层导通。

3.根据权利要求1所述一种基于冗余结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈天顺，邓栓，林梓茵，
申请(专利权)人：布莫让科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：