存储装置、存储单元阵列、存储单元阵列的制作方法、磁头及电子设备制造方法及图纸

技术编号：40431286 阅读：5 留言：0更新日期：2024-02-20 22:53

一种存储装置(100)具有：多个磁存储元件(30)；以及选择电路(8)，该选择电路(8)从该多个磁存储元件(30)中选择预期的磁存储元件(30)。该多个磁存储元件(30)包括：第一磁存储元件(30‑1)，具有根据环境值而改变的特性；以及第二磁存储元件(30‑2)，具有与该第一磁存储元件(30‑1)的特性不同的特性。选择电路(8)基于环境值的检测结果来执行第一磁存储元件(30‑1)和第二磁存储元件(30‑2)之间的排他选择。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及存储装置、存储单元阵列、用于制造存储单元阵列的方法、磁头和电子设备。

技术介绍

1、例如，在专利文献1中，公开了根据温度来设定磁存储元件的读写电流脉冲宽度的方法。

2、引用列表

3、专利文献

4、专利文献1：jp 2010-92521a

5、非专利文献

6、非专利文献1：s.mangin等，nature materials，第5卷，2006年3月，第210页

技术实现思路

1、技术问题

2、在专利文献1的方法中，由于诸如功耗和写入时间的操作条件根据温度而改变，所以操作变得复杂。这同样适用于除了温度变化之外的环境变化。

3、本公开的一方面提供了可以实现对环境变化的容易的适应的存储装置、存储单元阵列、用于制造存储单元阵列的方法、磁头和电子设备。

4、问题的解决方案

5、根据本公开的一方面的存储装置包括：多个磁存储元件；以及选择电路，该选择电路从该多个磁存储元件中选择期望的磁存储元件，其中该多个磁存储元件包括：第一磁存储元件，具有根据环境值而改变的特性；以及第二磁存储元件，具有与该第一磁存储元件的特性不同的特性，并且该选择电路基于该环境值的检测结果排他地选择该第一磁存储元件和该第二磁存储元件。

6、根据本公开的一方面的存储单元阵列包括：第一磁存储元件，具有根据环境值而改变的特性；第二磁存储元件，该第二磁存储元件具有与该第一磁存储元件的特性不同的特性；以及能够排

7、根据本公开的一方面的用于制造存储单元阵列的方法包括：形成具有根据环境值而改变的特性的第一磁存储元件；形成第二磁存储元件，该第二磁存储元件具有与该第一磁存储元件的特性不同的特性；以及形成能够排他地选择第一磁存储元件和第二磁存储元件的配线。

8、根据本公开的一方面的磁头包括：第一磁存储元件，具有根据环境值而改变的特性；以及第二磁存储元件，具有与该第一磁存储元件的特性不同的特性，该磁头被配置为能够排他地选择该第一磁存储元件和该第二磁存储元件。

9、根据本公开的一方面的电子设备是在其上安装存储装置的电子设备，其中，该存储装置包括：多个磁存储元件；以及选择电路，该选择电路从该多个磁存储元件中选择期望的磁存储元件，该多个磁存储元件包括：第一磁存储元件，该第一磁存储元件具有根据环境值而改变的特性；以及第二磁存储元件，该第二磁存储元件具有与该第一磁存储元件的特性不同的特性，以及该选择电路基于该环境值的检测结果排他地选择该第一磁存储元件和该第二磁存储元件。

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【技术保护点】

1.一种存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

8.根据权利要求1所述的存储装置，进一步包括：

9.根据权利要求1所述的存储装置，进一步包括：

10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

11.一种存储单元阵列，包括：

12.一种用于制造存储单元阵列的方法，所述方法包括：

13.一种磁头，包括：

14.一种电子设备，在所述电子设备上安装有存储装置，其中

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】